日前，Vishay宣布推出兩款MICRO FOOT功率MOSFET --- Si8461DB和Si8465DB，最大尺寸為1mm x 1 mm x 0.548mm，是迄今為止業界最小的芯片級功率MOSFET。
在種類繁多的便攜式設備中，20V的P溝道Si8461DB和Si8465DB可用于負載開關、電池開關和充電開關應用。器件的小尺寸和薄厚度有助于減少電源管理電路所占用的空間，以及/或是實現更多的功能。與市場上尺寸與之最接近的芯片級功率MOSFET相比，1mm x 1mm x 0.548mm的M
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Vishay MOSFET Si8461DB Si8465DB
全球領先的高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ8FL及SOIC-8封裝， 為計算機和游戲機應用中的同步降壓轉換器提供更高的開關性能。
新系列的MOSFET利用安森美半導體獲市場驗證的溝槽技術，提供優異的導通阻抗[RDS(on)]及更高的開關性能，用于個人計算機(PC)、服務器、游戲機、處理器穩壓電源
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安森美 MOSFET 溝槽 同步降壓轉換器
本文詳細分析計算開關損耗，并論述實際狀態下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關斷的過程，從而使電子工程師知道哪個參數起主導作用并更加深入理解MOSFET。
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MOSFET 開關損耗
1 引言
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不均 問題 探究 分配 電流 管并聯 應用 MOSFET
1. 引言
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MOSFET 射頻功率 功率放大器
隨綠色經濟的興起，節能降耗已成潮流。在現代化生活中，人們已離不開電能。為解決“地球變暖”問題，電能消耗約占人類總耗能的七成，提高電力利用效率被提至重要地位。
據統計，60%至70%的電能是在低能耗系統中使用的，而其中絕大多數是消耗于電力變換和電力驅動。在提高電力利用效率中起關鍵作用的是功率器件，也稱電力電子器件。如何降低功率器件的能耗已成為全球性的重要課題。
在這種情況下，性能遠優于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人們青睞。SiC器件耐高溫(工作溫度和環境
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豐田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
全球節能環保意識高漲使得高效、節能產品成為市場發展的主流趨勢。相應地，電源|穩壓器管理IC、MOSFET芯片等功率器件也被越來越多的應用到整機電子產品中。在功率器件產品中，MOSFET的市場需求增長最快。據分析機構數據顯示，盡管受全球金融危機影響， 2008年，中國MOSFET市場需求量為198.2億個，仍比2007年增長了11.9%。
在應用方面，目前消費電子已成為MOSFET最大的應用市場，這主要得益于MOSFET在便攜式產品、LCD TV等消費電子產品中的廣泛應用。其次，是計算機、工業控制
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Fairchild MOSFET 穩壓器
引言歐盟部長理事會已經執行RoHS指令(在電子電氣設備中限制使用某些有毒有害物質指令)以及WEEE指...
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MOSFET 綠色 塑料封裝
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出AUIRS2016S 器件，適用于汽車柵極驅動應用，包括通用噴軌、柴油和汽油直噴應用，以及螺線管驅動器。
AUIRS2016S是一款高電壓功率MOSFET高側驅動器，具有內部電壓尖峰對地 (Vs-to-GND) 充電 NMOS。這款器件的輸出驅動器配備一個250mA高脈沖電流緩沖級。相關溝道能夠在高側配置中驅動一個N溝道功率MOSFET，可在高于地電壓達150V的條
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IR MOSFET 驅動器 AUIRS2016S
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 為服務器、刀片式服務器和路由器的設計人員帶來業界首款RDS(ON) 低于1 mOhm的30V MOSFET器件，采用Power 56封裝，型號為 FDMS7650。FDMS7650 可以用作負載開關或ORing FET，為服務器中心 (server farm) 在許多電源并行安排的情況下提供分擔負載功能。FET的連續導通特性，可降低功耗和提高效率，以提升服務器中心的總體效率。FDMS7650 是首款采用 Power56 封裝以突破1
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Fairchild MOSFET FDMS7650
飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor)為電源、照明、顯示和工業應用的設計人員帶來SupreMOS?新一代600V超級結MOSFET系列產品。包括具有165mΩ最大阻抗的 FCP22N60N、FCPF22N60NT 和 FCA22N60N，以及具有199mΩ最大阻抗的FCP16N60N和FCPF16N60NT。SupreMOS?系列器件兼具低RDS (ON) 和低總柵極電荷，相比飛兆半導體的600V SuperFET&trade
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Fairchild MOSFET SupreMOS SuperFET
在美國，工業應用領域AC電機所用的電能占全國的2/3以上。在許多應用中，AC電機或被關斷或以全速運作，而通過為電機添加變速控制功能，就能夠在標準開啟/關斷控制下實現顯著節能。用混合信號FPGA來實現高效率AC電機控制系統，可大幅降低電機的功耗。
電機無處不在
今天，電機用于各類應用中，然而，很少有人意識到電機在使用中對環境帶來怎樣的影響。專家估計，在美國，電機所消耗的電能約占總發電量的50%。從全球范圍看，AC電機功耗占工業應用的70%，占商業應用電能的45%，占住宅應用電能的42%。
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FPGA PWM MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出一系列獲得工業認證的30V TO-220 HEXFET功率MOSFET，為不間斷電源 (UPS) 逆變器、低壓電動工具、ORing應用和網絡通信及和服務器電源等應用提供非常低的柵極電荷 (Qg) 。
這些堅固耐用的MOSFET采用IR最新一代的溝道技術，并且通過非常低的導通電阻 (RDS(on)) 來減少散熱。此外，新器件的超低柵極電荷有助于延長不間斷電源逆變器或電動工具的電池壽命。
IR亞洲區銷售副總裁
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IR MOSFET UPS 溝道
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)宣布推出1mm x 1mm WL-CSP封裝20V P溝道MOSFET器件FDZ371PZ，該器件設計采用飛兆半導體的專有PowerTrench® 工藝 技術，為手機、醫療、便攜和消費應用設計人員帶來業界最低RDS(ON) 值(-4.5V下為75m?) ，能夠最大限度地減小傳導損耗。通過降低損耗，FDZ371PZ能夠提高便攜設計的效率，并延長電池壽命。FDZ371PZ還可提供4.4kV的穩健ESD保護功能，以保護器件免受ESD事件
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Fairchild MOSFET PowerTrench FDZ371PZ
D類放大器的應用范圍非常廣泛，隨著技術的成熟，目前已進入大規模普及階段。針對其在器件成本、EMI等方面的問題，業內企業也提出了多種解決方案。
D類放大器技術是三四年前被業內熱議的新技術，目前它已進入大規模普及階段。業界正在積極解決應用普及過程中的問題，如EMI(電磁干擾)、成本和效率等。與此同時，集成技術也是一個不容忽視的趨勢。
轉入大規模普及階段
三四年前，D類放大器在業界掀起了一個新技術的小高潮。D類放大器采用脈沖調制方式將輸入信號轉換為數字脈沖，由MOSFET進行放大，再通過低
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ADI D類放大器 MOSFET EMI
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