- 近年來隨著介觀物理和納米電子學對散粒噪聲研究的不斷深入，人們發現散粒噪聲可以很好的表征納米器件內部電子傳輸特性。由于宏觀電子元器件中也會有介觀或者納米尺度的結構，例如缺陷、小孔隙和晶粒等，因而也會產生散粒噪聲，并且可能攜帶內部結構的信息。這使人們對宏觀電子元器件中散粒噪聲研究產生了極大的興趣。另一方面，隨著器件尺寸的不斷縮小，MOSFET器件中散粒噪聲成分也越來越顯著，已經嚴重影響器件以及電路的噪聲水平，人們必須要了解電子元器件中散粒噪聲的產生機理和特性，以便更好的抑制器件的散粒噪聲，實現器件和電路的
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MOSFET
- CISSOID公司推出第二代 HADES®，一款高度集成的隔離式柵極驅動器產品。HADES® 旨在面向基于快速開關碳化硅 (SiC) 晶體管、傳統功率 MOSFET 及 IGBT 的高密度功率轉換器、電機驅動器和致動器應用。憑借 CISSOID 產品無與倫比的耐用性，柵極驅動器 HADES® 在嚴酷的環境下可實現更高可靠性和更長的使用壽命，從而滿足系統設計者對航空、汽車、工業、石油和天然氣市場的應用需求。
HADES®包括氣密性陶瓷封裝和塑料封裝兩種，前者可以在溫
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CISSOID MOSFET
- 摘要：聯合收獲機凹板間隙的大小是影響聯合收獲機脫離質量的關鍵因素之一，本文設計了一款基于聯合收獲機的凹板結構，通過控制線性驅動器對凹板間隙進行自動調節的系統，實現了聯合收獲機凹板間隙自動調節，通過試驗研究結果表明：該系統調節方便實用，且調節精度在5%以內。
引言
谷物聯合收獲機的作業性能指標，主要包括總損失率、破損率和含雜率等。脫粒與分離滾筒是谷物聯合收獲機的重要工作部件。脫粒與分離滾筒由高速旋轉的滾筒和固定的弧型凹板配合，使谷物從滾筒與凹板之問通過，經脫粒元件的打擊、揉搓、碾壓和梳刷，通
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凹板間隙 CAN PWM MOSFET BTS7960 201504
- 摘要：本文通過對大唐恩智浦訪問，分析國產汽車電子現狀以及分析未來汽車電子發展現狀。
中國看世界，汽車電子是一個經久不衰的市場;而世界也在看中國, 中國是否已準備好在這個市場上大展宏圖?中國首個汽車半導體設計合資公司成立一年了，名稱為“大唐恩智浦半導體有限公司”(Datang NXP Semiconductors Co. Ltd.以下簡稱：大唐恩智浦)，占盡著天時、地利、人和，如何通過建立起新型合作模式，用全球的視角去贏取市場呢?通過與總經理張鵬崗的交流，使筆者對其創新理念
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大唐恩智浦 MOSFET 汽車電子 201504
- 繼電器是一種電控制器件，是當輸入量(激勵量)的變化達到規定要求時，在電氣輸出電路中使被控量發生預定的階躍變化的一種電器。它具有控制系統(又稱輸入回路)和被控制系統(又稱輸出回路)之間的互動關系。通常應用于自動化的控制電路中，它實際上是用小電流去控制大電流運作的一種“自動開關”。故在電路中起著自動調節、安全保護、轉換電路等作用。
極限條件下的時間繼電器設計方案
時間繼電器是一種使用在較低的電壓或較小電流的電路上，用來接通或切斷較高電壓、較大電流的電路的電氣元件，也許可
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PIC18F6585 MOSFET
- 全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild (NASDAQ: FCS)正在利用其擴展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴充產品系列幫助生產商提高產品可靠性和性能。 更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業內標準值的MOSFET高三倍。
這一新的ET MOSFET產品系列符合IPC-9592電源轉換標準，換言之，其最大結溫可高達150° C，超過標準150° C MOSFET能達到的125°
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Fairchild MOSFET
- 全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 正在利用其擴展溫度(ET)中壓MOSFET(能在175° C下工作)的擴充產品系列幫助生產商提高產品可靠性和性能。 更高的工作溫度將功率密度提高了85%，可靠性比額定值為150° C業內標準值的MOSFET高三倍。
這一新的ET MOSFET產品系列符合IPC-9592電源轉換標準，換言之，其最大結溫可高達150° C，超過標準150° C MOSFET能達到的125° C，使更大的設計裕量成
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Fairchild MOSFET
- 全球領先的高性能功率半導體解決方案供應商Fairchild 今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列，該系列提供廣泛的可選封裝并擁有業內最低的導通電阻 (Rdson) 和輸出電容 (Coss)。新系列幫助設計師提高高性能解決方案(需要 600V/650V 以上的擊穿電壓)的效率、成本效益和可靠性，同時通過減少元件的使用從而減少這些設計的電路板空間。
800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性，加上出色的效率和熱特性，使其成為各種應用的理想之選
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Fairchild MOSFET
- 摘要：在很多消費電子設備中用到了軟啟動電路與防反接電路，其保護作用非常顯著。多數的設計中，這兩種電路獨立存在，或者僅有一種保護電路，導致部分保護功能缺失或者電路設計復雜。本設計提出一種設計方法，同時實現軟啟動與防反接保護功能，且電路簡單。
軟啟動與防反接保護電路對電子設備有很好的保護作用，由于消費電子客戶存在多次開關機的應用場景和輸入接反的可能性。但是由于成本與電路設計的復雜性，很多設計中只提供了一種保護電路。本文基于提供全面保護與降低成本、降低設計復雜性的角度，提出一種電路，整合了軟啟動與防反
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保護電路 軟啟動 繼電器 MOSFET 反接電路 二極管 201503
- 摘要：本文針對傳統驅動電源電能損耗大、效率和智能化程度低的缺點，設計了一款適用于大功率LED路燈的高性能可智能控制型驅動電源。本文選擇了多級驅動方案，即功率因數校正(PFC)電路、LLC諧振控制電路和多路恒流輸出的三級式結構。本文采用合理的設計，優化了功率校正因數，增大了輸入電壓范圍，提高了整機效率，使輸出電流在全負載范圍內更加穩定，同時增加了PWM調光控制功能，可根據外界環境的變化智能控制LED路燈的亮度，從而達到進一步節能減排的效果。
引言
由于具有高光效、長壽命、燈具效率高、環保和易
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LED 驅動電源 PFC LLC PWM MOSFET 201503
- 意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST) 推出新款SCT20N120碳化硅功率MOSFET晶體管，其先進的能效與卓越的可靠性將為更多節能應用帶來技術優勢，包括純電動汽車和混合動力汽車的逆變器、太陽能或風力發電、高能效驅動器、電源以及智能電網設備。
意法半導體是業界少數具有高可靠性、高能效碳化硅功率半導體研發的領導廠商之一，并始終致力于技術的研發與升級。這次推出的1200V SCT20N120進一步擴大了碳化硅MOSFET產品系列，具有小于290m?的通態電阻 (RDS(ON
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意法半導體 SCT20N120 MOSFET
- 要普及LED燈具，不但需要大幅度降低成本，更需要解決技術性的問題。如何解決能效和可靠性這些難題，PowerIntegrations市場營銷副總裁DougBailey分享了高效高可靠LED驅動設計的心得。
一、不要使用雙極型功率器件
DougBailey指出由于雙極型功率器件比MOSFET便宜，一般是2美分左右一個，所以一些設計師為了降低LED驅動成本而使用雙極型功率器件，這樣會嚴重影響電路的可靠性，因為隨著LED驅動電路板溫度的提升，雙極型器件的有效工作范圍會迅速縮小，這樣會導致器件在溫度
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LED MOSFET
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出雙向MOSFET DMN2023UCB4，提供超卓的單電芯及雙電芯鋰電池充電保護。DMN2023UCB4的低導通電阻可降低功耗，纖薄的芯片級封裝則使設計人員能夠利用省下來的空間來提高電池容量。新產品的目標終端市場包括智能手機、平板電腦、照相機、便攜式媒體播放器，以及對其尺寸丶重量和電池壽命都至關重要的同類型消費性產品。
DMN2023UCB4的RSS(on) 少於26mΩ，旨在以最低的導通電阻來減低功耗。此外，其雙N通
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Diodes MOSFET
- 我曾經遇到過節假日有客人上門，必須跑到商店，在關門前挑選幾件物品的情況。我當時就意識到“跑”這個單詞會有多少種意思呢。我聽說單單作為動詞，他就有645個意思，并且還在不斷增加!表面上看起來很簡單的事情實際上會很復雜。想一想，功率MOSFET只有三個引腳(柵極、源極、漏極)。長假過后，當回到辦公室開始設計全新的電源管理熱插拔應用時，我想到看起來簡單的功率MOSFET會有多么復雜，還有就是在為熱插拔應用和功率轉換分別選擇一款MOSFET時會有什么不同。
熱插拔電路使用一個功率
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MOSFET 熱插拔控制器
- 日前，德州儀器 (TI) 推出其NexFET™ 產品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業界最低導通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應用于熱插拔和ORing應用。此外，TI面向低電壓電池供電型應用的新型12-V FemtoFET™ CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纖巧型封裝的情況下實現了比同類競爭器件低84% 的極低電阻。如需獲取更多信息、樣片或參考設計，敬請訪問：www.ti.co
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德州儀器 MOSFET CSD16570Q5B
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