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IGBT如何進(jìn)行可靠性測試？

在當(dāng)今的半導(dǎo)體市場，公司成功的兩個重要因素是產(chǎn)品質(zhì)量和可靠性。而這兩者是相互關(guān)聯(lián)的，可靠性體現(xiàn)為在產(chǎn)品預(yù)期壽命內(nèi)的長期質(zhì)量表現(xiàn)。任何制造商要想維續(xù)經(jīng)營，必須確保產(chǎn)品達(dá)到或超過基本的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和可靠性標(biāo)準(zhǔn)。安森美 (onsemi) 作為一家半導(dǎo)體供應(yīng)商，為高要求的應(yīng)用提供能在惡劣環(huán)境下運(yùn)行的產(chǎn)品，且這些產(chǎn)品達(dá)到了高品質(zhì)和高可靠性。人們認(rèn)識到，為實(shí)現(xiàn)有保證的質(zhì)量性能，最佳方式是摒棄以前的“通過測試確保質(zhì)量”方法，轉(zhuǎn)而擁抱新的“通過設(shè)計(jì)確保質(zhì)量”理念。在安森美，我們使用雙重方法來達(dá)到最終的質(zhì)量和可靠性水
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必看！IGBT基礎(chǔ)知識匯總！

01 IGBT是什么？IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有（MOSFET）金氧半場效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR）的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；（因?yàn)閂be=0.7V,而Ic可以很大（跟PN結(jié)材料和厚度有關(guān)））MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。（因?yàn)镸OS管有Rds，如果Ids比較大，就會導(dǎo)致Vds很大）IGBT綜合了以
關(guān)鍵字： IGBT 晶體管基礎(chǔ)知識

IGBT 持續(xù)走強(qiáng)，頭部公司紛紛擴(kuò)產(chǎn)

從缺芯潮緩解轉(zhuǎn)向下游市場需求疲軟，在半導(dǎo)體賽道的周期性寒冬之下，各家企業(yè)相繼采取措施，減產(chǎn)、縮減投資等逐漸成為行業(yè)廠商度過危機(jī)的主要方式之一。不過在半導(dǎo)體諸多賽道中，有這樣一個細(xì)分領(lǐng)域，它未受市場景氣度的影響，持續(xù)繁榮向上。這便是 IGBT。IGBT 的市場格局根據(jù) IGBT 的產(chǎn)品分類來看，按照其封裝形式的不同，可分為 IGBT 分立器件、IPM 模塊和 IGBT 模塊。IGBT 分立器件主要應(yīng)用在小功率的家用電器、分布式光伏逆變器；IPM 模塊應(yīng)用于變頻空調(diào)、變頻洗衣機(jī)等白色家電產(chǎn)品；而 IGBT 模
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關(guān)于IGBT 安全工作區(qū) 你需要了解這兩個關(guān)鍵

在 IGBT 的規(guī)格書中，可能會看到安全工作區(qū)（SOA, Safe Operating Area），例如 ROHM 的 RGS30TSX2DHR 如下圖所示。這個安全工作區(qū)是指什么？圖1. Rohm 的RGS30TSX2DHR 安全工作區(qū) （圖片來源ROHM）IGBT 的安全工作區(qū)（SOA）是使IGBT在不發(fā)生自損壞或性能沒有下降的情況下的工作電流和電壓條件。實(shí)際上，不僅需要在安全工作區(qū)內(nèi)使用IGBT，還需對其所在區(qū)域?qū)嵤囟?/li>
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IGBT IPM實(shí)例：絕對最大額定值

本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?各種項(xiàng)目的絕對最大額定值都是絕對不能超過的值。?IGBT IPM絕對最大額定值的解釋基本上與半導(dǎo)體器件相同。?由于絕對最大額定值不是保證產(chǎn)品工作和特性的值，因此設(shè)計(jì)通常基于推薦工作條件和電氣特性項(xiàng)目中的規(guī)格值進(jìn)行。在本文中，將介紹IGBT IPM的絕對最大額定值。與上一篇一樣，我們將使用ROHM的第3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列”作為IGBT IPM的示例。?IGBT IPM實(shí)例：絕對最大額定值?首先，為了便于理解后續(xù)內(nèi)容，我們先
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2023年慕尼黑華南電子展：EEPW&廣州金升陽科技有限公司

10月31日，金升陽作為EEPW的老朋友也來到直播間向我們分享了他們這次帶來的展品以及新的動態(tài)。謝工在直播中介紹到，金升陽成立于1998年7月，25年來創(chuàng)造了高品質(zhì)的機(jī)殼開關(guān)電源、導(dǎo)軌電源、AC/DC電源模塊、DC/DC電源模塊隔離變送器、工業(yè)接口通訊模塊、 IGBT驅(qū)動器、LED驅(qū)動器等系列產(chǎn)品，其中多個產(chǎn)品系列已經(jīng)順利通過了UL、CE、EN60601-1。我們了解到，金升陽在近日榮獲UL Solutions授予的中國工業(yè)電源UL61010-1/UL61010-2-201安全認(rèn)證證書及 IEC/UL 6
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東風(fēng)首批自主碳化硅功率模塊下線

11月2日消息，據(jù)“智新科技”官微消息，近日，首批采用納米銀燒結(jié)技術(shù)的碳化硅模塊從智新半導(dǎo)體二期產(chǎn)線順利下線，完成自主封裝、測試以及應(yīng)用老化試驗(yàn)。該碳化硅模塊采用納米銀燒結(jié)工藝、銅鍵合技術(shù)，使用高性能氮化硅陶瓷襯板和定制化pin-fin散熱銅基板，熱阻較傳統(tǒng)工藝改善10%以上，工作溫度可達(dá)175℃，損耗相比IGBT模塊大幅降低40%以上，整車?yán)m(xù)航里程提升5%-8%。據(jù)悉，智新半導(dǎo)體碳化硅模塊項(xiàng)目基于東風(fēng)集團(tuán)“馬赫動力”新一代800V高壓平臺，項(xiàng)目于2021年進(jìn)行前期先行開發(fā)，2022年12月正式立項(xiàng)為量產(chǎn)
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IGBT／MOSFET 的基本柵極驅(qū)動光耦合器設(shè)計(jì)

本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、開啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導(dǎo)體開關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅(qū)動器IC和功率半導(dǎo)體開關(guān)之間的外部組件處（例如外部柵極電阻器上）損失的功率。在以下示例中，我們將討論使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能柵極驅(qū)動器）的 IGBT 柵極驅(qū)動器設(shè)計(jì)。本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動光耦
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能實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性的IGBT模塊

隨著全球?qū)稍偕茉吹娜找骊P(guān)注以及對效率的需求，高效率，高可靠性成為功率電子產(chǎn)業(yè)不斷前行的關(guān)鍵。Nexperia（安世半導(dǎo)體）的 IGBT 產(chǎn)品系列優(yōu)化了開關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗, 兼顧馬達(dá)驅(qū)動需求的高溫短路耐受能力，實(shí)現(xiàn)更高的電流密度和系統(tǒng)可靠性。自推出以來，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）由于其高電壓、大電流、低損耗等優(yōu)勢特點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于馬達(dá)驅(qū)動，光伏，UPS，儲能，汽車等領(lǐng)域。變頻器變頻器由于“節(jié)能降耗”等優(yōu)勢，廣泛的使用在電機(jī)驅(qū)動的各個領(lǐng)域。讓我們先來走進(jìn)變頻器，看看變頻器的典型電路。“交—直—交”電路
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SiC MOSFET 器件特性知多少？

對于高壓開關(guān)電源應(yīng)用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關(guān)超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運(yùn)行并非易事，即使是最好的超結(jié)硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關(guān)斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應(yīng)器件，能夠像 IGBT 一樣進(jìn)行高壓
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充分利用IGBT的關(guān)鍵在于要知道何時、何地以及如何使用它們

如今，碳化硅 (SiC)和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導(dǎo)體風(fēng)頭正盛。但在此之前，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)才是電力電子行業(yè)的主角。本文將介紹IGBT在哪些應(yīng)用中仍能發(fā)揮所長，然后快速探討一下這些多用途器件的未來前景。焊接機(jī)許多現(xiàn)代化焊接機(jī)使用逆變器，而非焊接變壓器，因?yàn)橹绷鬏敵鲭娏骺梢蕴岣吆附庸に嚨目刂凭取８鄡?yōu)勢還包括直流電流比交流電流更安全，并且采用逆變器的焊接機(jī)具有更高的功率密度，因此重量更輕。圖 1：焊接機(jī)框圖焊接逆變器常用的開關(guān)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)包括全橋、半橋和雙管正激，而恒定電流是最常用的控制方
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英飛凌推出面向高能效電源應(yīng)用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

英飛凌科技股份公司近日推出分立式650V IGBT7 H7新品，進(jìn)一步擴(kuò)展其第七代TRENCHSTOP? IGBT產(chǎn)品陣容。全新器件配備尖端的EC7共封裝二極管，先進(jìn)的發(fā)射器控制設(shè)計(jì)結(jié)合高速技術(shù)，以滿足對環(huán)保和高效電源解決方案日益增長的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微溝槽柵技術(shù)，具有出色的控制和性能，能夠大幅降低損耗，提高效率和功率密度。因此，該半導(dǎo)體器件適合用于各種應(yīng)用，如組串式逆變器、儲能系統(tǒng)（ESS）、電動汽車充電應(yīng)用以及如工業(yè)UPS和焊接等傳統(tǒng)應(yīng)用。?在分立式封裝
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onsemi NCD57000 IGBT MOSFET 驅(qū)動IC 應(yīng)用于工業(yè)馬達(dá)控制器

1.方案介紹:NCD57000 是一種具有內(nèi)部電流隔離的高電流單通道驅(qū)動器，專為高功率應(yīng)用的高系統(tǒng)效率和高可靠性而設(shè)計(jì)。其特性包括互補(bǔ)的輸入端（IN+ 和 IN-）、漏極開路或故障偵測功能、有源米勒箝位功能、也配備了精確的 UVLO和DESAT保護(hù)能力(Programmable Delay) ，其中DESAT 時的軟關(guān)斷以及獨(dú)立的高低驅(qū)動器輸出（OUTH 和 OUTL）皆可用以方便系統(tǒng)設(shè)計(jì)及開發(fā)。 NCD57000 可在輸入側(cè)提供 5
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具有反向阻斷功能的新型 IGBT

新型 IGBT 已開發(fā)出來，具有反向阻斷能力。各種應(yīng)用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開關(guān)或矩陣轉(zhuǎn)換器。本文介紹了單片芯片的技術(shù)及其運(yùn)行行為，并通過典型電路中的個樣本進(jìn)行了測量。新型 IGBT 已開發(fā)出來，具有反向阻斷能力。各種應(yīng)用都需要此功能，例如電流源逆變器、諧振電路、雙向開關(guān)或矩陣轉(zhuǎn)換器。本文介紹了單片芯片的技術(shù)及其運(yùn)行行為，并通過典型電路中的個樣本進(jìn)行了測量。簡介：應(yīng)用需要具有反向阻斷能力的單向電流可控開關(guān)的典型電路可分為：傳統(tǒng)電流源逆變器如圖1所示具有電流源的諧振轉(zhuǎn)換器如圖 2 所
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IGBT驅(qū)動芯片進(jìn)入可編程時代，英飛凌新品X3有何玄機(jī)？

俗話說，好馬配好鞍，好IGBT自然也要配備好的驅(qū)動IC。一顆好的驅(qū)動不僅要提供足夠的驅(qū)動功率，最好還要有完善的保護(hù)功能，例如退飽和保護(hù)、兩電平關(guān)斷、軟關(guān)斷、欠壓保護(hù)等，為IGBT的安全運(yùn)行保駕護(hù)航。然而有保護(hù)功能的驅(qū)動芯片，大部分的參數(shù)都是固定的，或者是只能靠外圍器件進(jìn)行粗放的調(diào)節(jié)。對于退飽和保護(hù)來說，內(nèi)部電流源的電流是固定的，短路消隱時間只能靠調(diào)節(jié)外接電容大小來調(diào)整。對于兩電平關(guān)斷功能來說，兩電平持續(xù)的時間和電位需要靠外接電容和齊納二極管來實(shí)現(xiàn)。而軟關(guān)斷電流及米勒鉗位電流對于某一顆芯片來說也是固定的，無
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