10月19日消息，據The Verge報道，蘋果公司向其證實，新上架的140W USB-C電源適配器是蘋果首款GaN充電器。 與傳統充電器相比，GaN充電器的更小、更輕，同時支持大功率。 此外，蘋果公司還確認，140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標準，這意味著該充電器可以為其他支持該標準的設備充電。 新的140W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線現已在蘋果中國官網上架。 其中，140W USB-C電源適配器的價格為729元，USB-C轉MagSa
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蘋果 電源適配器 GaN 充電器
以GaN和SiC為代表第三代半導體正處于高速發展的階段，Si和GaAs等第一、二代半導體材料也仍在產業中大規模應用。但不可否認，第三代半導體確實具有更多的性能優勢。
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碳化硅 SiC 氮化鎵 GaN 寬禁帶 WBG
應對全球變暖問題，研華整合軟硬件和服務，開發了可應用于儲能系統的邊緣智能解決方案，攜手綠色能源產業鏈的各方伙伴，有效提升家庭、商業、工業區、城市使用綠色能源效益，為追求可持續發展貢獻一己之力。項目背景客戶的儲能柜部署在全球各個地區，當設備出現故障時運維成本非常昂貴，客戶希望保證儲能柜的控制系統能夠穩定運行，并支持災難恢復、雙機熱備和基于Azure云平臺的實時在線監控功能。痛點需求●? ?設備部署在偏遠地區，運行和維護成本高●? ?系統故障后不能自動恢復●?
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研華 邊緣智能網關 WISE-DeviceOn/Commbridge EPC-R3220 EPC-R4710
2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數字控制電源(PPS)適配器應用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案，不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護等卓越性能，同時還能顯著減少BOM，非常適合要求具備超薄小巧外形的應用設計。 新IC采用超薄InSOP?-24D封裝，內部集成
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PI InnoSwitch?3-PD GaN
TI領先的功率密度、全新架構與高度集成幫助工程師解決企業服務器的設計難題，降低總所有成本
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GAN TI 電源供應器
TrendForce集邦咨詢表示，2021年隨著各國于5G通訊、消費性電子、工業能源轉換及新能源車等需求拉升，驅使如基站、能源轉換器(Converter)及充電樁等應用需求大增，使得第三代半導體GaN及SiC元件及模組需求強勁。其中，以GaN功率元件成長幅度最高，預估今年營收將達8,300萬美元，年增率高達73%。據TrendForce集邦咨詢研究，GaN功率元件，其主要應用大宗在于消費性產品，至2025年市場規模將達8.5億美元，年復合成長率高達78%。前三大應用占比分別為消費性電子60%、新能源車20
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新能源車 GaN 功率元件
氮化鎵（GaN）是一種III／V族寬能隙化合物半導體材料，能隙為3.4eV，電子遷移率為1,700 cm2/Vs，而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此，GaN的固有特性，讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態電阻，亦即相較于同尺寸的硅基組件，GaN可處理更大的負載、效能更高，而且物料清單成本更低。在過去的十多年里，產業專家和分析人士一直在預測，GaN功率開關組件的黃金時期即將到來。相較于應用廣泛的MOSFET硅功率組件，GaN功率組件具備更高的效率和更強的功耗處理能力，這
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氮化鎵快充火爆的背后，除了受消費者需求影響，是否還有其他原因？為什么快充會率先用到氮化鎵呢？
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圖騰柱PFC電路能顯著改善交流輸入轉換器的效率，但是主流半導體開關技術的局限性使其不能發揮全部潛力。不過，SiC FET能突破這些局限性。本文介紹了如何在數千瓦電壓下實現99.3%以上的效率。正文交流輸入電源的設計師必須竭力滿足許多要求，包括功能要求、安全要求和EMC要求等等。他們通常需要進行權衡取舍，一個好例子是既要求達到服務器電源的“鈦”標準等能效目標，又要用功率因素校正（PFC）將線路諧波發射保持在低水平，以幫助電網可靠高效地運行。在大部分情況下，會通過升壓轉換器部分實施PFC，升壓轉換器會將整流后
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SiC FET PFC
德州儀器(TI)今日宣布與中國領先的軌道交通設備制造商中車株洲電力機車研究所有限公司（后簡稱“株洲所”）簽署諒解備忘錄，升級共同運營的聯合設計實驗室，實現更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車株洲所運用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產品和技術，加速包括軌道交通，電動汽車等方面的應用設計以助力中國新基建關鍵領域建設。合作還將拓展至太陽能和風能等可再生能源方面的應用，以響應中國在2060年實現碳中和的宏偉目標。德州儀器(TI)與中車株洲電力機車研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動中國城際軌道交通系統的快速
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德州儀器 GaN
基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術和競爭對手器件相比，新款器件具有顯著的性能優勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ（典型值）的RDS(on)性能，適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業開關模式電源(SMPS)，特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認證的服務器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內的太陽能逆變器和伺服驅動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
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Nexperia MOSFET GaN
南方科技大學深港微電子學院擁有未來通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導體器件重點實驗室，圍繞中國半導體產業鏈，培養工程專業人才，搭建跨國跨區域的校企合作與人才教育平臺，建立以工程創新能力為核心指標的多元化機制，致力于對大灣區乃至全國的集成電路產業發展提供強有力的支撐作用。其科研成果、產業推廣和人才培養成績斐然，在國產芯片發展浪潮中引人矚目。
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集成電路 微電子 氮化鎵器件 寬禁帶 IC GaN 202103
GaN（氮化鎵）作為新一代半導體材料，正有越來越廣泛的應用。近日，德州儀器（TI）宣布其首款帶集成驅動器、內部保護和有源電源管理的GaN FET，分別面向車用充電器和工業電源，可以實現2倍的功率密度和高達99%的效率。TI如何看待GaN在汽車和工業方面的機會？此次GaN FET的突破性技術是什么？為此，電子產品世界記者線上采訪了TI高壓電源應用產品業務部GaN功率器件產品線經理Steve Tom。TI高壓電源應用產品業務部GaN功率器件產品線經理Steve Tom1? ?GaN在電源領
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John Grabowski：安森美半導體電源方案部門的首席應用和市場工程師，部門位于美國密歇根州安阿伯市。John Grabowski于2007年加入安森美半導體，此前他曾在福特汽車公司研究實驗室工作30年。他一直從事電路和軟件設計，應用于電氣、混合動力汽車和汽車動力總成系統。最近，他的團隊積極推動將高功率半導體應用于汽車電子化。引言為應對氣候變化，汽車減排降油耗勢在必行。如今，許多國家/地區的法律強制要求汽車制造商做出這些改變。為實現這一目標，其中一種方式就是采用混合動力，即在汽油或柴油車輛的傳動鏈中
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