- 英飛凌科技股份公司今天宣布，公司與飛兆半導體公司之間的專利侵權訴訟已達成和解。2008年11月，英飛凌向美國特拉華州地方法院提起訴訟。本訴和反訴標的包括與超結功率晶體管以及溝槽式功率 MOSFET和IGBT功率晶體管有關的14項專利。
通過廣泛的半導體技術專利交叉許可，雙方就上述訴訟達成和解。根據和解協議，飛兆半導體將向英飛凌支付許可費，但協議的具體條款和條件保密。
英飛凌和飛兆半導體將通知美國特拉華州地方法院，雙方已經達成和解，并將申請撤訴。
作為半導體行業的全球領袖，英飛凌目前正
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英飛凌 MOSFET IGBT
- 下面是我對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結，其中參考了一些資料，非全部原創。包括MOS管的介紹，特性，驅動以及應用電路。 在使用MOS管設計開關電源或者馬達驅動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導通電
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MOSFET 應用 原理 電路 驅動
- 新型電力半導體器件的代表，IGBT的產業化在我國還屬空白。無論技術、設備還是人才，我國都處于全方位的落后狀態。應當認識到，電力半導體器件和集成電路在國民經濟發展中地位同樣重要，因此，政府應該對IGBT產業予以大力扶持。
眾所周知，電力電子技術可以提高用電效率，改善用電質量，是節省能源的王牌技術。當今以絕緣柵雙極晶體管(IGBT)為代表的新型電力半導體器件是高頻電力電子線路和控制系統的核心開關元器件，它的性能參數將直接決定著電力電子系統的效率和可靠性。IGBT已成為新型電力半導體器件的代表性器件，
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器件 IGBT 封裝 測試 MOSFET
- 近年來隨著介觀物理和納米電子學對散粒噪聲研究的不斷深入，人們發現散粒噪聲可以很好的表征納米器件內部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會有介觀或者納米尺度的結構，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也會
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MOSFET 噪聲測試 方法研究
- 安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)推出高度集成保護的NCV840x系列低端自保護MOSFET。這系列器件通過了AEC-Q101標準認證，非常適用于嚴格的汽車及工業工作環境中的開關應用。
NCV8401、NCV8402、NCV8402D(雙裸片)、NCV8403及NCV8404的設計是為了提供強固及可靠的工作，這些器件全都有豐富的自保護特性，包括限溫及限流、靜電放電(ESD)保護，以及用于過壓保護(OVP)的集成漏極至柵極鉗位。
安森美半導體汽車
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安森美 MOSFET 驅動IC
- 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運算放大器，其可實現3 倍于同類競爭產品的 2675 V/us 壓擺率，從而可顯著提高脈沖響應。上述放大器將寬帶電壓反饋放大器與高阻抗 JFET 輸入級完美結合，可通過其高頻率帶寬和低總諧波失真充分滿足頻率域與 FET 分析的需求。
OPA653 與 OPA659 的主要特性與優勢
業界最佳的壓擺率與低失真可提高時間域和脈沖型應用的信號完整性：
o OPA653 是一款具有 2675
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TI 運算放大器 JFET
- 利用低端柵極驅動器IC可以簡化開關電源轉換器的設計，但這些IC必須正確運用才能充分發揮其潛力，以最大限度地減小電源尺寸和提高效率。如何根據額定電流和功能來選擇適當的驅動器，驅動器周圍需要哪些補償元件，以及如何確定熱性能等是設計時要注意的方面。
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Fairchild 轉換器 MOSFET 開關電源 柵極驅動器 200912
- 市場需求逐步恢復
● 能效需求催生功率器件應用熱潮
● 擴內需政策為企業提供增長空間
陳坤和
從2008年底到2009年初，所有電子產品的需求均有減少，功率半導體也不例外。我們認識到，困難時期可能成為重新把公司塑造成一個更精簡、更專注、更贏利企業的催化劑。由于各國政府的經濟刺激措施紛紛把提升能效列為重點內容，許多企業開始關注功率產品。在中國，由于政府刺激消費電子市場，中國市場需求增長，推動功率管理和其他半導體產品的需求開始復蘇。從長期來看，功率半導體將與許多其他領域的半導體產品
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功率器件 MOSFET
- 現有的MOSFET技術和硅工藝種類繁多，這使得選擇合適的MOSFET驅動器成了一個富有挑戰性的過程。
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MOSFET 選擇正確 驅動器
- Diodes公司推出兩款N溝道MOSFET，為網絡電話 (VoIP) 通信設備的設計人員帶來一種更堅固的解決方案，極大地降低了電路的復雜性和成本。
ZXMN15A27K及ZXMN20B28K經過特別設計，能滿足各種VoIP應用中基于用戶線接口電路(SLIC)DC/DC轉換器對變壓器中初級開關位置的嚴格要求。這些應用涵蓋寬帶語音系統、PBX系統、有線和DSL網關。
兩款新器件的擊穿電壓(BVDSS)分別為150V及200V，能夠承受SLIC環境下的高脈沖雪崩能量和通信模式，不需要額外的保護電
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Diodes MOSFET
- CMOS器件的等比例縮小發展趨勢，導致了柵等效氧化層厚度、柵長度和柵面積都急劇減小。對于常規體MOSFET，當氧化層厚度2 nm時，大量載流子以不同機制通過柵介質形成顯著的柵極漏電流。柵極漏電流不僅能產生
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研究 模型 噪聲 電流 MOSFET
- 過去，人們常把集成電路比作電子系統的大腦，而把功率半導體器件比作四肢，因為集成電路的作用是接受和處理信息，而功率器件則根據這些信息指令產生控制功率，去驅動相關電機進行所需的工作。如今，新型功率半導體器件如MOSFET(金屬-氧化物-半導體場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)及功率集成電路應用逐漸普及，其為信息系統提供電源的功能也越來越引人注目。功率半導體器件在電子系統中的地位已不僅限于“四肢”，而是為整個系統“供血”的“心臟&rdq
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功率半導體 MOSFET IGBT
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強PowerPAK SC-70®封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。新款SiA433EDJ是采用第三代TrenchFET® P溝道技術的最新器件，使用了自矯正的工藝技術，在每平方英寸的硅片上裝進了1億個晶體管。這種最先進的技術實現了超精細、亞微米的間距工藝，將目前業界最好的P溝道MOSFET
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Vishay MOSFET SiA433EDJ
- 通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數，因此可以并聯工作。當其中一個并聯的MOSFET的溫度上升時，具有正的溫度系數導通電阻也增加，因此流過的電流減小，溫度降低，從而實現自動的均流達到平衡。同樣對于一個功率MOSFET器件，在其內部也是有許多小晶胞并聯而成，晶胞的導通電阻具有正的溫度系數，因此并聯工作沒有問題。但是，當深入理解功率MOSFET的傳輸特性和溫度對其傳輸特性的影響，以及各個晶胞單元等效電路模型，就會發現，上述的理論只有在MOSFET進入穩態導通的狀態下才能成立，而在
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MOSFET RDS ON 溫度系數
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