- 日前， KLA公司 宣布推出Kronos? 1190晶圓級封裝檢測系統、ICOS? F160XP芯片分揀和檢測系統以及下一代的ICOS? T3 / T7系列封裝集成電路（IC）組件檢測及量測系統。這些新系統具有更高的靈敏度和產量，并包含下一代增強算法，旨在應對特征尺寸縮小、3D結構和異構集成所帶來的復雜性，從而在封裝階段推進半導體元件制造。憑借更可靠地實施這些先進封裝技術，KLA的客戶將無需依賴縮小硅設計節點就能夠提高產品性能。該產品組合的性能提升將提供良率和質量保證，幫助
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IC EPC
- 延續9月4日以來的火熱行情，9月17日，A股第三代半導體概念股持續強勁，雙良節能、易事特漲停，多只概念股個股漲超7%。證券時報·e公司記者梳理發現，截至9月17日，已通過深交所互動易或公告形式披露公司確有第三代半導體產業鏈業務，或已積累相關技術專利等的A股公司共有45家，其中23家上市公司在第三代半導體方面有實際業務，或已出貨相關產品，但多數為小批量出貨，銷售收入占上市公司比例較小。三代半導體概念持續火熱近段時間以來，以碳化硅、氮化鎵、金剛石為代表的第三代半導體產業概念股異軍突起，成為低迷震蕩行情下一道亮
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第三代芯片 三代半導體 GaN
- (?BUSINESS WIRE?)-- 高效率、高可靠性LED驅動器IC領域的知名公司Power Integrations 近日推出?LYTSwitch?-6?系列安全隔離型LED驅動器IC的最新成員 —— 適合智能照明應用的新器件LYT6078C。這款新的LYTSwitch-6?IC采用了Power Integrations的PowiGaN?氮化鎵(GaN)技術，在該公司今天同時發布的新設計范例報告 (?DER-920?) 中，展現了
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GaN IC PWM
- 新基建涵蓋了廣泛的領域，并對半導體電源設計提出了各種挑戰。其中最大的挑戰之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個挑戰是如何幫助設計師在這些競爭激烈的市場中脫穎而出。為應對這些挑戰，TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關TI GaN解決方案的更多詳細信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工業和汽車市場的各類應用。TI GaN在一個封裝中集成高速柵極驅動器和保護功能，可提供優異的開關速度和低損耗。如今，我們的GaN應用于交流/直流電源和電機驅動器、電網基礎設施和汽車
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OBC GaN 202009
- 5 推動電源管理變革的5大趨勢電源管理的前沿趨勢我們矢志不渝地致力于突破電源限制：開發新的工藝、封裝和電路設計技術，從而為您的應用提供性能出色的器件。無論您是需要提高功率密度、延長電池壽命、減少電磁干擾、保持電源和信號完整性，還是維持在高電壓下的安全性，我們都致力于幫您解決電源管理方面的挑戰。德州儀器 (TI)：與您攜手推動電源進一步發展的合作伙伴 。1? ?功率密度提高功率密度以在更小的空間內實現更大的功率，從而以更低的系統成本增強系統功能2? ?低 IQ在不影響
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QFN EMI GaN MCM
- 在物聯網時代，連接到互聯網的設備日益增多。Strategy Analytics最近的一份報告預測，截至2025年，將有386億部設備連接物聯網。物聯網浪潮的飛速發展導致大量數據產生，邊緣計算網關正快速成為設備管理、數據收集和傳輸的關鍵要素。為此，研華推出了基于TI Sitara AM3352 Cortex-A8處理器的?邊緣計算網關EPC-R3220。作為中國經濟發展晴雨表的空氣壓縮機行業，將空氣壓縮機（Air Compressor）廣泛應用于冶金、電力、石油等工業中，用于高爐鼓風、高爐和鍋爐的
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研華 邊緣計算網關 EPC-R3220 空氣壓縮機應用
- 全球電子元器件與開發服務分銷商 e絡盟 新近發布名為《AIoT時代——AIoT發展背景、功能與未來》的電子書，旨在為專業工程師、創客和電子愛好者提供人工智能相關專業知識，助力他們更加順利地進行人工智能應用開發并開拓出更多新型市場應用。本冊電子書匯集了人工智能詳細路線圖和類別，闡釋了人工智能、機器學習（ML）和深度學習（DL）之間的關系，并詳細介紹了神經網絡相關技術。書中還向讀者推薦了數款適用于首次進行人工智能物聯網方案開發的優質平臺。人工智能和物聯網將徹底改變人類的工作方式。目前，人工
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TTS STT AIoT CNN RNN GAN
- 嚴苛的汽車和工業環境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩壓器。通常會選擇內置MOSFET功率開關的單片式降壓穩壓器，與傳統控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小。可在高頻率（遠高于AM頻段的2 MHz范圍內）下工作的單片式穩壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩壓器的最小導通時間(TON)較低，則無需中間穩壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節約空間并降低復雜性。減少最小導通時間需要快速開關邊沿和最小死區時間控制，以有效減少開關損耗并支持高開關頻率操作
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EMI FET AM SSFM PWM IC MOSFET
- 受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現諸如圖騰柱無橋功率因數控制器（PFC）等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優點，包括更低的開關損耗、更佳
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MOSFET HEMT GaN PFC IGBT IC
- 德州儀器(TI)是推動GaN開發和支持系統設計師采用這項新技術的領軍企業。TI基于GaN的電源解決方案和參考設計，致力于幫助系統設計師節省空間、取得更高電源效率及簡化設計流程。TI新穎的解決方案不僅可以優化性能，而且攻克了具有挑戰性的實施問題，使客戶得以設計高能效系統，建設更綠色環保的世界。
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MOSEFT GaN UPS
- 美國微芯科技公司（Microchip Technology Inc.）的數字信號控制器（DSC）與宜普電源轉換公司（EPC）的超高效氮化鎵場效應晶體管（eGaN?FET）的結合，可實現最佳功率密度（730 W/in3），從而實現高效、低成本的DC-DC轉換。EPC公司?宣布推出1/16磚式、300 W DC/DC穩壓器（?EPC9143?）。 EPC9143功率模塊把Microchip??dsPIC33CK?數字信號控制器（DSC）和最新一代eG
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ESC EPC POL
- 寬禁帶半導體特別是GaN和SiC這兩年成為整個功率器件材料關注的焦點，由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于......
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安世 GaN MOSFET
- 我國正在大力進行新基建，工業物聯網、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起，奠定了堅實的發展基礎。充電樁、工業物聯網、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區功率分立器件和模擬產品部區域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產品世界記者的采訪，分享了對工業市場的預測，并介紹了ST的新產品。ST亞太區 功率分立器件和模擬產品部 區域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業電源市場
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電源 SiC IGBT GaN
- 近日，安世半導體宣布推出新一代H2技術的全新650V GaN（氮化鎵） FET。重點應用場合包括電動汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉換器和發動機牽引逆變器; 1.5~5kW鈦金級工業電源，用于機架裝配的電信設備、5G設備和數據中心相關設備。 日前，安世半導體MOS業務集團大中華區總監李東岳詳細解析了安世半導體的GaN FET藍圖以及新一代GaN FET的特性。 新一代GaN產品升級 2019年，安世半導體正式推出650V GaN MOSFET，采用級聯技術，利用高壓GaN配合低壓
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安世半導體 GaN
- 離線電源是最常見的電源之一，也稱為交流電源。隨著旨在集成典型家用功能的產品數量的增加，對所需輸出能力小于1瓦的低功率離線轉換器的需求也越來越大。對于這些應用程序，最重要的設計方面是效率、集成和低成本。在決定拓撲結構時，反激通常是任何低功耗離線轉換器的首選。但是，如果不需要隔離，這可能不是最好的方法。假設終端設備是一個智能燈開關，用戶可以通過智能手機的應用程序進行控制。在這種情況下，用戶在操作過程中不會接觸到暴露的電壓，因此不需要隔離。對于離線電源來說，反激拓撲是一個合理的解決方案，因為它的物料清單（BOM
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BOM FET VDD
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