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以GaN打造的功率放大器為5G鋪路
- 德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開發(fā)出實(shí)現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的建構(gòu)模組：以氮化鎵(GaN)技術(shù)制造的高功率放大器電晶體... 下一代行動(dòng)無線網(wǎng)路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達(dá)10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng)新應(yīng)用提供平臺(tái)。德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，F(xiàn)raunhofer IAF)近日開發(fā)出實(shí)現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的一種建構(gòu)模組
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GaN、SiC功率元件帶來更輕巧的世界
- 眾人皆知，由于半導(dǎo)體制程的不斷精進(jìn)，數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運(yùn)算力不斷增強(qiáng)，使運(yùn)算的取得愈來愈便宜，也愈來愈輕便，運(yùn)算力便宜的代表是微電腦、個(gè)人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機(jī)、平板。 ? GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp) 不過，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去，有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進(jìn)提升，例如筆電出門經(jīng)常要帶著一個(gè)厚重占體積的電源配接器(Power Ad
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學(xué)好嵌入式系統(tǒng)電路入門之——二極管/晶體管/FET
- 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導(dǎo)體 硅和鍺是位于銀、鋁等導(dǎo)體和石英、陶瓷等絕緣體之間，用于制造半導(dǎo)體器件的原材料，具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動(dòng)的電子量不同引起的。這種可移動(dòng)電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過向其摻入雜質(zhì)來改變自由電子的數(shù)量，并可控制電流動(dòng)的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。 根據(jù)電流流動(dòng)的構(gòu)造，可將半導(dǎo)體分為N型和P型兩類。 半導(dǎo)體的電流流通原理 (1) N型半導(dǎo)體 圖1是在硅晶
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諾貝爾獎(jiǎng)后 日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動(dòng)態(tài)
- 當(dāng)諾貝爾獎(jiǎng)委員會(huì)在2014年宣布物理獎(jiǎng)得主是發(fā)明藍(lán)光LED而得獎(jiǎng)的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計(jì)劃獲得更多的支持與關(guān)注。 比方2015年以諾貝爾獎(jiǎng)得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個(gè)技術(shù)研發(fā)基金會(huì)加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進(jìn)零組件開創(chuàng)研究實(shí)驗(yàn)室(GaN-OIL)，都是
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諾貝爾獎(jiǎng)后 日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動(dòng)態(tài)
- 當(dāng)諾貝爾獎(jiǎng)委員會(huì)在2014年宣布物理獎(jiǎng)得主是發(fā)明藍(lán)光LED而得獎(jiǎng)的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計(jì)劃獲得更多的支持與關(guān)注。 比方2015年以諾貝爾獎(jiǎng)得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個(gè)技術(shù)研發(fā)基金會(huì)加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(Nagoya University)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進(jìn)零組件開創(chuàng)研究實(shí)驗(yàn)室(GaN-OIL)，都
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臺(tái)積電發(fā)力“硅基氮化鎵”元件受托業(yè)務(wù)
- 臺(tái)灣臺(tái)積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開了受托生產(chǎn)服務(wù)的藍(lán)圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術(shù)生產(chǎn)GaN晶體管。 臺(tái)積電打算開展受托生產(chǎn)的GaN晶體管有三種類型：(1)常開型(Normal On)MISFET、(2)常開型HEMT、(3)常關(guān)型(Normal Off)。按耐壓高低來分有40V、100V和650V產(chǎn)品。 其中，耐壓650V的常關(guān)
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Qorvo 新款GaN 50V 晶體管可大幅提升系統(tǒng)功率性能
- 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防等應(yīng)用中領(lǐng)先的RF解決方案供應(yīng)商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設(shè)計(jì)用于優(yōu)化商業(yè)用雷達(dá)、通信系統(tǒng)及航空電子應(yīng)用的功率性能。 Qorvo 國防與航空航天產(chǎn)品總經(jīng)理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過提供更高功率增益和功率附加效率來提升系統(tǒng)性能。Qorvo可以更好地實(shí)現(xiàn)相位陣列雷達(dá)等先進(jìn)設(shè)備的要求，提供
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基于GaN FET的CCM圖騰柱無橋PFC
- 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)由于其出色的開關(guān)特性和不斷提升的品質(zhì)，近期逐漸得到了電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復(fù)的安全GaN可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率和效率，從而為全新應(yīng)用和拓?fù)溥x項(xiàng)打開了大門。連續(xù)傳導(dǎo)模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個(gè)得益于GaN優(yōu)點(diǎn)的拓?fù)洹Ｅc通常使用的雙升壓無橋PFC拓?fù)湎啾龋珻CM圖騰柱無橋PFC能夠使半導(dǎo)體開關(guān)和升壓電感器的數(shù)量減半，同時(shí)又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)電流尖峰的根本原因，并給出了相應(yīng)的解決方案。一個(gè)750W圖騰柱PFC原型機(jī)被
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TI的600V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能
- 基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗(yàn)，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應(yīng)晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動(dòng)器的GaN解決方案的半導(dǎo)體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數(shù)字電力轉(zhuǎn)換控制器組合在一起，能使設(shè)計(jì)人員創(chuàng)造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設(shè)計(jì)。而這些優(yōu)勢在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計(jì)算和可再生能源應(yīng)用中都特別重要。如需了解更多信息
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安森美半導(dǎo)體推進(jìn)更快、更智能和更高能效的GaN晶體管
- 氮化鎵(GaN)是一種新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢，被稱為第三代半導(dǎo)體材料，用于電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)如功率因數(shù)校正(PFC)、軟開關(guān)DC-DC、各種終端應(yīng)用如電源適配器、光伏逆變器或太陽能逆變器、服務(wù)器及通信電源等，可實(shí)現(xiàn)硅器件難以達(dá)到的更高電源轉(zhuǎn)換效率和更高的功率密度水平，為開關(guān)電源和其它在能效及功率密度至關(guān)重要的應(yīng)用帶來性能飛躍?！ aN的優(yōu)勢 從表1可見，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著開關(guān)過程的反向恢復(fù)時(shí)間可忽略不計(jì)
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）的可靠性測試報(bào)告記錄了超過170億小時(shí)測試器件的可靠性的現(xiàn)場數(shù)據(jù)，結(jié)果表明器件的失效率很低
- EPC公司的第七階段可靠性報(bào)告表明eGaN?FET非?？煽浚瑸楣こ處熖峁┛尚刨嚰翱?nbsp;替代采用傳統(tǒng)硅基器件的解決方案?！ ∫似针娫崔D(zhuǎn)換公司發(fā)布第七階段可靠性測試報(bào)告，展示出在累計(jì)超過170億器件-小時(shí)的測試后的現(xiàn)場數(shù)據(jù)的分布結(jié)果，以及提供在累計(jì)超過700萬器件-小時(shí)的應(yīng)力測試后的詳盡數(shù)據(jù)。各種應(yīng)力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測試。報(bào)告提供受測產(chǎn)品的復(fù)合0.24 FIT失效率的現(xiàn)場數(shù)據(jù)。這個(gè)數(shù)值與我們直至目前為止所取得
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英國專家用半極性GaN生長高效益LED
- 英國雪菲爾大學(xué)(SheffieldUniversity)的一支研究團(tuán)隊(duì)最近在《應(yīng)用物理學(xué)快報(bào)》(AppliedPhysicsLetter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍(lán)寶石基材上生長LED的最新成果。 利用在M-Plane藍(lán)寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED。 相較于在C-Plane藍(lán)寶石基板上生長的商用LED，該研究團(tuán)隊(duì)在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波長的藍(lán)位移隨著驅(qū)動(dòng)電流增加而
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英國專家用半極性GaN生長高效益LED
- 英國雪菲爾大學(xué)(Sheffield University)的一支研究團(tuán)隊(duì)最近在《應(yīng)用物理學(xué)快報(bào)》(Applied Physics Letter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍(lán)寶石基材上生長LED的最新成果。 利用在M-Plane藍(lán)寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED?！ ∠噍^于在C-Plane藍(lán)寶石基板上生長的商用LED，該研究團(tuán)隊(duì)在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波
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波音和通用實(shí)驗(yàn)室研發(fā)出GaN CMOS場效應(yīng)晶體管
- 由美國波音公司和通用汽車公司擁有的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室-HRL實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)宣布其實(shí)現(xiàn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)FET技術(shù)的首次展示。該研究結(jié)果發(fā)表于2016年1月6日的inieee電子器件快報(bào)上。 在此過程中，該實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)確定半導(dǎo)體的卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用。這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉(zhuǎn)換電路的備選技術(shù)鋪平了道路。 氮化鎵晶體管在電源開關(guān)和微波/毫米波應(yīng)用中有出色的表現(xiàn)，但該潛力還未用于集成功率轉(zhuǎn)換。“除非快速切換GaN功率晶體管在電源電路中故意放緩，否
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