近期，一眾國內廠商擴產、量產碳化硅的消息頻繁發布。如博世收購了美國半導體代工廠TSI以在2030年底之前擴大自己的SiC產品組合；安森美半導體考慮投資20億美元擴產碳化硅芯片；SK集團宣布，旗下SK
powertech位于釜山的新工廠結束試運行，將正式量產碳化硅，產能將擴大近3倍。除此之外，據外媒報道，日本半導體巨頭瑞薩和德國晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴產碳化硅的計劃。其中，瑞薩電子將于2025年開始生產使用碳化硅 (SiC）來降低損耗的下一代功率半導體產品。報道指出，按照計劃，瑞薩電子擬在目
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碳化硅 瑞薩 X-FAB
全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布，將推出創新的130納米SiGe BiCMOS平臺，進一步擴大與萊布尼茨高性能微電子研究所（IHP）的長期合作關系。作為新協議的一部分，X-FAB將獲得IHP的尖端SiGe技術授權，將這一技術的性能優勢帶給大批量市場的客戶群體。130納米SiGe BiCMOS平臺新創建的130納米平臺顯著加強了X-FAB的技術組合，提供了獨特的解決方案，達到滿足下一代通信要求所需的更高
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X-FAB 萊布尼茨IHP
近年來，受到全球半導體產能短缺、新冠疫情以及季節性需求等因素的影響，存儲器件的價格呈現出較大的波動態勢。 J.P. Morgan, Gartner and Deloitte等主要行業分析機構的分析師都預測了半導體產能的短缺將持續整個2022年，甚至更長。根據WSTS的數據分析，2022年全球存儲器件市場的規模將達到1716.82億美元，較之前預估的2022年增加135.21億美元，同比增長將會達到8.5%。 圖 | WSTS的電子元器件市場預測（2021年11月）圖源：WSTS&nbs
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嵌入式存儲 X-FAB NVM
基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布已完成收購Newport Wafer Fab (NWF)的交易，此舉可助力公司實現宏偉的增長目標和投資，進一步提高全球產能。通過此次收購，Nexperia獲得了該威爾士半導體硅芯片生產工廠的100%所有權。Nexperia Newport將繼續在威爾士半導體生態系統中占據重要地位，引領新港地區和該區域其他工廠的技術研發。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圓代工服務的客戶，并于2019年通過投資Neptune 6 Limite
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Nexperia Fab
GlobalFoundries 從新 CEO 上任以來，大刀闊斧進行改革，宣布退出全球高端技術的開發，又將新加坡 8 寸廠 Fab 3E 賣給臺積電旗下的世界先進后，業界再度點名“下一刀”，是為購自 IBM 的紐約 12 寸廠尋找買家。據傳美系 IDM 大廠有興趣，看來新任 CEO 這把削減成本的大刀要一砍到底，GlobalFoundries 經歷大改革后可否涅槃重生值得關注。Thomas Caulfield 接替任職逾 4 年的 Sanjay Jha，出任 GlobalFoundries 的新 CEO
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GlobalFoundries Fab IBM
隨著提高效率成為眾需求中的重中之重，并且能源成本也在不斷增加，以前被認為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術，現已變得更具性價比。此外，隨著市場的增長，由于規模經濟的關系，SiC或GaN晶體管和二極管在經濟上也越來越具有吸引力。 功率半導體(如二極管和MOSFET)可以通過幾種機制顯著節省能源。與傳統的硅器件相比，SiC二極管可以實現短得多的反向恢復時間，從而實現更快的開關。此外，其反向恢復電荷要少很多，從而可降低開關損耗。此外，其反向恢復電荷要少很多，從而可降低開關損耗。就其本身
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X-FAB SiC
半導體FAB廠 FAQ100問影響工廠成本的主要因素有哪些?答：Direct Material 直接材料，例如：蕊片 Indirect Material間接材料，例如氣體hellip; Labor
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半導體 FAB
據麥姆斯咨詢報道，美國系統級芯片廠商Skorpios Technologies近日宣布收購了半導體集成廠商Novati Technologies及其位于美國德州奧斯汀的Fab，本次交易的具體金額暫未披露。
Novati聞名于其在2.5D/3D集成、光子學、MEMS傳感器以及醫療應用微流控領域的創新研究。Skorpios則擁有一套獨有的晶圓級工藝，能夠實現硅和III-V族材料的單片集成，并作為工作介質(active medium)制造硅光子IC。
在此次并購交易之
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Skorpios Fab
影響工廠成本的主要因素有哪些? 答：Direct Material 直接材料，例如：蕊片 Indirect Material間接材料，例如氣體… Labor人力 Fixed Manufacturing機器折舊，維修，研究費用……等 Production Support其它相關單位所花費的費用 在FAB內，間接物料指哪些? 答：Gas 氣體 Chemical 酸，堿化學液&nbs
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FAB
當下的華夏大地，正被一股天翻地覆的英雄氣概所籠罩。半導體集成電路正成為僅次于互聯網機器人的熱詞。沒有幾個人能說得清，有多少條8吋、12吋生產線在運籌帷幄之中，又有多少大佬背著錢袋在這個“金礦”邊上徘徊。中國歷來的傳統是，黨指向哪里我們就沖向哪里。今天國家確定的目標，就是今后我們為之奮斗的戰場。最近我們的行業領軍人士已經開始注意到潛在的風險，我們在去“傳統產能”的同時，會不會帶來新的“高科技產能過剩”風險?這是我們每個行業從業者要認
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Fab GlobalFoundries
模擬、混合訊號晶圓代工廠X-Fab集團于9月30日宣布，將收購日前已進入破產程序的法國專業晶圓代工業者Altis Semiconductor，借此將可讓Altis Semiconductor免于進入破產程序。實際收購價格方面，X-Fab未進一步對外透露。
根據外媒報導，Altis Semiconductor前身為美國IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠房，制程包含從8吋(200mm)晶圓產線到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收購Altis Semiconductor將有助增
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X-Fab 晶圓
模擬、混合訊號晶圓代工廠X-Fab集團于9月30日宣布，將收購日前已進入破產程序的法國專業晶圓代工業者Altis Semiconductor，借此將可讓Altis Semiconductor免于進入破產程序。實際收購價格方面，X-Fab未進一步對外透露。
根據EETimes等外媒報導，Altis Semiconductor前身為美國IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠房，制程包含從8吋(200mm)晶圓產線到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收購Altis Semicondu
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X-Fab Altis
全球Fab前道設備支出額預計在2013年將持平，大約在317億美元,2014年會有24%的增長，至393億美元,見2013年2月底出版的《SEMI全球設備預報》。該預報還指出，2013年全球fab廠設備支出增長點在于技術節點的更新，同時FAB廠建方面的支出會增加6.7%且主要集中在中國。該預報參考了2013年超過180家機構的設備支出。
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Fab 電子制造
全球Fab前道設備支出額預計在2013年將持平，大約在317億美元,2014年會有24%的增長，至393億美元,見2013年2月底出版的《SEMI全球設備預報》。該預報還指出，2013年全球fab廠設備支出增長點在于技術節點的更新，同時FAB廠建方面的支出會增加6.7%且主要集中在中國。該預報參考了2013年超過180家機構的設備支出。
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Fab 設備
X-FAB Silicon Foundries日前發表XT018，世界首創180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數量，也避免栓鎖效應(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
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X-FAB XT018 MOS
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