EPC和Microchip公司攜手開發用于高功率密度計算應用和數據中心的 300 W、1/16磚式48 V/12 V DC/DC轉換器演示板

美國微芯科技公司（Microchip Technology Inc.）的數字信號控制器（DSC）與宜普電源轉換公司（EPC）的超高效氮化鎵場效應晶體管（eGaN^?FET）的結合，可實現最佳功率密度（730 W/in³），從而實現高效、低成本的DC-DC轉換。

EPC公司 宣布推出1/16磚式、300 W DC/DC穩壓器（ EPC9143 ）。 EPC9143功率模塊把Microchip  dsPIC33CK 數字信號控制器（DSC）和最新一代eGaN FET（ EPC2053 ）集成在一起，實現25 A、48 V/12 V和96％效率的功率轉換。

500 kHz開關頻率在非常小的1/16磚式轉換器實現300 W功率，其尺寸僅為33 毫米 x 22.9 毫米（1.3 x 0.9英寸）。

可擴展的兩相設計可以增加相數，從而進一步提高功率。 由于Microchip數字控制器具有高靈活性，因此允許在8 V至72 V范圍內調節輸入電壓，而輸出電壓在3.3 V至25 V范圍內。

磚式DC/DC轉換器廣泛用于 數據中心 、電信和 汽車應用 ，可將48 V標稱電壓轉換為12 V配電總線輸出電壓。 鑒于給定的外形尺寸，業界的主要趨勢是朝著需要更高的功率密度方向發展。 其中一個主要應用，是高密度48V/12V負載點（POL）轉換器，需要12V輸出的穩壓功率，例如用于通用PCIe卡和存儲。

eGaN^?FET和集成電路 具備快速開關、小尺寸和低成本等優勢，能夠以少元件數量和低成本滿足這些前沿應用對功率密度的嚴格要求。

EPC首席執行官Alex Lidow 表示：“先進的計算應用對功率轉換器的要求越來越高，但硅基功率轉換器在性能方面未能滿足這些要求。我們很高興與這個領域的全球領先供應商Microchip公司合作，為客戶提供靈活的解決方案，從而為48 V轉換提高效率、增加功率密度和降低系統總成本。”

Microchip MCU16業務部副總裁Joe Thomsen表示：“Microchip的dsPIC? DSC可以進行編程以充分發揮氮化鎵場效應晶體管的性能。我們很榮幸與EPC公司合作，為我們的客戶提供這種基于氮化鎵器件的參考設計。 EPC的氮化鎵技術與我們的dsPIC33CK控制器相結合，使工程師能夠顯著提高功率密度，從而滿足各種先進計算和電信應用的苛刻要求。”