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	gan+sic
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
        
                	
        gan+sic 文章
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        羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業(yè)設(shè)備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI　HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計，由于最大限度地利用了SiC器件的特點，從而大幅改善了電氣特性、機械特性，同時實現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
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        • 關(guān)鍵字：
                        羅姆  SiC  MOS                          
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        羅姆開發(fā)出世界首家壓鑄模類型SiC功率模塊
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV/HEV車(電動汽車/混合動力車)和工業(yè)設(shè)備的變頻驅(qū)動，開發(fā)出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發(fā)的高耐熱樹脂，世界首家實現(xiàn)了壓鑄模類型、225℃高溫下工作，并可與現(xiàn)在使用Si器件的模塊同樣實現(xiàn)小型和低成本封裝，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
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        • 關(guān)鍵字：
                        羅姆  SiC                          
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        大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場
        
                                                            
          
                    	
        • 超級半導體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
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        • 關(guān)鍵字：
                        LED  GaN  MOSFET                          
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        羅姆半導體： “四大戰(zhàn)略”迸發(fā)強勁動力
        
                                                            
                                        
          
                    	
        •  據(jù)羅姆中國營業(yè)本部村井美裕介紹，面對未來的50年，羅姆提出了“相乘戰(zhàn)略”、“功率器件戰(zhàn)略”、“LED戰(zhàn)略”和“傳感器戰(zhàn)略”四大企業(yè)戰(zhàn)略。


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        • 關(guān)鍵字：
                        羅姆  SiC  LED                          
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        富士電機擬擴增SiC功率半導體產(chǎn)線 
        
                                                            
          
                    	
        • 　　富士電機計劃生產(chǎn)采用碳化硅作為原料的功率半導體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設(shè)一條產(chǎn)線，此為該公司首次在自家工廠設(shè)置碳化硅功率半導體的產(chǎn)線，未來預計在2012年春季開始量產(chǎn)。
　　
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        • 關(guān)鍵字：
                        富士電機  SiC                          
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        SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計分析
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 引言　　隨著現(xiàn)代技術(shù)的發(fā)展， 功率放大器已成為無線通信系統(tǒng)中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產(chǎn)生技術(shù)已成為現(xiàn)代通信對抗的關(guān)鍵技術(shù)。作為第三代半導體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導率、高擊穿場
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        • 關(guān)鍵字：
                        設(shè)計  分析  模塊  功率放大器  寬帶  SiC                          
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        SiC寬帶功率放大器模塊設(shè)計
        
                                                            
          
                    	
        • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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        • 關(guān)鍵字：
                        SiC  寬帶功率放大器  模塊設(shè)計  放大電路                          
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        硅襯底LED芯片主要制造工藝解析
        
                                                            
          
                    	
        • 1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來，LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
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        • 關(guān)鍵字：
                        LED芯片  硅襯底  GaN                            
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        硅襯底上GaN基LED的研制進展
        
                                                            
          
                    	
        • Ⅲ族氮化物半導體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發(fā)光二極管，高密度光學存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
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        • 關(guān)鍵字：
                        MOCVD  GaN  LED芯片                            
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        一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計
        
                                                            
          
                    	
        • 摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優(yōu)點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進行電路仿真設(shè)計，設(shè)計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
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        • 關(guān)鍵字：
                        GaN  S波段  寬帶  放大器                            
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        GaN基量子阱紅外探測器的設(shè)計
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 摘要：為了實現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進行了研究?？紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng)，通過設(shè)計適當?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu)，利用自發(fā)極化和壓電極化的互補
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        • 關(guān)鍵字：
                        設(shè)計  探測器  紅外  量子  GaN                          
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        利用SiC大幅實現(xiàn)小型化 安川電機試制新型EV行駛系統(tǒng)
        
                                                            
          
                    	
        • 安川電機試制出了利用SiC功率元件的電動汽車（EV）行駛系統(tǒng)（圖1）。該系統(tǒng)由行駛馬達及馬達的驅(qū)動部構(gòu)成。通過...
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        • 關(guān)鍵字：
                        安川電機  EV行駛系統(tǒng)  SiC                          
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        市調(diào)公司Semico調(diào)整ASIC市場
        
                                                            
          
                    	
        • 　　在由Xilinx主辦的會議上市調(diào)公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有關(guān)全球ASIC市場的報告。Semico對于傳統(tǒng)的ASIC市場將只有低增長的預測,而可編程邏輯電路(PLD)在帶寬與可移動聯(lián)結(jié)等日益增長的需求推動下將有大的發(fā)展?！　?/li>
                    	                        
        • 關(guān)鍵字：
                        Xilinx  Semico  SIC                          
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        一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計
        
                                                            
                                        
          
                    	
        • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一，由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點，被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點，基于Agilent ADS仿真軟件，利用負載／源牽引方法設(shè)計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設(shè)計步驟并對放大器進行了測試，數(shù)據(jù)表明放大器在2．3～2．4 GHz范圍內(nèi)可實現(xiàn)功率超過15W，附加效率超過67％的輸出。實驗結(jié)果證實，GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
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        • 關(guān)鍵字：
                        設(shè)計  功率放大器  GaN  一種                          
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        基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
        
                                                            
          
                    	
        • 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導電性和導熱性差等原因，對后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導熱導電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
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        • 關(guān)鍵字：
                        GaN  LED  襯底  功率型                            
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