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        gan fet 文章 最新資訊

        GaN類功率元件,高耐壓成功率半導體主角

        • 采用Si基板降低成本,通過改變構造改善特性那么,GaN類功率元件的成本、電氣特性以及周邊技術方面存在...
        • 關鍵字: GaN類功率半導體  功率半導體  GaN  

        電源設計小貼士46:正確地同步降壓FET時序

        • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時序優化正變得越來越重要。在開關期間,存在兩個過渡階段:低...
        • 關鍵字: FET    MOSFET    電源設計小貼士    德州儀器  

        富士通半導體明年計劃量產GaN功率器件

        •   上海,2012年11月20日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現2.5kW的高輸出功率,富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用,對實現低碳社會做出重大貢獻。   與傳統硅基功率器件相比,基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率,并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業化
        • 關鍵字: 富士通  功率器件  GaN  

        富士通明年計劃量產氮化鎵功率器件

        • 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現2.5kW的高輸出功率,富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用,對實現低碳社會做出重大貢獻。
        • 關鍵字: 富士通  功率器  GaN  

        電源設計:正確地同步降壓 FET 時序

        • 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率,時序優化正變得越來越重要。在開關期間,存在兩個過渡階段:低...
        • 關鍵字: 電源設計  同步降壓  FET  時序  

        德州儀器推出最靈活PFET高側負載開關

        • 日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款在微型 6 引腳封裝中集成功率 PFET 與控制 NFET 的高側負載開關。該 TPS27081A 提供 1.0 V 至 8 V 的業界最寬泛電源電壓支持,是分立式 FET 開關的最靈活替代產品。
        • 關鍵字: TI  TPS27081A  FET  

        功放為智能手機提供最佳效率

        • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
        • 關鍵字: 智能手機  功放  最佳效率  TD-LTE  GaN  

        將光電FET光耦用作一個線性壓控電位器

        • 光電FET可以用作一只可變電阻,或與一只固定電阻一起用作電位器。H11F3M光電FET有7.5kV的隔離電壓,因此能夠安全地控制高壓電路參數。但這些器件的非線性傳輸特性可能成為問題(圖1)。為了校正這種非線性,可以采用一
        • 關鍵字: FET  光電  電位器  光耦    

        基于優化變換器的FET開關來改善能量效率

        •  在計算和消費電子產品中,效率已經有了顯著的提高,重點是AC/DC轉換上。不過,隨著80 PLUS,Climate Savers以及EnergyStar 5等規范的出現,設計人員開始認識到,AC/DC和DC/DC功率系統都需要改進。  AC/DC平均系統
        • 關鍵字: 改善  能量  效率  開關  FET  優化  變換器  基于  

        設計主電源和備用電源之間的FET-OR電路開關

        • 圖1為一具有“二極管或”功能的電路,用于主電源和備用電源之間必須自動切換的場合,包括電池供電存儲器電...
        • 關鍵字: 主電源  備用電源  FET-OR  

        “主流GaN”的發展和未來

        • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
        • 關鍵字: GaN  恩智浦  氮化鎵  射頻功率晶體管  

        科銳推出突破性GaN基固態放大器平臺

        • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產品系列。該創新型產品系列能夠使得固態放大器替代行波管,從而提高效率和可靠性。
        • 關鍵字: 科銳  放大器  GaN  

        對反向轉換器的FET關斷電壓進行緩沖的方法

        • 圖 1 顯示了反向轉換器功率級和一次側 MOSFET 電壓波形。該轉換器將能量存儲于一個變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關閉時將其釋放到次級繞組。由于變壓器的漏極電感會使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上,因此
        • 關鍵字: 緩沖  方法  進行  電壓  FET  關斷  轉換器  

        技術講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件(一)

        • 與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件,因而引起了極大關注。契機源...
        • 關鍵字: SiC  功率元件  GaN  導通電阻  

        用智能MOSFET提升醫療設計可靠性及性能

        • 所有關于醫療應用的產品在要求高可靠性的同時,仍然需要提供終端用戶想要的新技術與功能。由于各醫療設備...
        • 關鍵字: 智能MOSFET  醫療電子  FET  
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