- 一、場效應管的工作原理- -概念
場效應管(FET)是場效應晶體管(field-effect transistor)的簡稱，由于它僅靠半導體中的多數載流子導電，也稱為單極性場效應管，是一種常見的利用輸入回路的電場效應來控制輸出回路電流的一種電壓控制性半導體器件，場效應管不但具有雙極性晶體管體積小、重量輕、壽命長等優點，而且輸入回路的內阻高達107~1012Ω，噪聲低，熱穩定性好，抗輻射能力強，且比后者耗電省，這些優點使之從20世紀60年代誕生起就廣泛地應用于各種電子電路之中。
二、
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場效應管 MOS JFET 場效應管工作原理
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一對1A額定值的40V緊湊型柵極驅動器ZXGD3009E6及ZXGD3009DY，旨在控制板上和嵌入式電源以及電機驅動電路的高電流功率MOSFET。ZXGD3009E6 (采用SOT26封裝) 和 ZXGD3009DY (采用SOT363封裝) 可縮減MOSFET的開關時間，有助于盡量降低開關損耗、改善功率密度，以及提升整體轉換效率。
新驅動器作為低功率控制IC的高增益緩沖級，能夠從僅10mA的輸入電流提供500mA的典型驅動電流
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Diodes 驅動器 MOSFET
- 領先的高性能集成電路和系統解決方案提供商Exar公司，即日宣布發布一款6V至40V的工作電壓范圍，四路輸出可編程通用PMIC-XR77129。其專利性的控制架構，采用17-bit寬PID電壓型輸入前饋方式，非常適合40V輸入電壓范圍。該控制器提供單輸入電壓，四路輸出電壓軌，降壓式控制器內部集成MOSFET門極驅動和雙LDO輸出該產品還可以通過I2C總線實時監測電源狀態，動態控制輸出電壓參數。五個可配置GPIO可以用于狀態指示和時序控制，以加速電源系統設計。
XRP77129使用Exar設計工具P
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MOSFET SMBus LDO
- 第一代半導體材料Si點燃了信息產業發展的“星星之火”，而Si材料芯片也成就了“美國硅谷”高科技產業群，促使英特爾等世界半導體巨頭的誕生，95%以上的半導體器件和99%以上的集成電路都是由Si材料制作。
目前全球40%能量作為電能被消耗，而電能轉換最大耗散是半導體功率器件。曾經的“中流砥柱”Si功率器件已日趨其發展的材料極限，難以滿足當今社會發展對于高頻、高溫、高功率、高能效、耐惡劣環境以及輕便小型
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LED SiC MOSFET
- I.引言
高效率已成為開關電源(SMPS)設計的必需要求。為了達成這一要求，越來越多許多功率半導體研究人員開發了快速開關器件，舉例來說，降低器件的寄生電容，并實現低導通電阻，以降低開關損耗和導通損耗。這些快速開關器件容易觸發開關瞬態過沖。這對SMPS設計中電路板布局帶來了困難，并且容易引起了柵極信號振蕩。為了克服開關瞬態過沖，設計人員通常采取的做法是借助緩沖電路提高柵極電阻阻值，以減慢器件開關速度，抑制過沖，但這會造成相對較高的開關損耗。對于采用標準通孔封裝的快速開關器件，總是存在效率與易用性的
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寄生電感 MOSFET
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出40V額定值的動態OR'ing控制器ZXGD3108N8，以提升電信系統、數據中心及服務器不間斷電源的可靠性。新產品旨在全面改善超低導通電阻功率MOSFET，從而替代耗能的肖特基 (Schottky) 阻斷二極管，有效降低工作溫度并加強不間斷電源系統的完整性。
新控制器通過以這種方式驅動MOSFET，同時提升標準12V和24V共軌系統的整體系統效率。與其它同類型器件相比，ZXGD3108N8提供最低的關斷電壓閾值。器件的電壓少于-
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Diodes MOSFET ZXGD3108N8
- 東芝公司旗下的半導體&存儲產品公司今天宣布推出40V電壓功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)“U-MOS IX-H”系列。相比東芝傳統的U-MOS VI-H系列，新系列減少了76%的導通電阻，實現業界頂級的低導通電阻[1]。此外，它還減少了Qoss[2]的增加，從而提高開關電源的效率。樣品出貨即日起啟動。
注：
·[1]截至2014年11月4日。東芝調查。
·[2]Qoss：輸出電荷。
主要特性
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東芝 MOSFET 低導通電阻
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出采用高性能4×5 PQFN 功率模塊封裝的IRFH4257D FastIRFET 雙功率MOSFET。這項新的封裝拓展了IR的功率模塊系列的功能，使其可用于更低功率的緊湊型設計，適合12V輸入DC-DC同步降壓應用，包括先進的電信和網絡通信設備、服務器、顯示適配器、臺式電腦、超極本 (Ultrabook) 及筆記本電腦等應用。
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國際整流器 MOSFET DC-DC
- 8寸晶圓代工產能卡位戰提前啟動，法人指出，聯電8寸廠能已被指紋辨識芯片、LCD驅動IC，以及電源管理IC客戶搶購一空，明年將成為8寸晶圓代工大贏家。
過往8寸晶圓廠主要生產LCD驅動IC、電源管理芯片等產品，隨著蘋果新機導入指紋辨識芯片，非蘋陣營明年全面跟進，相關芯片廠也開始卡位8寸晶圓產能，造就市場榮景。
此外，原以6寸生產金屬化合物半導體場效晶體管(MOSFET)也為了提升競爭力，相繼轉入8寸廠生產，讓8寸晶圓廠產能更為吃緊。
包括指紋辨識芯片、LCD驅動IC及電源管理芯片三大半
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聯電 MOSFET LCD
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 5A、42V 輸入同步降壓型開關穩壓器 LT8640。該器件采用獨特的 Silent Switcher® 架構，整合了擴展頻譜調制，即使開關頻率超過 2MHz 時，依然能夠將 EMI / EMC 輻射降低超過 25dB，從而使該器件能夠輕松地滿足汽車 CISPR25 Class 5 峰值限制要求。同步整流在開關頻率為 2MHz 時可提供高達 95% 的效率。其 3.4V 至 42V 輸入電壓范圍使該器件非常適合
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凌力爾特 LT8640 MOSFET
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出符合 MIL-STD-1275D 要求的浪涌抑制器解決方案，并展示在評估電路板 DC2150A 上。MIL-STD-1275D 是美國國防部制定的標準，規定了地面軍用車輛所用 28V DC 電源的穩態和瞬態電壓特性。當面對 MIL-STD-1275D 中嚴格規定的浪涌、尖峰和紋波波形時，DC2150A 可將輸出電壓限制到安全的 44V。就大多數應用而言，要滿足該標準就是簡單地將 DC2150A 電路放置到容限為 44V
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凌力爾特 DC2150A MOSFET
- 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 近日針對鋰離子電池保護應用推出配備IR最新低壓MOSFET硅技術的一系列器件，包括IRL6297SD雙N通道DirectFET MOSFET。
全新功率MOSFET具有極低的導通電阻，可大幅減少導通損耗。產品可作為N通道及P通道配置的20V和30V器件，最高柵極驅動從12 Vgs起，非常適合包含了兩個串聯電池的電池保護電路。IRL6297SD
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IR MOSFET IRL6297SD
- 意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的最新超結 (super-junction) 功率MOSFET滿足家電、低能源照明系統以及太陽能微逆變器廠商對電源能效的要求，同時提供更高可靠性的最新且滿足高功率密度的封裝。
MDmesh M2系列產品擁有最新最先進的超結晶體管技術，取得了比上一代產品更低的導通電阻 (RDS(ON))，以及更低的柵電荷量 (QGD) 和輸入/輸出電容 (Ciss/Coss)。此外，這些產品更進一步降低了能耗和熱耗散 (heat dissipation)
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意法半導體 MOSFET PowerFLAT
- 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)慶祝羅塞塔號彗星探測器(Rosetta)及其菲萊號登陸器(Philae)成功登陸彗星。羅塞塔號和菲萊號內有10,000余顆意法半導體研制的高可靠性抗輻射芯片。
在歷經10多年，長達60億公里的漫長太空之旅后，羅塞塔號彗星探測器終于抵達并成功釋放菲萊號登陸器登上67P/楚留莫夫-格拉希門克(67P Churyumov-Gerasimenko)彗星，菲萊號登陸器將完成拍攝彗星表面的圖片，并分析彗星
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意法半導體 MOSFET
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