DRAM與NAND的區別及工作原理-本文就DRAM與NAND在工作原理上做比較，弄清兩者的區別
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DRAM NAND RAM
DRAM原理 5 ：DRAM Devices Organization-隨著系統對內存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統會接入多個 DRAM Devices。而多個 DRAM Devices 不同的組織方式，會帶來不同的效果。本文將對不同的組織方式及其效果進行簡單介紹。
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DRAM
次世代記憶體換當家？關于新當家的那點事-據韓媒BusinessKorea報導，IBM 和三星在電機電子工程師學會（IEEE）發布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發的STT-MRAM 的生產技術，成功實現10 奈秒（nanosecond）的傳輸速度和超省電架構，理論上表現超越DRAM。韓國半導體業者指出，16納米將是DRAM微縮制程的最后極限，包括FRAM在內的多種次世代存儲（其它包括MRAM）備受期待。
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dram fram
DRAM 原理 2 ：DRAM Memory Organization-在 DRAM Storage Cell 章節中，介紹了單個 Cell 的結構。在本章節中，將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。
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DRAM Memory Cells
某些FPGA終端，包含板載的、可以動態隨機訪問的存儲塊(DRAM)，這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數據，而且速度可以非常快。針對一些特殊應用，比如：瞬時帶寬非常高，而且有要保存原始數據的時候，就可以用DRAM做一個大的FIFO緩沖。 DRAM的大小每塊板卡可能不同，一般在官網中對應板卡的說明中都會標明DRAM的大小(如果有DRAM的話)。比如，PXIe-7966R就有512M的DRAM空間。 http://sine.ni.com/n
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FPGA DRAM
“2017年DRAM價格漲幅將達到39%”，ICInsights在2017年第三季度做出預計。當下，以DRAM為代表的半導體存儲器在全球范圍內掀起漲價潮。
DRAM作為半導體存儲器的產品類型之一，常見產品形態是內存條，主要的兩個應用市場是PC和智能手機。據京東商城官網顯示，金士頓DDR424008G臺式機內存在半年內價格從400元左右漲至800元左右，同時金立集團董事長劉立榮在9月25日媒體交流會上稱，國產手機下半年仍會漲價，部分原因是內存成本上升。
集邦咨詢半導體
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內存條 DRAM
存儲器作為一種根據庫存、需求、產能因素變化而具有明顯周期性的行業，這一輪漲價大幅增加了國產智能手機和PC廠商的成本，目前部分智能手機已經漲價，幅度在100~500元不等。
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DRAM 三星
臺灣內存模塊廠威剛指出，由于服務器、智能手機及 PC 等 3 大市場在下半年需求陸續回溫， DDR4 在需求面三箭齊發下處于全面性的嚴重缺貨。 不但價格持續走揚，PC 大廠及渠道客戶也積極備貨，NAND Flash 閃存也在中國智能手機大廠積極備貨的推動下，價格仍呈多頭格局。
威剛進一步指出，在國際數據中心大廠對 DRAM 需求快速擴張之下，全球 DRAM 廠 2017 年皆無新增產線的投入，上游 DRAM 廠多以移轉 PC DRAM 產能因應，導致 PC DRAM 供給面臨嚴重的產能排擠效應，
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威剛 DRAM
AMD今年的新顯卡系列在性能上能與老對手NVIDIA的產品相匹敵，因此不少人覺得雙方的競爭會拉低顯卡價格。但是，分析師卻并不這么認為。
日本瑞穗金融集團分析師Vijay Rakesh認為，NVIDIA顯卡在下季度不僅會需求高漲，銷量可能也會超過預期30-50%之多。但這些需求增長并非來自于游戲玩家，而是加密貨幣礦工。
由于需求增長幅度如此之高，供應鏈也遭遇了非常大的壓力，因為制造顯卡所需的DRAM已經開始出現短缺。根據行業研究公司ICInsight的預計，DRAM的每比特價格將提高40%，
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顯卡 DRAM
聯電和兩名員工遭到內存大廠美光指控妨礙營業秘密，并遭到臺中地檢署起訴，共同總經理簡山杰認為是遭到「商業間諜」構陷入罪，但強調DRAM計劃不變，將于明年第4季完成第一階段技術開發。
聯電DRAM項目主要與福建晉華合作。
簡山杰表示，對于司法中的案件原本不應多言，但聯電極有可能碰到所謂的「商業間諜」，高度懷疑「帶槍投靠」是假的，可能「構陷入罪」才是真。 簡山杰質疑，主要涉案員工夫婦本來都在美光上班，其中先生去年4月主動跳槽聯電;據說，遭檢方搜索以后，妻子就被美光停職;涉案人全數認罪后，妻子就復
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晉華 DRAM
員工有無竊取機密資料可以查證，企業有無教唆員工偷竊，也可以透過證據來佐證，但如何定義一家企業“積極”與“未積極”防范∕規范員工的行為，這十分兩難。
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DRAM 存儲器
你如果問當前內存市場是誰的天下?那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash,三者牢牢控制著內存市場,當前都處于供不應求的狀態。不過,在內存天下三分的大背景下,新一代存儲技術3D X-point、MRAM、RRAM等開始發出聲音, RRAM非易失性閃存技術是其中進展較快的一個。到目前為止,RRAM的發展進程已經超越了英特爾的3D X-point技術, Crossbar公司市場和業務拓展副總裁Sylvain Dubois在2017中芯國際技術研討會上接受與非網的采訪時說:&ldquo
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RRAM DRAM
聯電日前與大陸福建晉華合作開發DRAM技術的案子中，因有美光(Micron)的離職員工將技術帶到聯電任職，不只是員工個人被起訴，聯電也被臺中地檢署根據違反營業秘密法而被起訴，理由是“未積極防止侵害他人營業秘密”，因此視為共犯。
我們可以從三大層面來探討聯電和大陸合作開發DRAM技術的案子。第一，臺灣半導體產業在這個合作案當中，損失了什么?;第二，聯電在建立DRAM自主技術的過程中，有無竊取美光技術?;第三，如果企業沒有教唆員工竊密，只因為“未積極防范&rdqu
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DRAM 聯電
隨著時序已近2017年第四季，三大DRAM廠已陸續在下半年召開針對明年產能規劃的年度戰略會議，根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2018年各DRAM廠的資本支出計劃皆傾向保守，意味著產能擴張甚至技術轉進都將趨緩，除了欲將價格維持在今年下半年的水平，持續且穩定的獲利也將是明年首要目標，預估2018年DRAM產業的供給年成長率為19.6%，維持在近年來的低點，加上2018年整體DRAM需求端年成長預計將達20.6%，供給吃緊的態勢將延續。
DRAMeXchange研究協理吳
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DRAM
隨著時序已近2017年第四季，三大DRAM廠已陸續在下半年召開針對明年產能規劃的年度戰略會議，根據集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查，2018年各DRAM廠的資本支出計劃皆傾向保守，意味著產能擴張甚至技術轉進都將趨緩，除了欲將價格維持在今年下半年的水平，持續且穩定的獲利也將是明年首要目標，預估2018年DRAM產業的供給年成長率為19.6%，維持在近年來的低點，加上2018年整體DRAM需求端年成長預計將達20.6%，供給吃緊的態勢將延續。
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DRAM 美光
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