首頁  資訊  商機   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
        EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan fet

        gan fet 文章 最新資訊

        硅襯底上GaN基LED的研制進展

        • Ⅲ族氮化物半導體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發光二極管,高密度光學存儲用的紫光激光器,紫外光探測器,...
        • 關鍵字: MOCVD  GaN  LED芯片    

        一種S波段寬帶GaN放大器的設計

        • 摘要:氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點,使其具有帶寬寬,高效特性等優點。為了研究GaN功率放大器的特點,使用了Agilent ADS等仿真軟件,進行電路仿真設計,設計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
        • 關鍵字: GaN  S波段  寬帶  放大器    

        GaN基量子阱紅外探測器的設計

        • 摘要:為了實現GaN基量子阱紅外探測器,利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結構的能帶結構進行了研究。考慮了GaN基材料中的自發極化和壓電極化效應,通過設計適當的量子阱結構,利用自發極化和壓電極化的互補
        • 關鍵字: 設計  探測器  紅外  量子  GaN  

        MOS-FET與電子管OTL功放的制作

        MOS—FET末級無負反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

        MOS—FET甲乙類功率放大器

        TI 小貼士:圖例理FET知識

        • 您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉換采樣來生成FFT圖。一般而言,ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
        • 關鍵字: FET  

        手把手教你讀懂FET選取合適器件

        • 現在;一臺臺電源,幾乎都能發現FET的影子。幾乎每個電源工程師都用過這東西,或用來逆變;或用來整流;或就當個開關...
        • 關鍵字: FET  

        CISSOID推出高溫度30V小訊號P-FET場效應管

        •   CISSOID,在高溫半導體方案的領導者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關)的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護放大器.   
        • 關鍵字: CISSOID  P-FET  

        一種GaN寬禁帶功率放大器的設計

        • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一,由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點,被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點,基于Agilent ADS仿真軟件,利用負載/源牽引方法設計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設計步驟并對放大器進行了測試,數據表明放大器在2.3~2.4 GHz范圍內可實現功率超過15W,附加效率超過67%的輸出。實驗結果證實,GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
        • 關鍵字: 設計  功率放大器  GaN  一種  

        如何對反向轉換器的FET關斷電壓進行緩沖

        •   圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上,因
        • 關鍵字: 進行  緩沖  電壓  關斷  轉換器  FET  如何  

        基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術

        • 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導電性和導熱性差等原因,對后期器件加工和應用帶來很多不便,SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處,而價格相對便宜的Si襯底由于有著優良的導熱導電性能和成熟的器件加工工藝等優勢,因此Si襯底GaN基LED制造技術受到業界的普遍關注。
        • 關鍵字: GaN  LED  襯底  功率型    

        MOS-FET開關電路

        • MOS-FET雖然與JFET結構不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡單,如釁5.4-100所示短路開關對應圖5.4-96中的A、C、D三個電路
        • 關鍵字: MOS-FET  開關電路    

        J-FET開關電路工作原理

        • 1、簡單開關控制電路圖5.4-97為簡單J-FET開關電路。當控制電壓VC高于輸入電壓V1時,VGS=0,J-FET導通,傳輸信號至VO;當VC比V1足夠負,VD導通而J-FET截止,VO=0。2、改進的J-FET開關電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
        • 關鍵字: J-FET  開關電路  工作原理    

        與萬用表結合使用的FET VP、VOO檢驗器

        • 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別,所以確定置偏很麻煩。雖然在生產廠已分了幾種等級,但一個等級內仍有差別,如果在組裝電路之前測量實際工作電流狀態下的VP和VOS則比較方便。測量時,
        • 關鍵字: VOO  檢驗  VP  FET  結合  使用  萬用表  
        共449條 28/30 |‹ « 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 »

        gan fet介紹

        您好,目前還沒有人創建詞條gan fet!
        歡迎您創建該詞條,闡述對gan fet的理解,并與今后在此搜索gan fet的朋友們分享。    創建詞條

        熱門主題

        樹莓派    linux   
        關于我們 - 廣告服務 - 企業會員服務 - 網站地圖 - 聯系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
        Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
        《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
        備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網安備11010802012473
        主站蜘蛛池模板: 封开县| 景谷| 塔城市| 油尖旺区| 铜鼓县| 凭祥市| 都昌县| 六枝特区| 宜良县| 青龙| 介休市| 密云县| 喀喇沁旗| 合山市| 东明县| 穆棱市| 广平县| 长阳| 娄底市| 四平市| 噶尔县| 浏阳市| 平定县| 泾阳县| 莱阳市| 康马县| 泗洪县| 察隅县| 临西县| 祁东县| 太保市| 仪陇县| 满洲里市| 玉山县| 封开县| 乡城县| 西林县| 永德县| 溆浦县| 武陟县| 长兴县|