- 德國紐倫堡，PCIM 2023 – 2023年5月9日訊 – 深耕于中高壓逆變器應用門極驅動器技術領域的知名公司Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出SCALE-iFlex? LT NTC系列IGBT/SiC模塊門極驅動器。新款門極驅動器適配于流行的100mmx140mm IGBT半橋模塊，例如Mitsubishi LV100 和 Infineon XHP 2，以及耐壓在2300V以內的碳化硅(SiC)衍生模塊。SCALE-iFlex LT NTC驅動器可提供負溫度系數
- 關鍵字：
Power Integrations IGBT SiC模塊 門極驅動器
- 緊湊的尺寸和不斷降低的系統成本是電力電子設計的開發者一直追求的目標。現在，由于家用電器消耗的能量不斷增加，從事此類應用的工程師還有一個目標：保持高功率因數(PF)。特別是空調，其額定功率為1.8kW或更大，是最耗電的設備之一。在這里，功率因數校正(PFC)是強制性的，對于PFC，設計者認為IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)是具有最高性價比的開關器件。緊湊的尺寸和不斷降低的系統成本是電力電子設計的開發者一直追求的目標。現在，由于家用電器消耗的能量不斷增加，從事此類應用的工程師還有一個目標：保持高功率因數(PF)
- 關鍵字：
快速開關 IGBT
- 4月24日，東芝電子元器件及存儲裝置株式會社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導體生產基地。施工將分兩個階段進行，第一階段的生產計劃在2024財年內開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓，以應對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經亞洲報道，東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產環節，布局完成后將形成：外延設備+外
- 關鍵字：
功率半導體 IGBT MOSFET SIC
- 賽米控丹佛斯（總部位于德國紐倫堡）和全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）在開發SiC（碳化硅）功率模塊方面，已有十多年的良好合作關系。此次，賽米控丹佛斯向低功率領域推出的功率模塊中，采用了羅姆的新產品——1200V IGBT “RGA系列”。今后，雙方將繼續保持緊密合作，全力響應全球電機驅動用戶的需求。ROHM Co., Ltd. 董事 常務執行官 CFO 伊野和英 （左） 賽米控丹佛斯 CEO Claus A.
- 關鍵字：
賽米控丹佛斯 羅姆 1200V IGBT 功率模塊
- 今天要聊的這個或許不僅是“供不應求”，在媒體報道中更被稱為是“一芯難求”！用報道的話來說，“不是價格多高的問題，而是根本買不到”。TA就是簡稱為“IGBT”的絕緣柵雙極型晶體管。聽到“一芯難求”，聰明的你應該就能get到其中的投資機會，IGBT究竟為啥這么搶手？咱們又能從中找到哪些投資良機呢？01 什么是IGBT？作為新能源領域的“新晉紅人”，IGBT是能源變換與傳輸的核心器件，可以簡單理解為一種功率開關元件。心臟的作用大家都知道吧？在心臟泵的作用下，心臟把血液推動到身體的各個器官，為身體補充充足的血液和
- 關鍵字：
IGBT
- 2022年，盡管全球半導體產業局勢復雜，但中國本土半導體似乎依然保持著朝陽勢頭，發展火熱。尤其是半導體設備廠商，在國產化浪潮進一步驅動下，去年大部分國產設備廠商在營收及訂單方面表現出了強勁的增長態勢。2023年以來，至純科技、中微公司、以及盛美上海均披露了其2022年年度報告。其中，2022年度，至純科技實現營業收入30.5億元，同比增長46.32%，新增訂單42.19億元，同比增長30.62%；；中微公司實現營收47.4億元，同比增長52.5%，新簽訂單金額約63.2億元，同比增加約53%；盛美上海實現
- 關鍵字：
設備廠商 IGBT
- 隨著世界各地的電力消耗持續增長，高電壓技術領域的創新讓設計工程師能夠開發出更高效的解決方案，使電氣化和可再生能源技術更易于使用。?“隨著人均用電量的持續增長，可持續能源變得越來越重要，”TI 副總裁及高電壓產品部總經理 Kannan Soundarapandian 表示。“以負責的方式管理能源使用非常重要。我們不能浪費任何一毫焦1的能量。這就是為什么高電壓技術的創新是實現能源可持續的關鍵。”?隨著電力需求的增加（在 2 秒內將電動汽車 (EV) 從 0mph加速到 60mph?
- 關鍵字：
高電壓技術 電動汽車 GaN IGBT
- 隨著車用、工業應用所需用量大增，IGBT市場陷入供不應求，此前有消息指出，部分廠商IGBT產線代工價上漲10%。而根據行業媒體的最新消息，IGBT缺貨問題至少在2024年中前難以解決。導致IGBT缺貨、漲價的原因主要有四點：其一，需求旺盛，車用、工業應用所需IGBT用量大增；其二，供給不足，產能擴增緩慢；其三，客戶認證需要時間；其四，特斯拉大砍75%碳化硅用量，IGBT為潛在替代方案。IGBT是第三代功率半導體技術革命的代表性產品，具有高頻、高電壓、大電流，易于開關等優良性能，被業界譽為電力電子裝置的“C
- 關鍵字：
IGBT 缺貨問題
- 根據TrendForce集邦咨詢旗下化合物半導體研究處最新報告《2023
SiC功率半導體市場分析報告-Part1》分析，隨著Infineon、ON
Semi等與汽車、能源業者合作項目明朗化，將推動2023年整體SiC功率元件市場規模達22.8億美元，年成長41.4%。與此同時，受惠于下游應用市場的強勁需求，TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規模可望達53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源2全球車用MCU市場規模預估2022年全球車用MCU市場規模達82
- 關鍵字：
SiC 功率半導體 IGBT 美光
- 領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi），推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），具備業界領先的性能水平，最大程度降低導通損耗和開關損耗。這些新器件旨在提高快速開關應用能效，將主要用于能源基礎設施應用，如太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、儲能和電動汽車充電電源轉換。新的1200V溝槽型場截止（FS7）IGBT在高開關頻率能源基礎設施應用中用于升壓電路提高母線電壓，及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開關損耗可實現更高的開關頻率，從而減少磁性元件的尺寸，提高功率密度
- 關鍵字：
安森美 IGBT FS7
- 當下半導體周期下行，半導體產業鏈多細分領域均明顯邁入到庫存調整周期。然而，在電動車與太陽能光伏兩大主流應用需求大增助推下，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）近期出現較大程度缺貨，不僅價格連漲，業界更以“不是價格多高的問題，而是根本買不到”來形容缺貨盛況。01IGBT供不應求，代工價格喊漲自2020年汽車缺芯以來，汽車芯片結構性缺芯愈發明顯，IGBT一直處于緊缺狀態。在2022年下半年，其甚至超越車用MCU，成為影響汽車擴產的最大掣肘。今年年初媒體消息顯示，漢磊集團于年初調漲IGBT產線代工價一成左右。據悉，漢
- 關鍵字：
IGBT 缺貨
- 2023 年 3 月 21日—領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），推出一系列全新超高能效1200V絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），具備業界領先的性能水平，最大程度降低導通損耗和開關損耗。這些新器件旨在提高快速開關應用能效，將主要用于能源基礎設施應用，如太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、儲能和電動汽車充電電源轉換。新的1200V溝槽型場截止（FS7）IGBT在高開關頻率能源基礎設施應用中用于升壓電路提高母線電壓，及逆變回路以提供交流輸出。FS7器件的低開關損耗
- 關鍵字：
安森美 IGBT FS7開關
- 近日，吉利科技旗下浙江晶能微電子有限公司宣布，其自主設計研發的首款車規級IGBT產品成功流片。新款芯片各項參數均達到設計要求。吉利科技集團消息顯示，該款IGBT芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術，通過優化表面結構和FS結構，兼具短路耐受同時實現更低的導通/開關損耗，功率密度增大約35%，綜合性能指標達到行業領先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定，采用工藝共創方式持續提升芯片性能。據悉，晶能微電子是吉利科技集團孵化的功率半導體公司，聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制與創新，發揮“芯片設計+模塊制
- 關鍵字：
吉利科技 晶能 車規級 IGBT
- IT之家 3 月 16 日消息，吉利科技旗下浙江晶能微電子近期宣布，其自主設計研發的首款車規級 IGBT 產品成功流片。新款芯片各項參數均達到設計要求。晶能自主研發 IGBT 流片晶圓該款 IGBT 芯片采用第七代微溝槽柵和場截止技術，通過優化表面結構和 FS 結構，兼具短路耐受同時實現更低的導通 / 開關損耗，功率密度增大約 35%，綜合性能指標達到行業領先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定，采用工藝共創方式持續提升芯片性能。晶能表示，一輛典型的新能源汽車芯片用量超過 1200 顆。功率半導體占比接近 1/
- 關鍵字：
吉利 IGBT
- _____碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的新一代寬禁帶(WBG)材料的使用度正變得越來越高。在電氣方面，這些物質比硅和其他典型半導體材料更接近絕緣體。這些物質的采用旨在克服硅的局限性，而這些局限性源自其是一種窄禁帶材料，所以會引發不良的導電性泄漏，且會隨著溫度、電壓或頻率的提高而變得更加明顯。這種泄漏的邏輯極限是不可控的導電率，相當于半導體運行失效。在這兩種寬禁帶材料中，GaN主要適合中低檔功率實現方案，大約在1 kV和100 A以下。GaN的一個顯著增長領域是它在LED照明中的應用，而且在汽車
- 關鍵字：
MOSFET IGBT
igbt 7介紹
您好，目前還沒有人創建詞條igbt 7!
歡迎您創建該詞條，闡述對igbt 7的理解，并與今后在此搜索igbt 7的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
