- 環境污染、溫室效應、不可再生能源日趨枯竭……這些日益威脅人類生存的難題已經使全球有識之士認識到節能減排提高能效是未來科學技術活動一項長期的任務。正如英飛凌科技奧地利有限公司全球開關電源高級市場經理Thomas Schmidt所言：“能效不僅是個時髦詞匯，更是一個全球挑戰！”如何應對這項挑戰？各個半導體紛紛從半導體器件入手，幫助系統公司提升電源效率，這方面，英飛凌近年來動作頻頻，近日，英飛凌公司高調發布其最新的OptiMOS 3系列低壓MOSFET，并
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英飛凌 半導體 OptiMOS MOSFET 導通電阻 CanPAK封裝 DirectFET封裝 電源管理
- 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) ，推出專為筆記本電腦、服務器CPU電源、圖形，以及記憶體穩壓器應用的同步降壓轉換器設計而優化的全新30V DirectFET MOSFET系列。
新器件系列結合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術與先進的DirectFET封裝技術，比標準SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設計。新一代30V器件的導通電阻 (
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IR 同步降壓 轉換器 MOSFET
- Zetex?Semiconductors（捷特科）推出一款驅動MOSFET的專用整流器控制器，從而使?50?至?150W?的同步反激式轉換器成為完美的二極管。ZXGD3101?可使設計人員以表面貼裝?MOSFET?取代有損耗的肖特基二極管，以實現更高的效率、更少的發熱量，縮小電源尺寸和重量，同時簡化整體電路設計。
ZXGD3101?有“零點檢測器驅動器”之稱，能準確檢測達到零點
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Zetex 捷特科 MOSFET 整流器 控制器
- ??????? 2008年5月27日，國際整流器公司 (International Rectifier) 推出專為筆記本電腦、服務器CPU電源、圖形，以及記憶體穩壓器應用的同步降壓轉換器設計而優化的全新30V DirectFET MOSFET系列。
新器件系列結合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技術與先進的DirectFET封裝技術，比標準SO-8器件的占位面積小40%，而且采用了0.7mm纖薄設計。新一代30V器
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國際整流器 同步降壓轉換器 MOSFET
- 車上所使用的燈泡到繼電器、從LED顯示照明到起動馬達，許多組件的多元應用，不僅提供了各式各樣的高負載性、低成本效益的解決方案，另外也必須兼具注重安全性汽車所要求的通訊及診斷能力。因此，為了增加車上電子系統的可靠性及耐久性，除了降低維修成本之外，設計人員在功率器件中加入故障保護電路，才能避免組件發生故障，降低電子系統所造成損害。
另外，在一般汽車行駛的情況下，一旦出現了車上的組件出現故障狀況，將導致汽車上的電路系統發生短路，或電源無法供電。在遠程傳感器中采用車用金屬氧化半導體場效晶體管（Metal
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MOSFET 安全系統
- MOSFET的開關軌跡線是判斷MOSFET開關過程“軟硬”程度的重要評估指標，MOSFET的軟硬程度對于開關電源的性...
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MOSFET 損耗 開關 動態 截至 飽和
- Intersil公司宣布推出高頻 6A 吸入電流同步（sink synchronous） MOSFET 柵極驅動器 ISL6615 和 ISL6615A 。這些新器件有助于為系統安全提供更高的效率、靈活性和更多的保護功能。
Intersil 公司此次推出的新型驅動器增加了柵極驅動電流（ UGATE 的流出和吸入柵極驅動電流為 4A ，LGATE 的吸入和流出電流則分別為 6A 和 4A ），可以縮短柵極電壓上升、下降時間。這將最大限度地降低開關損耗并改善效率，尤其是在每相并聯功率MOSFET 的
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Intersil MOSFET 驅動器 柵極驅動電流
- 大功率線性射頻放大器模塊廣泛應用于電子對抗、雷達、探測等重要的通訊系統中，其寬頻帶、大功率的產生技術是無線電子通訊系統中的一項非常關鍵的技術。隨著現代無線通訊技術的發展，寬頻帶大功率技術、寬頻帶跳頻、擴頻技術對固態線性功率放大器設計提出了更高的要求，即射頻功率放大器頻率寬帶化、輸出功率更大化、整體設備模塊化。
通常情況下，在HF~VHF頻段設計的寬帶射頻功放，采用場效應管(FET)設計要比使用常規功率晶體管設計方便簡單，正是基于場效應管輸入阻抗比較高，且輸入阻抗相對頻率的變化不會有太大的偏差，易
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放大器 寬帶射頻 MOSFET
- Zetex Semiconductors (捷特科) 推出全新ZXGD3000雙極柵極驅動器系列，用于開關電源和電機驅動器中的MOSFET及IGBT。低成本的ZXGD3000系列能灌入高達9A的電流，柵極電容的充、放電速度比柵極驅動器IC更快，有助于加快開關時間，提高電路效率。
該系列包含4款高速非反向柵極驅動器，電源電壓范圍為12V至40V。其快速開關射極跟隨器配置，實現了小于2ns的傳播延遲和大約10ns的上升/下降時間，有效改善了對MOSFET開關性能的控制。ZXGD3000還能防止鎖定，
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Zetex ZXGD3000 MOSFET IGBT
- 電子系統常常要求其輸入電路或輸出電路必須與主控回路的進行隔離,比如在醫療產品中，基于安全性考慮，連接到病人身上的輸入傳感器或激勵源必須與后級處理電路隔離,當然需要隔離的應用場合還很多，如采集爆炸現場參數的電路同樣需要與后級完全隔離，等等。
在這些應用中,通常需要采集被隔離電路的數字線上的一些狀態參數, 傳統的辦法是采用光耦得以實現.然而采用光耦有許多局限性:首先,它要消耗隔離端電路許多電流,其次轉換時間長(或動態響應慢)，再者,隨著光發射器老化，其光電轉換增益將隨時間減小。
采用圖1所示電
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Maxim MOSFET RC DATA_IN
- AB類輸出級精度不高可能有下列幾個原因：
·柵極閾值電壓變化與VGS溫度系數變化引起的MOSFET與雙極管間相對溫度系數的失配。
·輸出器件與檢測器件間耦合的延遲與衰減。
·驅動器工作在不同的溫度。
·調整單個放大器偏壓時存在誤差。
·老化引起的閾值電壓長期漂移。
鑒于上述原因，自然想用控制環來替代VBE放大器，前者基于偏置電流本身的反饋；而后者只是一種誤差反饋。新設計由下列三部分構成；偏置電流檢
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MOSFET 自偏壓電路
- 對于電路需要 3.3V 及更低電壓的應用，負載點 (POL) 轉換器已發展成為面向這些應用的廣受歡迎的解決方案。對此類電壓水平的需求源自對更低內核電壓的要求，這樣即使功率保持相同, 對這些轉換器的電流要求將會很明顯地增加。
自引入 POL 理念以來已建議并使用了許多不同的配置，當前尚沒有將高壓(例如 48V)逐步降低到 0.9V 低壓的確定策略。過去使用傳統分布式功率架構 (DPAs) 從單個“前端轉換器”(圖1)提供所有所需的電壓水平。在固定電信應用中，48V 的輸
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POL MOSFET
- 恩智浦半導體（NXP Semiconductors）發布了全新的小信號MOSFET器件系列，新產品采用了全球最小封裝之一的SOT883進行封裝。恩智浦SOT883 MOSFET面積超小，僅為1.0 x 0.6毫米，與SOT23相比，功耗和性能不相上下，卻只需占據14%的印刷電路板空間。SOT883 MOSFET針對眾多應用而設計，包括DC/DC電源轉換器模塊、液晶電視電源以及手機和其他便攜設備的負載開關。SOT883 MOSFET具有超小的面積、0.5毫米的超薄厚度、最佳的開關速度和非常低的Rds(on)
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MOSFET
- “MOSFET”是英文MetalOxide Semicoductor Field Effect Transistor的縮寫，譯成中文是“金屬氧化物半導體場效應管”。它是由金屬、氧化物(SiO2或SiN)及半導體三種材料制成的器件。所謂功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能輸出較大的工作電流(幾安到幾十安)，用于功率輸出級的器件。
MOSFET共有三個腳，一般為G、D、S，通過G、S間加控制信號時可以改變D、S間的導通和截止。功率MO
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MOSFET
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