NCP51752是隔離單通道柵極驅動器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5
A/-9A。 它們設計用于快速切換以驅動功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關。
NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力,甚至更快地關閉,NCP51752具有嵌入式負偏置軌機制在GND2和VEE引腳之間。 本用戶指南支持NCP51752的評估板。 它應該與NCP51752數據表以及onsemi的應用說明和技術支持團隊一起使用。 本文檔描述了孤立單體的擬
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onsemi NCP51752 隔離式 SiC MOSFET 閘極驅動器 評估板
在幾乎所有電機驅動、電動汽車、快速充電器和可再生能源系統中,都會配備低功耗輔助電源。雖然相比于主要的功率級,此類電源通常受到的關注較少,但它們仍是幫助系統高效運行的關鍵組成部分。提高系統可靠性、減小系統尺寸以及縮減系統成本,同時最大限度地降低風險并支持多源采購——設計人員不斷面臨這些經常相互矛盾的挑戰。Wolfspeed 推出的工業級 C3M0900170x 和獲得車規級認證 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 產品系列,可在 20 至 200 W 范圍內增強輔助電源的
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Wolfspeed MOSFET 輔助電源系統
安森美具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET,特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用,如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅(SiC)優異的材料特性和 JFET 的高效結構,可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能,非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。SiC Combo JFET 技術概覽對于需要常關器件的應用,可以將低壓硅(Si) MOSFET與常開碳化硅(SiC) JFET串聯使用,以創建共源共柵(cascode)結構。在這種設置中,SiC JFET負責處理
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安森美 SiC Combo JFET
安森美具有卓越 RDS(on)*A 性能的 SiC JFET,特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用,如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅(SiC)優異的材料特性和 JFET 的高效結構,可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能,非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。SiC Combo JFET技術概覽對于需要常關器件的應用,可以將低壓硅(Si) MOSFET與常開碳化硅(SiC) JFET串聯使用,以創建共源共柵(cascode)結構。在這種設置中,SiC JFET負責處理高
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SiC Combo JFET 安森美
之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiC? MOSFET G2的產品特點及導通特性 (參考閱讀: CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述 , CoolSiC? MOSFET G2導通特性解析 ) ,今天我們分析一下在軟開關和硬開關兩種場景下,如何進行CoolSiC? MOSFET G2的選型。G2在硬開關拓撲中的應用除了R DS(on) ,開關損耗在SiC MOSFET的選型中也扮演著非常重要的角色。因為SiC往往工
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英飛凌 MOSFET
全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)今日宣布,搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊,已應用于豐田汽車公司(TOYOTA MOTOR CORPORATION.,以下簡稱“豐田”)面向中國市場的全新跨界純電動汽車(BEV)“bZ5”的牽引逆變器中?!癰Z5”作為豐田與比亞迪豐田電動車科技有限公司(以下簡稱“BTET”)、一汽豐田汽車有限公司(以下簡稱“一汽豐田”)聯合開發的跨界純電動汽車,由一汽豐田于2025年6月正式發售。此次采用的功率模塊由羅姆與正海集團的合資企業——上海海姆希科
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羅姆 SiC MOSFET 豐田 純電車型
在10kW-50kW中高功率應用領域,SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現并存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活并聯擴容能力突圍——當單管功率不足時,只需并聯一顆MOSFET即可實現功率躍升,為工業電源、新能源系統提供模塊之外的革新選擇。然而,功率并非是選用并聯MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的,并聯還可以降低開關能耗,改善導熱性能??紤]到熱效應對導通損耗的影響,并聯功率開關管是降低損耗、改善散熱性能和提高輸出功率的有效辦法。然而,并非所有器件都適合并聯, 因為參數差異會影響均流特性。本文
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意法半導體 SiC MOSFET
安森美推出了具有卓越 R DS(on) *A 性能的 SiC JFET。 該器件特別適用于需要大電流處理能力和較低開關速度的應用,如固態斷路器和大電流開關系統。得益于碳化硅(SiC)優異的材料特性和 JFET 的高效結構,可實現更低的導通電阻和更佳的熱性能,非常適合需要多個器件并聯以高效管理大電流負載的應用場景。本文為第一部分,將介紹SiC Combo JFET 技術概覽、產品介紹等。SiC Combo JFET 技術概覽對于需要常關器件的應用,可以將低壓硅(Si) MOSFET與常開
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安森美 SiC Combo JFET
東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術,并采用緊湊型DFN8×8封裝,適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件,與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比,其體
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東芝 DFN8×8 650V SiC MOSFET
MOSFET因其獨特的性能優勢,已成為模擬電路與數字電路中不可或缺的元件,廣泛應用于消費電子、工業設備、智能手機及便攜式數碼產品中。其核心優勢體現在三個方面:驅動電路設計簡化,所需驅動電流遠低于BJT,可直接由CMOS或集電極開路TTL電路驅動;開關速度優異,無電荷存儲效應,支持高速工作;熱穩定性強,無二次擊穿風險,高溫環境下性能表現更穩定。這些特性使MOSFET在需要高可靠性、高效率的場景中表現尤為突出。近年來,隨著汽車、通信、能源、消費、綠色工業等大量應用MOSFET產品的行業在近幾年來得到了快速的發
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MOSFET
全球先進的太陽能發電及儲能系統技術的專業企業SMA Solar Technology AG(以下簡稱“SMA”)在其太陽能系統新產品“Sunny Central FLEX”中采用了內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊。“Sunny Central FLEX”是為大規模太陽能發電設施、儲能系統以及下一代技術設計的模塊化平臺,旨在進一步提高電網的效率和穩定性。羅姆半導體歐洲總裁Wolfram Harnack表示:“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實
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羅姆 ROHM SiC MOSFET 功率模塊 太陽能
Infineon Technologies 開發了用于固態保護和配電設計的新型碳化硅 JFET 系列。這是繼 2012 年推出的 1200V 4mΩ SiC JFET 系列之后的又一產品。JFET 通過反向偏置 PN 結上的電場來控制電導率,而不是 MOSFET 中使用的絕緣層上的橫向電場。G1“第一代”CoolSiC JFET 具有 1.5 mΩ (750 V BDss) 和 2.3 mΩ (1200 V BDss) 的超低 R DS(ON),可顯著降低導通損耗。大體通道優化的 SiC JFET 在短路
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英飛凌 SiC JFET 固態配電
引言碳化硅( SiC)MOSFET在電源和電力電子領域的應用越來越廣泛。隨著功率半導體領域的發展,開關損耗也在不斷降低。隨著開關速度的不斷提高,設計人員應更加關注MOSFET的柵極驅動電路,確保對MOSFET的安全控制,防止寄生導通,避免損壞功率半導體。必須保護敏感的MOSFET柵極結構免受過高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護解決方案,有助于最大限度地延長電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。 柵極驅動器設計措施關于SiC-MOSFET驅動器電路的穩健性,有幾個問題值得考慮。除了驅動器安全切換半導
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碳化硅 MOSFET 電源 功率半導體
近日,為推動下一代固態配電系統的發展,英飛凌科技股份公司正在擴展其碳化硅(SiC)產品組合,推出了新型CoolSiC? JFET產品系列。新系列產品擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性,使其成為先進固態保護與配電系統的理想之選。憑借強大的短路能力、線性模式下的熱穩定性以及精確的過壓控制,CoolSiC? JFET可在各種工業和汽車應用中實現可靠且高效的系統性能,包括固態斷路器(SSCB)、AI數據中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機軟啟動器、工業安全繼電器以及汽車電池隔離開關等。英飛凌科技零碳工業功率
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英飛凌 CoolSiC JFET 固態配電
以Vishay SiE848DF的數據手冊圖作為參考示例,這是一款采用 PolarPAK? 封裝的 N 溝道 30 V 溝槽功率 MOSFET。MOSFET 的封裝限制為 60A 和 25°C。阻斷電壓是多少?阻斷電壓 BVDSS 是可以施加到 MOSFET 的最大電壓。當驅動感性負載時,這包括施加的電壓加上任何感性感應電壓。對于感性負載,MOSFET 兩端的電壓實際上可以是施加電壓的兩倍。MOSFET 的雪崩特性是什么?這決定了 MOSFET 在雪崩條件下可以承受多少能量。如果超過最大漏源電壓并且電流沖
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電源管理 MOSFET 功率MOSFET
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