- Ⅲ族氮化物半導體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發光二極管,高密度光學存儲用的紫光激光器,紫外光探測器,...
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MOCVD GaN LED芯片
- 摘要:氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點,使其具有帶寬寬,高效特性等優點。為了研究GaN功率放大器的特點,使用了Agilent ADS等仿真軟件,進行電路仿真設計,設計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
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GaN S波段 寬帶 放大器
- 摘要:為了實現GaN基量子阱紅外探測器,利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結構的能帶結構進行了研究。考慮了GaN基材料中的自發極化和壓電極化效應,通過設計適當的量子阱結構,利用自發極化和壓電極化的互補
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設計 探測器 紅外 量子 GaN
- 您可以通過周期性地收集大量的ADC輸出轉換采樣來生成FFT圖。一般而言,ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
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FET
- 現在;一臺臺電源,幾乎都能發現FET的影子。幾乎每個電源工程師都用過這東西,或用來逆變;或用來整流;或就當個開關...
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FET
- CISSOID,在高溫半導體方案的領導者推出了一個行星家族(高溫度晶體管及開關)的新成員.火星是一個高溫度30V小訊號P-FET場效應管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護放大器.
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CISSOID P-FET
- 氮化鎵(GaN)作為第三代半導體材料的典型代表之一,由于其寬帶隙、高擊穿電場強度等特點,被認為是高頻功率半導體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點,基于Agilent ADS仿真軟件,利用負載/源牽引方法設計制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細說明了設計步驟并對放大器進行了測試,數據表明放大器在2.3~2.4 GHz范圍內可實現功率超過15W,附加效率超過67%的輸出。實驗結果證實,GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點。
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設計 功率放大器 GaN 一種
- 圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上,因
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進行 緩沖 電壓 關斷 轉換器 FET 如何
- 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導電性和導熱性差等原因,對后期器件加工和應用帶來很多不便,SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處,而價格相對便宜的Si襯底由于有著優良的導熱導電性能和成熟的器件加工工藝等優勢,因此Si襯底GaN基LED制造技術受到業界的普遍關注。
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GaN LED 襯底 功率型
- MOS-FET雖然與JFET結構不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡單,如釁5.4-100所示短路開關對應圖5.4-96中的A、C、D三個電路
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MOS-FET 開關電路
- 1、簡單開關控制電路圖5.4-97為簡單J-FET開關電路。當控制電壓VC高于輸入電壓V1時,VGS=0,J-FET導通,傳輸信號至VO;當VC比V1足夠負,VD導通而J-FET截止,VO=0。2、改進的J-FET開關電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
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J-FET 開關電路 工作原理
- 電路的功能場效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別,所以確定置偏很麻煩。雖然在生產廠已分了幾種等級,但一個等級內仍有差別,如果在組裝電路之前測量實際工作電流狀態下的VP和VOS則比較方便。測量時,
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VOO 檢驗 VP FET 結合 使用 萬用表
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