自ASML官網獲悉，6月3日，比利時微電子研究中心（imec）與阿斯麥（ASML）宣布在荷蘭費爾德霍芬（Veldhoven）開設聯合High-NA EUV光刻實驗室（High NA EUV Lithography Lab），由ASML和imec共同運營。聲明中稱，經過多年的構建和集成，該實驗室已準備好為領先的邏輯和存儲芯片制造商以及先進材料和設備供應商提供第一臺原型高數值孔徑EUV掃描儀（TWINSCAN EXE：5000）以及周圍的處理和計量工具。據悉，該聯合實驗室的開放是High-NA EUV大批量生
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5月26日，臺積電舉辦“2024年技術論壇臺北站”的活動，臺積電CEO魏哲家罕見的沒有出席，原因是其秘密前往荷蘭訪問位于埃因霍溫的ASML總部，以及位于德國迪琴根的工業激光專業公司TRUMPF。ASML CEO Christophe Fouquet和其激光光源設備供應商TRUMPF CEO Nicola Leibinger-Kammüller近日通過社交媒體透露了魏哲家秘密出訪的行蹤。Christophe Fouquet表示他們向魏哲家介紹了最新的技術和新產品，包括High-NA EUV設備將如何實現未來
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據日媒報道，美光科技計劃投入6000億-8000億日圓（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠，用于生產DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動工，并安裝極紫外光刻（EUV）設備。消息稱最快2027年底便可投入營運。報道稱，此前，日本政府已批準多達1920億日圓補貼，支持美光在廣島建廠并生產新一代芯片。去年，日本經濟產業省曾表示，將利用這筆經費協助美光科技生產芯片，這些芯片將是推動生成式AI、數據中心和自動駕駛技術發展的關鍵。
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上個月英特爾晶圓代工宣布完成了業界首臺High-NA EUV光刻機組裝工作。隨后開始在Fab D1X進行校準步驟，為未來工藝路線圖的生產做好準備。
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臺積電熊本廠已在2月底開幕，美國亞利桑那州新廠卻從2024年遞延至2025年量產，美國一名結構工程師撰文指出，在美國蓋晶圓廠的速度比世界其他地方慢，建造成本也比世界其他地區高出30%到4倍。而蓋晶圓廠比想象中復雜，以ASML的一臺先進EUV曝光機為例，可能裝在40個貨柜中，需要漫長而仔細的組裝過程。美國進步中心（Institute of Progress）學者、結構工程師波特（Brian Potter）以如何建造一座價值200億美元的半導體廠為題撰文指出，隨著摩爾定律的發展，芯片已變得越來越小、越來越便宜
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花蓮外海3日上午發生規模7.2大地震，臺積電昨晚間發聲明，震后10小時內，晶圓廠設備的復原率已超過70％，雖少數設備受損并影響部分產線生產，但主要機臺包含所有極紫外（EUV）光刻設備皆無受損。對此，財經專家黃世聰表示，臺積電晶圓廠的機臺，使用的是美國航天等級、連美軍都在用的阻尼器，且下方還有抗震減壓的機臺，把地震影響降到最小，且臺積電工程師訓練有素，只要發生地震、聽到公司手機響起臺積電之歌的鈴聲，就知道出大事、要趕回公司。臺積電產能牽動全球科技業，強震后外界關注影響。臺積電昨晚發布聲明，在3日地震發生后僅
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昨日花蓮發生規模7.2地震，外媒高度關注是否對中國臺灣護國神山臺積電造成影響，臺積電表示，部分廠區的少數設備受損，但所有極紫外（EUV）光刻設備等主要機臺皆無受損。《華爾街日報》撰文指出，臺積電坐落在世界上最大地震熱點之一的中國臺灣，在昨日強震后將受到考驗。報導指出，在此次地震中臺積電是幸運的，因為其主要設施地點位在北、中、南部，與東部的震央距離相對較遠，這次臺積電新竹、龍潭和竹南等科學園區的最大震度為5級 ，臺中和臺南科學園區的最大震度4級。雖然臺積電工廠建筑物完好無損，但用于制造半導體的設備和材料非常
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3日早上7點58分左右，中國臺灣花蓮發生規模7.2地震，擾亂臺積電在內的公司營運，臺積電對此表示，雖然部分廠區的少數設備受損并影響部分產線生產，但主要機臺包含所有極紫外（EUV）光刻設備皆無受損。許多外媒則示警，這凸顯了臺積電和全球芯片供應鏈處在地震的風險與威脅之中。 根據《商業內幕》報導，這場7.2強震凸顯了全球芯片供應鏈和臺積電的脆弱性，臺積電是世界上最大的芯片制造商，全球大約90%的最先進處理器芯片都是臺積電生產，而且中國臺灣也是小型芯片生產商的所在地。報導示警，如果大地震能夠擾亂臺積電，那么更具破
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光刻機一直是半導體領域的一個熱門話題。從早期的深紫外光刻機（DUV）起步，其穩定可靠的性能為半導體產業的發展奠定了堅實基礎；再到后來的極紫外光刻機（EUV）以其獨特的極紫外光源和更短的波長，成功將光刻精度推向了新的高度；再到如今的高數值孔徑光刻機（High-NA）正式登上歷史舞臺，進一步提升了光刻的精度和效率，為制造更小、更精密的芯片提供了可能。ASML 官網顯示，其組裝了兩個 TWINSCAN EXE:5000 高數值孔徑光刻系統。其中一個由 ASM 與 imec 合作開發，將于 2024 年安裝在 A
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3 月 27 日消息，據荷蘭媒體 Bits&Chips 報道，ASML 官方確認新款 0.33NA EUV 光刻機 ——NXE:3800E 引入了部分 High-NA EUV 光刻機的技術，運行效率得以提升。根據IT之家之前報道，NXE:3800E 光刻機已于本月完成安裝，可實現 195 片晶圓的每小時吞吐量，相較以往機型的 160 片提升近 22%。下一代光刻技術 High-NA（高數值孔徑） EUV 采用了更寬的光錐，這意味著其在 EUV 反射鏡上的撞擊角度更寬，會導致影響晶圓吞吐量的光損失。
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據路透社報道，光刻機巨頭阿斯麥（ASML）正計劃將公司搬離荷蘭。荷蘭政府緊急成立了一個名為“貝多芬計劃”的特別工作組，由首相馬克·呂特親自領導，以確保ASML繼續在荷蘭發展。消息還稱，ASML已向荷蘭政府提出了意向，表示將有可能在其他地方擴張或遷移，法國或是選擇之一。針對最近“搬離荷蘭”等傳言，ASML發言人對媒體稱他們在考慮公司的未來，但沒有透露具體的想法。ASML為何要搬離荷蘭？憑借先天的地理位置及海港內陸網絡，荷蘭一直為歐洲的交通樞紐，國家經濟高度依賴國際貿易，2022年最新出口額占全國GDP之比超
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據韓媒報道，韓國芯片巨頭SK海力士準備打破美國對華極紫外（EUV）光刻機出口相關限制，對其中國半導體工廠進行技術提升改造。這被外界解讀為，隨著半導體市場的復蘇以及中國高性能半導體制造能力提升，一些韓國芯片企業準備采取一切可以使用的方法來提高在華工廠制造工藝水平。韓國《首爾經濟》13日的報道援引韓國業內人士的話稱，SK海力士計劃今年將其中國無錫工廠的部分動態隨機存取存儲器（DRAM）生產設備提升至第四代10納米工藝。對于“無錫工廠將技術升級”的消息，SK海力士方面表示“無法確認工廠的具體運營計劃”。無錫工廠
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英特爾（intel）近日宣布，已經接收市場首套具有0.55數值孔徑（High-NA）的ASML極紫外（EUV）光刻機，預計在未來兩到三年內用于 intel 18A 工藝技術之后的制程節點。 相較之下，臺積電則采取更加謹慎的策略，業界預計臺積電可能要到A1.4制程，或者是2030年之后才會采用High-NA EUV光刻機。業界指出，至少在初期，High-NA EUV 的成本可能高于 Low-NA
EUV，這也是臺積電暫時觀望的原因，臺積電更傾向于采用成本更低的成熟技術，以確保產品競爭力。Hig
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1月2日，全球光刻機龍頭ASML在官網發布聲明稱，荷蘭政府最近撤銷了此前頒發給其2023年發貨NXT:2050i和NXT:2100i光刻機的部分出口許可證，這將對ASML在中國內地的個別客戶產生影響。在聲明中，ASML表示：“在新的出口管制條例下，今年（指2023年）年底前ASML仍能履行已簽訂的合同，發運這些光刻設備。客戶也已知悉出口管制條例所帶來的限制，即自2024年1月1日起，ASML將基本不會獲得向中國客戶發運這些設備的出口許可證。”預計此次出口許可證撤銷及最新的美國出口管制限制不會對公司2023
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半導體設備制造商ASML表示，荷蘭政府禁止其向中國出口部分工具。ASML表示，荷蘭政府最近部分撤銷了其NXT：2050i和NXT：2100i光刻系統在2023年裝運的許可證。在撤銷船舶許可證之前，美國政府在10月份加強了對中國先進半導體和芯片制造工具的出口管制，并在此前的規定基礎上進行了進一步收緊。荷蘭公司ASML制造了制造世界上最先進芯片所需的最重要機器之一。美國的芯片限制使包括ASML在內的公司爭先恐后地弄清楚這些規則在實踐中的含義。ASML公司該公司表示，荷蘭政府禁止其制造最先進半導體的關鍵機器向中
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