日前，德州儀器 (TI) 宣布推出支持小于100uA、業界最低靜態電流的700V轉換開關，其功耗是現有解決方案的一半，這進一步壯大了 TI 面向離線AC/DC設計的高電壓電源解決方案陣營。該UCC28880控制器高度集成700V 功率 MOSFET和高電壓電流電源，可幫助輸出電流高達100mA的常通電非隔離式電源系統提升整體能源效率，且充分滿足智能電表、家庭自動化設備以及大型家用電器等應用需求。如欲了解更多詳情，敬請訪問：www.ti.com.cn/ucc28880-pr-cn。
TI高電壓電源
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德州儀器 AC/DC MOSFET
如何為開關電源電路選擇合適的元器件和參數?
很多未使用過開關電源設計的工程師會對它產生一定的畏懼心理，比如擔心開關電源的干擾問題、PCB layout問題、元器件的參數和類型選擇問題等。其實只要了解了，使用開關電源設計還是非常方便的。
一個開關電源一般包含有開關電源控制器和輸出兩部分，有些控制器會將MOSFET集成到芯片中去，這樣使用就更簡單了，也簡化了PCB設計，但是設計的靈活性就減少了一些。
開關控制器基本上就是一個閉環的反饋控制系統，所以一般都會有一個反饋輸出電壓的采樣電路以及
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開關電源 PCB MOSFET
凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出超低靜態電流 (IQ) Hot SwapTM (熱插拔) 控制器LTC4231，該器件允許電路板或電池安全地從 2.7V 至 36V 系統中插入和拔出。LTC4231 控制一個外部 N 溝道 MOSFET，以平緩地給電路板電容器加電，從而避免瞬態放電、連接器損壞和系統干擾。器件在正常工作時靜態電流僅為 4µA，在停機模式則降至 0.3µA。為確保低電流工作，欠壓和過壓阻性分壓器連接至一個選通接地，
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凌力爾特 MOSFET LTC4231
摘要：本文介紹了常見的幾種在汽車車身上的電機應用，包括直流有刷電機控制，有霍爾/無霍爾直流無刷電機控制和永磁同步電機控制，不論是哪一種電機控制方案，英飛凌公司推出的基于ARM內核的Embedded Power IC都是最理想的選擇。
引言
隨著電機在汽車上的廣泛應用，如何降低能耗，減少噪音，成了工程師們面臨的新難題，傳統的電動油泵、電動水泵和散熱風扇由繼電器控制直流電機的開通或者關斷，不能進行調速，在怠速狀況時電機仍然高速運轉，如果采用脈寬調制控制的直流電機或者三相電機，則可以在不同的工況
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英飛凌 ARM 電機控制 MOSFET 微控制器 201409
啟動一個硬件開發項目，原始的推動力會來自于很多方面，比如市場的需要，基于整個系統架構的需要，應用軟件部門的功能實現需要，提高系統某方面能力的需要等等，所以作為一個硬件系統的設計者，要主動的去了解各個方面的需求，并且綜合起來，提出最合適的硬件解決方案。比如A項目的原始推動力來自于公司內部的一個高層軟件小組，他們在實際當中發現原有的處理器板IP轉發能力不能滿足要求，從而對于系統的配置和使用都會造成很大的不便，所以他們提出了對新硬件的需求。根據這個目標，硬件方案中就針對性的選用了兩個高性能網絡處理器，然后還
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硬件設計 Linear MOSFET
封裝的創新非常重要，尤其是在設計適用于支持更大電流的新一代便攜式設計所需的超薄的MOSFET時更顯得不可或缺。
計算機、工業及電信領域的電源應用設計人員通常使用分立式 MOSFET 支持更高的軌道電路，以提升電源效率，但其難點是如何設計出盡可能小的外形尺寸。現在，設計人員可通過與德州儀器(TI)最新電源模塊 II 系列的同步 NexFET™ 電源雙管 MOSFET結合，同時實現高效率、低導通電阻以及業界最小尺寸的效果。
最新超薄電源塊 II 器件不僅可使產品變得更密集，同時還可
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MOSFET 封裝 NexFET
氮化鎵(eGaN?)功率晶體管繼續為電源轉換應用設定業界領先的性能基準。由于氮化鎵器件具有更低的導通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能，因此使得功率轉換器可實現超過98%的效率。
宜普電源轉換公司宣布推出六個新一代功率晶體管及相關的開發板。這些由30 V至200 V的產品在很多應用可大大降低導通電阻(RDS(on))并可增強輸出電流性能，例如具高功率密度的直流-直流轉換器、負載點(POL)轉換器、直流-直流及交流-直流轉換器的同步整流器、馬達驅動器、發光二極管照明及工業自動化等廣
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宜普 EPC MOSFET
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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DC/DC轉換器 寬電流 MOSFET 集成型穩壓器
全球功率半導體和管理方案領導廠商——國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR)推出汽車級COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403，適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車應用，包括泵電機控制和車身控制等。 使用緊湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403，是IR運用該公司最先進的COOLiRFET 40V溝道技術的全新器件系列的首款產品，具有3.3 mΩ超低導通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長管腳，管腳的端口通過電鍍進行焊接，從而
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IR MOSFET COOLiRFET
]新日本無線的MEMS傳感器累計出貨量突破1億枚，這是新日本無線執行董事兼電子元器件事業部長村田隆明先生今年來訪時帶來的最新消息，同時在SAW濾波器、MOSFET、光電半導體器件、功率半導體器件和最新型運算放大器等各個方面都有了長足的進步。
記得去年七月份村田隆明來到本刊時，詳細介紹了新日本無線將向綜合電子元器件供應商轉型的發展戰略，而今表明這一戰略轉型已經初步完成。
電子元器件業務已占贏收85%
縱觀新日本無線公司歷長達50多年的發展歷程，可以看到其業務構成主要是獨特的模擬技術和微
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MEMS MOSFET 濾波器
球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出大罐式DirectFET MOSFET系列，適用于要求極低導通電阻 (RDS(on)) 的工業應用，包括大功率直流電機，直流/交流逆變器，以及動態ORing熱插拔和電熔絲等大電流開關應用。
全新7mm x 9mm x 0.7mm大罐式封裝器件提供卓越的導通電阻性能，從而實現較低的導通損耗和更理想的系統效率。這款大罐式產品與中罐式和小罐式DirectFET器件相似，具備
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IR MOSFET DirectFET
最高性能的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014VLSI技術研討會上的研究人員們表示，未來，這種MOSFET將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長而成。
在一場由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產品展示中，美國加州大學圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的MOSFET──這種MOSFET是由在(InP)上的砷化銦鎵(InGaAs)所形成;這種
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III-V族 MOSFET
最高性能的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014 VLSI技術研討會上的研究人員們表示，未來，這種 MOSFET 將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長而成。
在一場由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產品展示中，美國加州大學圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的 MOSFET ──這種 MOSFET 是由在 (InP)上的砷化銦鎵(InGaA
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矽晶 MOSFET
功率器件一直都是由材料引導技術革新，硅材質的MOSFET已經應用多年，現在面臨在功率密度、工作溫度和更高電壓方面的技術挑戰，而解決這一問題最根本的辦法是采用更高性能的材料。
宜普電源轉換公司(EPC)是首家推出替代功率MOSFET器件的增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管的公司，他們希望借助技術優勢快速推廣其技術和產品，并于未來數年間取代硅功率MOSFET器件及IGBT，搶奪超過百億美元的功率轉換市場份額。
增強型氮化鎵(eGaN)場效應晶體管作為寬頻隙器件，其優勢包括具有更高功率密度、更
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MOSFET EPC eGaN 201406
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