- 上海,2012年11月20日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現2.5kW的高輸出功率,富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用,對實現低碳社會做出重大貢獻。
與傳統硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率,并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業化
- 關鍵字:
富士通 功率器件 GaN
- 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現2.5kW的高輸出功率,富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用,對實現低碳社會做出重大貢獻。
- 關鍵字:
富士通 功率器 GaN
- 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時序優化正變得越來越重要。在開關期間,存在兩個過渡階段:低...
- 關鍵字:
電源設計 同步降壓 FET 時序
- 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引腳封裝中集成功率 PFET 與控制 NFET 的高側負載開關。該 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的業界最寬泛電源電壓支持,是分立式 FET 開關的最靈活替代產品。
- 關鍵字:
TI TPS27081A FET
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
- 關鍵字:
智能手機 功放 最佳效率 TD-LTE GaN
- 光電FET可以用作一只可變電阻,或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓,因此能夠安全地控制高壓電路參數。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問題(圖1)。為了校正這種非線性,可以采用一
- 關鍵字:
FET 光電 電位器 光耦
- 在計算和消費電子產品中,效率已經有了顯著的提高,重點是AC/DC轉換上。不過,隨著80 PLUS,Climate Savers以及EnergyStar 5等規范的出現,設計人員開始認識到,AC/DC和DC/DC功率系統都需要改進。 AC/DC平均系統
- 關鍵字:
改善 能量 效率 開關 FET 優化 變換器 基于
- 圖1為一具有“二極管或”功能的電路,用于主電源和備用電源之間必須自動切換的場合,包括電池供電存儲器電...
- 關鍵字:
主電源 備用電源 FET-OR
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
- 關鍵字:
GaN 恩智浦 氮化鎵 射頻功率晶體管
- 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產品系列。該創新型產品系列能夠使得固態放大器替代行波管,從而提高效率和可靠性。
- 關鍵字:
科銳 放大器 GaN
- 圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上,因此
- 關鍵字:
緩沖 方法 進行 電壓 FET 關斷 轉換器
- 與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件,因而引起了極大關注。契機源...
- 關鍵字:
SiC 功率元件 GaN 導通電阻
- 所有關于醫療應用的產品在要求高可靠性的同時,仍然需要提供終端用戶想要的新技術與功能。由于各醫療設備...
- 關鍵字:
智能MOSFET 醫療電子 FET
gan fet介紹
您好,目前還沒有人創建詞條gan fet!
歡迎您創建該詞條,闡述對gan fet的理解,并與今后在此搜索gan fet的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司

京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網安備11010802012473