- 由于目前存儲器供應短缺、供不應求，全球第2大存儲器廠商海力士(Hynix)預期2010年的營收可望達到10年來的最高點。
目前DRAM市場正處于供不應求的狀態。自2009年全球經濟逐漸回溫后，企業放寬支出，對個人計算機(PC)的需求也回升，光是2010年PC銷量就可能較2009年增加10%，帶動了DRAM的需求量上升。
另外，智能型手機(Smartphone)、平板計算機(Tablet PC)及其它行動設備的市場規模日增，也讓NAND Flash的需求量不斷攀升。但相對于存儲器芯片需求量節
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Hynix NAND 存儲器芯片
- 據彭博(Bloomberg)報導，全球第2大存儲器廠商海力士(Hynix)表示，目前全球存儲器市場僅能滿足60%的需求，海力士有可能會重新審視資本支出計畫，此外，海力士將和存儲器大廠美光(Micron) 討論先前海力士與恒憶(Numonyx)在大陸擁有的合資企業。
海力士新任執行長權五哲(Kwon Oh-chul)表示，2010年全球存儲器市場對生產者有利，目前市場并未形成泡沫，優于預期的市場狀況可能會延續至下1季。此外，海力士原先計劃在 2010年投資2.3兆韓元(約20.2億美元)，然若存儲
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Hynix 存儲器
- 據彭博社報道，海力士(Hynix Semiconductor Inc.)債權人任命Kwon Oh Chul擔任這家全球第二大電腦內存片制造商CEO。
海力士主要債權人韓國外換銀行(Korea Exchange Bank)今天在一份電子郵件聲明中表示，該公司債權人在對海力士執行副總裁Choi Jin Seog、執行副總裁Park Sung Wook、和高級副總裁Kim Min Chul評審之后，最后選擇了今年51歲的Kwon Oh Chul。海力士債權人為了給予救助而對這家韓國電腦內存片制造商投入
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- 南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發出基于32nm制程的NAND閃存芯片產品，并于去年8月份開始量產這種閃存芯片之后，他們已經于日前成 功開發出了基于26nm制程的NAND閃存芯片。他們并稱將于今年7月份開始量產基于26nm制程的64GB容量NAND閃存芯片產品.
按閃存芯片市占率計算，Hynix公司去年在閃存芯片市場上的市占率排在第三位，僅次于排在前兩位的三星與東芝公司。據此前的報道顯示，三星公司和由Intel和鎂光公司合資成立的IM Flash公司均計劃于今年第二季度推出基于25n
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- DRAM廠普遍看好今年市況之際，全球第二大DRAM廠海力士(Hynix)卻發出警語，認為今年DRAM恐出現供給過剩。海力士也是近期全球第一家看空DRAM產業的大廠。
全球DRAM龍頭三星上周才公開表示，看好整體內存產業，海力士卻發布警語，看法與三星大為迥異。
外電報導，海力士執行長金鐘甲(Kim Jong-kap)在接受媒體采訪時透露，由于各大芯片廠都大舉擴大資本支出，擔心DRAM會供給過剩;不過，他認為儲存型閃存(NAND Flash)需求仍會不錯。
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- NAND Flash市場未脫傳統淡季，仍在等待蘋果(Apple)補貨效應出現，2010年1月下旬NAND Flash合約價大致持平，高容量32Gb和64Gb芯片有小幅調漲，低容量芯片要嚴防3-bit-per-cell架構的TLC(Triple- Level Cell)成為市場的價格殺手，但高容量產品新增產能又相當有限，因此2010年NAND Flash價格發展持續兩極化。
近期NAND Flash現貨價和合約價都有止跌的跡象，1月下旬NAND Flash合約價持平開出，在高容量32Gb和64Gb
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Hynix NAND
- 2010年4大DRAM陣營三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(Elpida)和美光(Micron)戰場直接拉到40納米世代!繼爾必達跳過50納米制程，大舉轉換至45納米后，美光陣營也不甘示弱宣布年中將同步轉42納米。華亞科表示，表示旗下的50納米制程是最正統的完整世代技術，并非是制程微縮下的產物，因此成本競爭力有十足把握;在爾必達、美光跟上制程進度后，年底4大陣營技術實力大幅縮小，競爭更激烈。
雖然三星電子和海力士已先一步轉到40納米世代，其中三星是
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Hynix DRAM 40納米
- 全球第2大計算機存儲器制造商海力士(Hynix)公布2009年第4季財報，隨著全球個人計算機(PC)景氣回溫，海力士獲利創下3年來新高。
2009年第4季海力士營收為2.8兆韓元(約24.7億美元)，較第3季大幅成長32%，海力士營收成長主因為DRAM及NAND Flash存儲器出貨量成長，同時，DRAM平均售價也上揚，此外，第4季海力士凈利為6,570億韓元，更較第3季大幅成長167%。
和2009年第3季相較，2009年第4季海力士DRAM平均售價及出貨量分別成長26%及12%，至于N
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Hynix DRAM NAND
- 韓國內存廠商Hynix日前宣布他們已經完成了2Gb密度低功耗DDR2內存芯片產品的開發，這款產品將主要面向移動設備，可在智能手機，平板電腦等移動設備上使用，Hynix并稱這種芯片將于今年上半年開始投入量產。
這款內存芯片產品的數據傳輸率可達1066Mbps，并將以小型封裝(如MCP/POP封裝形式)的形式進行供貨。
Hynix宣稱這款芯片產品采用了44nm制程技術制作，工作電壓僅1.2V，位寬為32位的配置條件下，使用這種芯片的內存系統帶寬可達4.26GB/s。另外，這
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Hynix 44nm DDR2 內存芯片
- 阿布扎比政府屬下的阿布扎比先進技術投資公司(ATIC)6日稱，公司無意收購韓國海力士半導體(Hynix Semiconductor Inc.)股份。
公司首席執行官阿賈米(Ibrahim Ajami)電話告訴媒體稱，“這與ATIC沒有任何關系，我也不清楚是不是阿布扎比政府旗下其他投資半導體的投資公司。”
6日早前一家媒體援引韓國政府官員的話報道稱，阿聯酋政府顯示有興趣收購海力士半導體的股份。
阿賈米稱，由高級微設備公司(AMD)拆分而來的半導體制造廠商Glob
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Hynix 半導體制造
- 韓國公平交易委員會(FTC)周三宣布，并未發現NAND快閃記憶芯片制造商在韓國或其它地區有操縱市場價格的行為，也宣告終止近3年來對該產業的反壟斷調查。
反壟斷監管單位聲明，針對計算機記憶芯片產業 (包括DRAM芯片、DRAM芯片等) 相關的價格操縱調查已經全部結束。
2007年1月，FTC宣布將針對NAND快閃記憶芯片制造商進行反壟斷調查，偵查是否有操縱價格的事實，之后已針對全球4家企業進行調查，其中2家位于韓國，另外2家分別在美國和日本，但FTC并未公布詳細的企業名單。
韓國快閃記
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- 國際DRAM廠相繼傳來調高資本支出的消息，韓國大廠海力士(Hynix)宣布調高2010年資本支出，預估將從1兆韓元調高至1.5兆韓元，相當于12.7億美元，雖然以全球的角度來看，2010年的資本支出仍高居全球第三大，然經此一調高，海力士明年資本支出規模已經接近華亞科(3474)的13.85億美元，且資本支出的規模也是2007年的高峰以來，最大規模的一次行動。
目前已知將調高資本支出的國際廠商包括爾必達、三星半導體、華邦電，上周25日，韓國大廠海力士也跟進宣布調高資本支出。
根據外電指出，海
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Hynix DRAM
- 據華爾街日報(WSJ)報導，韓國半導體大廠海力士(Hynix)看好2010年存儲器市場表現，將提升資本支出并擴張產能。
海力士執行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2009年12月為第1次DRAM合約價在11月后并未下滑，此外，預期2010年全球個人計算機(PC)市場需求將增加10%、全球DRAM存儲器芯片將缺貨，半導體市場已走出過去3年的谷底，前景相當穩定。
隨著景氣逐漸回升，海力士計劃2010年提升資本支出，共投資2.3兆韓元(約20億美元)提升技術水平，及擴張目前的NAND
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- Hynix公司近日宣布成功開發出了業內首款面向PC機和游戲機的40nm制程2Gb GDDR5顯存顆粒產品。Hynix稱這款新開發出來的GDDR5顯存運行頻率可達7GHz，在芯片位寬為32位的條件下，芯片的傳輸帶寬可達 28GB/s.這款GDDR5芯片的工作電壓為1.35V，比Hynix公司原有基于50nm制程的GDDR5產品能耗可下降20%左右。
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Hynix公司計劃于明年下半年開始量產這種40nm制程2Gb GDDR5芯片。
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- 韓國Hynix公司宣布其40nm制程2Gb DDR3內存芯片產品通過了Intel的認證，Hynix并稱將開始批量生產這種芯片產品，另外他們還宣稱面向服務器應用的Registered DIMM產品的驗證工作也將于年底前順利完成。
這次通過驗證的Hynix產品有2Gb DDR3 SDRAM內存芯片，4GB DDR3 SO-DIMM(筆記本內存條)以及2GB DDR3 unbuffered DIMM(即普通家用型內存條)，驗證時的運行頻率為1333MHz，芯片電壓為1.5V。
Hynix宣稱
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Hynix 40nm SDRAM 50nm
hynix介紹
海力士半導體公司（Hynix，諺文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導體銷量巨頭之一。海力士于1983年以現代電子產業有限公司的名字創立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM，后來是SDRAM。2001年他們以6億5000萬美元的價格出售TFT LCD業務，同年他們開發出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。
價格操控與處份
2004 [
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