廠商談IGBT大缺貨：根本買不到！

當下半導體周期下行，半導體產業鏈多細分領域均明顯邁入到庫存調整周期。然而，在電動車與太陽能光伏兩大主流應用需求大增助推下，IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）近期出現較大程度缺貨，不僅價格連漲，業界更以“不是價格多高的問題，而是根本買不到”來形容缺貨盛況。

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IGBT供不應求，代工價格喊漲

自2020年汽車缺芯以來，汽車芯片結構性缺芯愈發明顯，IGBT一直處于緊缺狀態。在2022年下半年，其甚至超越車用MCU，成為影響汽車擴產的最大掣肘。

今年年初媒體消息顯示，漢磊集團于年初調漲IGBT產線代工價一成左右。據悉，漢磊掌握IGBT芯片組件龍頭英飛凌大單，在晶圓代工報價普遍回調之際，漢磊集團逆勢漲價，凸顯市況火熱。

據富昌電子2023年2月17日發布的《2023 Q1芯片市場行情報告》數據顯示，ST（意法半導體）、Microsemi（美高森美）、Infineon（英飛凌）、IXYS（艾賽斯）、Fairchild（仙童半導體）這5大品牌的IGBT Q1與2022年Q4的交期基本維持一致，交期依舊緊張，最長為54周。

具體來看，在2023年第一季度中，ST的IGBT 貨期為47-52周，Microsemi的IGBT 貨期為42-52周，IXYS的IGBT 貨期為50-54周，Infineon的IGBT 貨期為39-50周，Fairchild的IGBT 貨期為39-52周。不過，這5大品牌的貨期趨勢和價格趨勢都呈穩定狀態，沒有上升的趨勢。

近日，業界人士談IGBT缺貨現象，直言“漲價搶貨已不是新鮮事，不是價格多高的問題，而是根本買不到”，其分析這波缺貨潮還會延續一陣子。

業者分析，IGBT大缺貨有2大原因，一是當前太陽能逆變器采用IGBT的比重大幅提升，二是目前半導體產業正處于調整期，不僅產能有限，而且許多產能都被電動車廠搶走，在排擠效應下，導致IGBT大缺。

隨著新能源車興起，對高電壓需求大增，IGBT成為產業發展焦點，一輛電動車使用的IGBT數量高達上百顆，是傳統燃油車的七到十倍。在工業用途上，則有AC伺服馬達、變頻器、風力及太陽能發電等綠電應用，在高壓部分則是高速鐵路等軌道運輸以及電網的應用。

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IGBT后，SiC成車用半導體廠商下一個風口

當下SiC功率元件作為各家電動汽車性能致勝的一大依賴技術，整車廠們爭相綁定未來幾年的SiC供應，IGBT供應商也不例外。

TrendForce集邦咨詢分析師龔瑞驕指出，碳化硅擁有優越的電氣特性，傳統的硅材料無法比擬。碳化硅取代硅基IGBT是不可逆的趨勢，尤其是在800V充電架構之下，硅基IGBT已經達到性能的極限，很難滿足主驅逆變器的技術需求。從下游應用來看，碳化硅組件是電動汽車制造商未來必須考慮的核心組件，另外光伏儲能場景也在加速導入，因此近幾年碳化硅市場將維持供不應求態勢，產業熱度不會降低。

TrendForce集邦咨詢在最新發布的調研報告中預測，隨著安森美、英飛凌等與汽車、能源企業合作項目的不斷增多，碳化硅功率器件的前兩大應用為新能源汽車與再生能源領域，分別在2022年已達到10.9億美元及2.1億美元，占碳化硅功率器件整體市場產值約67.4%和13.1%。到2023年，碳化硅功率器件整體市場產值將達到22.8億美元，年增長41.4%。

TrendForce集邦咨詢預測，至2026年，碳化硅功率器件市場產值可望達到53.3億美元。主流應用仍倚重電動汽車及再生能源，電動汽車產值可達39.8億美元，年復合增長率約38%；再生能源達4.1億美元，年復合增長率約19%。

當下，IGBT主要由歐日大廠主導，以英飛凌市占率最高，此外日本富士電機、安森美半導體、東芝、意法半導體等也是主要供貨商，這些大廠近年來紛紛加碼SiC布局。

英飛凌

2023年，英飛凌將SiC、BMS、MCU當作重點開拓市場。

2月16日，其宣布將投資50億歐元，在德國德累斯頓建設一座12英寸晶圓廠。據悉，該模擬/混合信號技術和功率半導體新工廠計劃于2026年投產，其生產的模擬/混合信號零部件和功率半導體將主要應用于汽車和工業應用。

瑞薩電子

瑞薩電子方面，去年五月其宣布將向2014年10月關閉的甲府工廠（山梨縣甲斐市）投資900億日元，目標在2024年恢復其300mm功率半導體生產線，生產包括IGBT和功率MOSFET在內的產品。

2022年8月，瑞薩電子宣布針對下一代電動汽車逆變器應用，AE5代IGBT產品將于2023年上半年在瑞薩位于日本那珂工廠的200mm和300mm晶圓線上開始批量生產。

意法半導體

意法半導體則在去年十月其宣布，將在意大利建造一座價值7.3億歐元的碳化硅晶圓廠。據介紹，這將是歐洲首家量產150mm SiC外延襯底的工廠，它整合了生產流程中的所有步驟。展望未來，ST致力于在未來開發200mm晶圓。

安森美

2月11日，安森美正式接手了格芯一座在紐約的12英寸廠，并承諾為之投資13億美元。安森美表示，該工廠將生產支持電動汽車、電動汽車充電和能源基礎設施的芯片，將推動公司能夠在汽車電氣化、ADAS、能源基礎設施和工廠自動化的大趨勢中加速增長。

安森美首席執行官Hassane El-Khoury 指出，在未來三年內，安森美將為SiC提供40億美元的承諾收入，2023年約為10億美元，并可能在2024年和2025年增長約30%，達到17億美元。為了達成目標，安森美已經將生產SiC的晶圓廠產能翻了一番，并計劃在2023年再次翻番，然后在2024年再次翻番。

隨著IGBT供應商不斷加碼SiC，逐步緩解當下功率半導體缺貨現狀的同時，新的技術匯入將會將會給功率半導體市場帶來全新體驗。