全球硅晶圓缺貨嚴重，已成為半導體廠營運成長瓶頸，后續恐將演變成國家級的戰火，半導體業者透露，日本硅晶圓大廠Sumco決定出手下砍大陸NOR Flash廠武漢新芯的硅晶圓訂單，優先供貨給臺積電、英特爾(Intel)、美光(Micron)等大廠，不僅加重NOR Flash短缺情況，日系供應商供貨明顯偏向臺、美、日廠，恐讓大陸半導體發展陷入硅晶圓不足困境。
硅晶圓已成為半導體產業的關鍵物資，過去10年來硅晶圓產能都是處于供過于求狀態，如今硅晶圓卻面臨缺貨，且已缺到影響半導體廠生產線運作，尤其是12吋規
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晶圓 DRAM
隨著挑戰 3D Xpoint 的非易失性存儲技術逐漸出現，傳統的 NAND Flash 依然有很長的路要走，直到 2025 年，這個技術都是安然無憂的。 因此，NAND Flash 暫時不會被 3D Xpoint 技術取代。
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內存 DRAM
據外電報道，高盛判斷，DRAM價格漲勢可能在未來幾季降溫， 2018年價格也許會轉跌，決定調降內存大廠美光評等。
巴倫周刊8日報導，高盛的Mark Delaney報告表示，過去四個季度以來，DRAM毛利不斷提高。 過往經驗顯示，DRAM榮景通常持續四到九季，此一趨勢代表DRAM多頭循環已經來到中后段。 業界整合使得本次價格高點，比以往更高。
Delaney強調，和DRAM業界人士談話發現，DRAM現貨價的成長動能放緩，價格似乎觸頂或略為下滑。 NAND情況較不嚴重;產業人士表示，NAND價
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三星 DRAM
三星挾帶存儲器產業龍頭優勢，本季營收可望超越英特爾而榮登半導體產業王座，證明了后PC時代的到來，隨著移動產業、物聯網及智能汽車產業興起，讓原先并未擴產的存儲器產業成為炙手可熱的領域，也使得三星更加壯大。
三星本次挾帶自家DRAM及NANDFlash報價急速攀升的氣勢，半導體制造事業可望躍居產業龍頭，原因正是DRAM及NANDFlash都受惠于智能手機搭載需求倍增，在制程轉換及產能已數年未擴充等因素作用下，帶動存儲器報價上漲。
從DRAM角度來看，存儲器原廠中，有能力大量產出晶圓的僅有三星、
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英特爾 DRAM
三星上月底發布了2017年Q1季度財報,營收只增加1.5%的情況下凈利潤大增46%,其中貢獻最多的就是閃存芯片部門,也就是DRAM內存和NAND閃存。時至今日,DRAM、NAND閃存缺貨、漲價的情況都沒有緩解,現在還是供不應求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投資力度提升產能,其中三星也要斥資26.4億美元擴產Line 17工廠,下半年加速10nm級DRAM內存生產。
三星前不久才宣布了全球最大的半導體工廠平澤工廠竣工,那個是針對NAND閃存的,主力產品將是64層堆棧的3D NAN
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三星 DRAM
內存是半導體的主力產品之一，目前主要由動態隨機存取內存(DRAM)及具備非揮發特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產品。 不過，由于DRAM必須持續上電才能保存數據，NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢，且讀寫次數相對有限的先天限制，因此內存業者一直試圖發展出新的內存架構，希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發特性。
根據研究機構Tech Insights估計，包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內存，都已陸續進入小量生產階段。 不
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內存 DRAM
2016年全球前十大半導體業者排名出爐。據IHSMarkit所搜集的數據顯示，2016年全球半導體產業的營收成長2%，而前十大半導體業者的營收則成長2.3%，優于產業平均水平。以個別產品類型來看，DRAM與NANDFlash是2016年營收成長動能最強的產品，成長幅度超過30%;車用半導體的市場規模也比2015年成長9.7%。
IHS預期，由于市場需求強勁，2017年內存市場的營收規模可望再創新高，車用半導體市場的規模則有機會成長超過10%。整體來說，2017年半導體產業的表現將出現穩健成長。
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DRAM NANDFlash
量子計算機如今已經成為科技巨頭們爭奪的新高地，IBM、谷歌都涉獵其中。
現在，微軟也要在量子計算領域發揮能量了。
半導體技術公司Rambus最新宣布已經與微軟達成合作，雙方將研發一種能夠在零下180攝氏度環境下穩定運行的DRAM系統，為未來的量子計算機服務。
Rambus研究所副總裁Gary Bronner介紹稱，與微軟的合作旨在零下180攝氏度環境下提升DRAM系統的容量和運算效率，并且降低功耗。
同時，高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導環境中有效運行，從而確保整個存儲系統
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微軟 DRAM
力晶創辦人暨執行長黃崇仁表示，大陸扶植半導體以為撒錢就可以，但未來用補助研發費用來扶植新廠的策略很難再延續，必須要有技術在手才行，但現在美系存儲器大廠美光(Micron)已經盯上大陸3家存儲器，包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯電的福建晉華，預計進入大陸DRAM產業的腳步會放緩，配合韓國2018年冬季奧運率先展示5G技術，未來DRAM是長期缺貨的走勢!
黃崇仁進一步表示，全球DRAM產業已經5年沒有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND F
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DRAM 5G
力晶創辦人暨執行長黃崇仁表示，大陸扶植半導體以為撒錢就可以，但未來用補助研發費用來扶植新廠的策略很難再延續，必須要有技術在手才行，但現在美系存儲器大廠美光(Micron)已經盯上大陸3家存儲器，包括紫光長江存儲、合肥長鑫和聯電的福建晉華，預計進入大陸DRAM產業的腳步會放緩，配合韓國2018年冬季奧運率先展示5G技術，未來DRAM是長期缺貨的走勢!
黃崇仁進一步表示，全球DRAM產業已經5年沒有新廠加入，三星電子(Samsung Electronics)蓋廠也是針對10納米晶圓代工和NAND F
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DRAM 5G
三星電子為了鞏固存儲器霸業，制定 DRAM 發展藍圖，擘劃制程微縮進度。業界預估，15 納米可能是 DRAM 制程微縮的極限，擔憂三星遭中國業者追上。
韓媒 etnews 18 日報導，業界消息稱，三星去年開始量產 18 納米 DRAM，目前正研發 17 納米 DRAM，預定今年底完成開發、明年量產。與此同時，三星也成立 16 納米 DRAM 開發小組，目標最快 2020 年量產。相關人士透露，微縮難度高，2020 年量產時間可能延后。
三星從 20 納米制程(28→25&rar
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三星 DRAM
三星電子為了鞏固存儲器霸業，制定DRAM發展藍圖，擘劃制程微縮進度。業界預估，15納米可能是DRAM制程微縮的極限，擔憂三星遭中國業者追上。
韓媒etnews 18日報導，業界消息稱，三星去年開始量產18納米DRAM，目前正研發17納米DRAM，預定今年底完成開發、明年量產。與此同時，三星也成立16納米DRAM開發小組，目標最快2020年量產。相關人士透露，微縮難度高，2020年量產時間可能延后。
三星從20納米制程(28→25→20)，轉進10納米制程(18&rarr
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三星 DRAM
目前說中國存儲器業的”春天”已經到來可能還為時尚早，確切地說，應該是中國的半導體業一定要跨入全球存儲器的行列之中。
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3DNAND DRAM
第四代高速DRAM存儲器DDR4自2014年上市以來，銷售額在整體DRAM存儲器總銷售額中的占比不斷成長。尤其是隨著2016年DDR4平均售價(ASP)跌至約與DDR3相同，當年DDR4銷售額占比更是飆升至45%，大幅拉近與DDR3占比間的距離。
調研機構IC Insights預估，隨著如英特爾(Intel)最新14納米制程x86 Core系列處理器等都開始向DDR4存儲器靠攏，預計2017年全球DDR4銷售額占比將會揚升至58%，首度超越DDR3的39%，正式終結過去6年DDR3占比持續維持第
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DDR4 DRAM
Gartner 表示，在 NAND Flash 方面 2017 年第 2 季將會開始呈現反轉，使得全球 NAND Flash 和 SSD 的價格會在 2018 年出現明顯下滑，并在 2019 年重新陷入一個相對低點。
Gartner 表示，自 2016 年中期以來，隨著 NAND Flash 的漲價，SSD 的每字節的成本也出現了驚人上漲。 不過，這種上漲趨勢將在本季達到頂峰。 其原因在于中國廠商大量投入生產的結果，在產能陸續開出后，市場價格就一反過去的漲勢，開始出現下跌的情況。
Gart
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DRAM NAND
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