X-FAB與萊布尼茨IHP研究所達成許可協(xié)議

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布，將推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺，進一步擴大與萊布尼茨高性能微電子研究所（IHP）的長期合作關(guān)系。作為新協(xié)議的一部分，X-FAB將獲得IHP的尖端SiGe技術(shù)授權(quán)，將這一技術(shù)的性能優(yōu)勢帶給大批量市場的客戶群體。

130納米SiGe BiCMOS平臺

新創(chuàng)建的130納米平臺顯著加強了X-FAB的技術(shù)組合，提供了獨特的解決方案，達到滿足下一代通信要求所需的更高性能參數(shù)。受益于這項技術(shù)的領(lǐng)域包括Wi-Fi 6（和未來的Wi-Fi 7）接入點，以及下一代蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施（特別是5G 毫米波與新興6G標準）和車對車（V2V）通信；該技術(shù)還將在+100GHz雷達系統(tǒng)的開發(fā)中發(fā)揮關(guān)鍵作用，適用于汽車和消費類應(yīng)用。

這項許可協(xié)議延續(xù)了2021年啟動的合作，當時X-FAB的銅后道工藝被添加至IHP的SG13S和SG13G2前端技術(shù)中，以提高可支持的帶寬數(shù)據(jù)。關(guān)于這一創(chuàng)新的SiGe平臺，X-FAB將于2022年第四季度開始與選定的早期合作廠商開展原型開發(fā)項目。早期準入的PDK可實現(xiàn)原型設(shè)計，而量產(chǎn)將在X-FAB法國位于巴黎附近的工廠進行。

IHP科學(xué)總監(jiān)Gerhard Kahmen教授表示：“將IHP的HBTs整合至X-FAB的RF平臺，將為客戶打造真正與眾不同的SiGe BiCMOS技術(shù)，這肯定會帶來切實的性能優(yōu)勢。我們雙方之間的技術(shù)轉(zhuǎn)讓，已成為工業(yè)與研究機構(gòu)攜手取得卓越成果的完美范例。”

“X-FAB和IHP在融合我們各自優(yōu)勢資源開發(fā)前沿半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)域擁有杰出的成績；雙方針對SiGe技術(shù)的最新協(xié)議將這一實踐帶入令人興奮的全新階段。”X-FAB RF技術(shù)總監(jiān)Greg U'Ren博士表示，“這是雙方進一步推進SiGe BiCMOS相關(guān)創(chuàng)新的起點，涵蓋了工業(yè)自動化、消費電子和車載等使用案例，將推動在未來幾年內(nèi)對通信領(lǐng)域的重新定義。”

縮略語：

BiCMOS   雙極互補金屬氧化物半導(dǎo)體

HBT   異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管

mmW   毫米波

PDK   工藝設(shè)計套件

RF   射頻

SiGe   鍺硅