GaN（氮化鎵）作為新興的第三代寬禁帶半導體材料，以高頻、高壓等為特色。但是長期以來，在功率電源領域，處于常規的Si（硅）和熱門的SiC（碳化硅）應用夾縫之間。GaN產品的市場前景如何？GaN技術有何新突破？不久前，消費類GaN（氮化鎵）功率解決方案供應商——納微半導體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片，采用了專利的GaNSense?技術。值此機會，電子產品世界的記者采訪了銷售營運總監李銘釗、高級應用總監黃秀成、高級研發總監徐迎春。圖 從左至右：納微半導體級的高級應用總監黃秀成、銷售營運總監李銘
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GaN 集成 202201
基礎半導體元器件領域的專家Nexperia，今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二極管，正式進軍高功率碳化硅(SiC)二極管市場。這對于高效功率氮化鎵(GaN) FET的可靠供應商Nexperia而言是一項戰略性舉措，旨在擴展高壓寬禁帶半導體器件產品范圍。 Nexperia的首款SiC肖特基二極管為工業級器件，重復反向峰值電壓為650V(VRRM)，持續正向電流為10A(IF)，旨在為功率轉換應用實現超高性能、高效率、低損耗。以及兼容高壓的具有更高爬電距離的純雙引腳(R2P)封裝，使該系列
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Nexperia 碳化硅 SiC 二極管
移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中RF解決方案的領先供應商Qorvo?,Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今天宣布，已收購位于新澤西州普林斯頓領先碳化硅（SiC）功率半導體供應商UnitedSiC公司。對UnitedSiC的收購擴大了Qorvo在快速增長的電動汽車（EV）、工業電源、電路保護、可再生能源和數據中心電源市場的影響力。UnitedSiC公司將成為Qorvo基礎設施和國防產品（IDP）業務之一，將由Chris Dries博士領導，他曾是UnitedSiC公司的總裁兼首席執行官，現任Qorv
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SiC 電源
10月19日消息，據The Verge報道，蘋果公司向其證實，新上架的140W USB-C電源適配器是蘋果首款GaN充電器。 與傳統充電器相比，GaN充電器的更小、更輕，同時支持大功率。 此外，蘋果公司還確認，140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標準，這意味著該充電器可以為其他支持該標準的設備充電。 新的140W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線現已在蘋果中國官網上架。 其中，140W USB-C電源適配器的價格為729元，USB-C轉MagSa
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蘋果 電源適配器 GaN 充電器
恩智浦半導體（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布其CAN信號質量提升（SIC）技術已用于TJA146x收發器系列中，并已經成功應用到長安汽車最新的平臺中。恩智浦的CAN SIC技術有效提升了CAN信號質量，使CAN FD網絡能夠在更大型復雜網絡中運行，實現更快的數據傳輸速率。這項經濟高效的技術能夠擴展CAN FD的潛力和靈活性，從而應對下一代汽車的網絡挑戰。中國汽車制造商長安汽車是第一家在生產中采用恩智浦的CAN SIC技術的汽車客戶。●? ?長安汽車成為第一家采
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OEM SiC
碳化硅具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率等特點，可以很好地滿足新能源汽車電動化發展趨勢，引領和加速了汽車電動化進程，對新能源汽車發展具有重要意義。我國新能源汽車正處于市場導入期到產業成長期過渡的關鍵階段，汽車產銷量、保有量連續6年居世界首位，在全球產業體系當中占了舉足輕重的地位。新能源汽車產業的飛速發展，極大地推動了碳化硅產業發展與技術創新，為碳化硅產品的技術驗證和更新迭代提供了大量數據樣本。
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碳化硅 新能源汽車 功率半導體 202110 MOSFET SiC
以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產業中大規模應用。但不可否認，第三代半導體確實具有更多的性能優勢。
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2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數字控制電源(PPS)適配器應用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案，不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護等卓越性能，同時還能顯著減少BOM，非常適合要求具備超薄小巧外形的應用設計。 新IC采用超薄InSOP?-24D封裝，內部集成
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PI InnoSwitch?3-PD GaN
TI領先的功率密度、全新架構與高度集成幫助工程師解決企業服務器的設計難題，降低總所有成本
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近年隨著電動汽車產業崛起，碳化硅（SiC）功率半導體市場需求激增，吸引產業鏈相關企業的關注，國際間碳化硅(SiC)晶圓的開發驅使SiC爭奪戰正一觸即發。與硅(Si)相比，碳化硅是具有比硅更寬的能帶隙(energy bandgap，Eg)的半導體；再者，碳化硅具有更高的擊穿電場 (breakdown electric field，Ec)，因此可被用于制造功率組件應用之電子電路的材料，因為用碳化硅制成的芯片即使厚度相對小也能夠經受得起相對高的電壓。表一分別示出了硅和碳化硅的能帶隙(Eg)、擊穿電場(Ec)和電
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TrendForce集邦咨詢表示，2021年隨著各國于5G通訊、消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升，驅使如基站、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增，使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中，以GaN功率元件成長幅度最高，預估今年營收將達8,300萬美元，年增率高達73%。據TrendForce集邦咨詢研究，GaN功率元件，其主要應用大宗在于消費性產品，至2025年市場規模將達8.5億美元，年復合成長率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源車20
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新能源車 GaN 功率元件
氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過去的十多年里，產業專家和分析人士一直在預測，GaN功率開關組件的黃金時期即將到來。相較于應用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力，這
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半導體材料是信息技術的核心基礎材料，一代材料、一代技術、一代產業，半個多世紀來從基礎技術層面支撐了信息技術翻天覆地的變化，推動了電子信息科技產業可持續蓬勃發展。同樣地，信息技術和電子信息科技產業發展需求又驅動了半導體材料與技術的發展。第三代半導體材料及其應用第三代半導體是指以GaN、SiC為代表的寬禁帶半導體材料，它是繼20世紀50年代以Ge、Si為代表的第一代半導體和70年代以GaAs、InP為代表的第二代半導體之后于90年代發展起來的新型寬禁帶半導體材料，即禁帶寬度明顯大于Si（1.12 eV）和Ga
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第三代半導體 SiC
1? ?汽車電氣化的趨勢和挑戰汽車市場中與電氣化相關的應用是減少交通碳排放影響的關鍵因素。中國領導人在2020年9 月提出中國要在2030年碳達峰，2060 年實現碳中和的目標。為了實現碳中和，減少能源使用中的碳排放是其中的重要一環。電能是清潔、高效的能源品種，用電能作為主要的能源消耗可以大幅減少碳排放。同時也要發展低排放的清潔能源作為主要發電的能源。中國交通運輸行業碳排放占比達10%，而公路運輸占其中的74%，主要來自燃油車的排放。因此，發展電動汽車并逐漸從燃油車過渡到電動汽車對減少
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202108 SiC BMS
未來的汽車將是清潔和安全的汽車，由先進的汽車功能電子化和自動駕駛技術賦能。安森美半導體汽車戰略及業務拓展副總裁 Joseph Notaro1? ?功率器件賦能電動汽車電動車可幫助實現零排放，其市場發展是令人興奮和充滿生機的，隨著電動車銷售不斷增長，必須推出滿足駕駛員需求的基礎設施，以提供一個快速充電站網絡，使他們能夠快速完成行程，而沒有“續航里程焦慮癥”。這一領域的要求正在迅速發展，需要超過350 kW 的功率水平和95% 的能效成為“常規”。鑒于這些充電樁部署在不同的環境和地點，緊湊
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202108 SiC 汽車 OBC
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