11月1日消息 據韓媒 The Lec 今日報道，今年十月份，DRAM 和 NAND 價格遭遇集體暴跌。分析師認為，這是由于美國對華為的制裁所致，這加劇了存儲芯片市場價格的下跌。據市場研究公司 DRAM Exchange 上個月 30 日的統計，截至 10 月底，PC DRAM（DDR4 8Gb）的固定交易價格為 2.85 美元，相比 9 月份的交易價格下降 8.9%。這與八月和九月連續第二個月保持平穩的情況形成了對比，就
NAND 閃存而言，128GB 存儲卡和用于 USB 的多層單元存儲（MLC）
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內存 DRAM
根據IC Insights的分析報告，DRAM內存芯片在今年底之前將繼續呈現下滑態勢。簡單回顧下，內存跌價大致是從2018下半年開始，2019年12月均價一度跌至3.9美元。盡管今年上半年，由于新冠肺炎的原因，在家辦公、遠程學習等推動了PC等設備的需求增長，內存價格有所小幅反彈，但持續的時間并不長。6月份DRAM均價是3.7美元，7、8月份則在3.51美元處徘徊。通常來說，三四季度是DRAM價格大幅飆升的旺季，可今年的情況大家都懂，無論是廠商還是個人消費者，其季節性的購買行為也被擾亂了。另外，盡管5G智能
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內存 DRAM
SK海力士宣布推出全球首款DDR5 DRAM。DDR5是新一代DRAM標準，此次SK海力士推出的DDR5 DRAM作為超高速、高容量產品，尤其適用于大數據、人工智能、機器學習等領域。 圖1. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM 圖2. SK海力士推出1y納米級DDR5 DRAM SK海力士于2018年1
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SK海力士 DDR5 DRAM
擱淺2年多的成都格芯廠，在今年5月正式宣布停業4個多月之后，終于迎來了接盤者————成都高真科技有限公司（以下簡稱“高真科技”），并有望轉產DRAM內存芯片。根據企查查的資料顯示，高真科技成立于2020年9月28日，注冊資本51.091億元人民幣。經營范圍包括：“銷售：電子元器件、集成電路、集成電路芯片及產品、電子產品、機械設備、計算機、軟硬件及其輔助設備；存儲器及相關產品、電子信息的技術開發；電子元器件制造；集成電路制造；軟件開發；質檢技術服務（不含進出口商品檢驗鑒定、認證機構、民用核安全設備無損檢驗、
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格芯成都 DRAM
前言人工智能/機器學習（AI/ML）改變了一切，影響著每個行業并觸動著每個人的生
活。人工智能正在推動從5G到物聯網等一系列技術市場的驚人發展。從2012年到
2019年，人工智能訓練集增長了30萬倍，每3.43個月翻一番，這就是最有力的證
明。支持這一發展速度需要的遠不止摩爾定律所能實現的改進，摩爾定律在任何情況下都在放緩，這就要求人工智能計算機硬件和軟件的各個方面都需要不斷的快速改進。從2012年至今，訓練能力增長了30萬倍內存帶寬將成為人工智能持續增長的關鍵焦點領域之一。以先進的駕駛員輔助系
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ADAS ML DRAM 內存
實現DRAM量產后，預計生產新一代VNAND與超精細制程的晶圓代工產品 憑借更快更薄的產品搶占移動設備市場，下一步進軍汽車電裝市場 韓國首爾2020年8月30日 /美通社/ -- 三星電子平澤工廠第二生產線正式開工，首發量產產品是采用了EUV（Extreme Ultraviolet，極紫外光刻）制程的16Gb（吉字節）LPDDR5移動DRAM，開創業界先河。 ? ? 三星電子 16GB LPDDR5 ? ?三星電子平澤工廠第二生產線的建筑面積達12.89萬平方米（
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EUV10 納米級 LPDDR5 DRAM
三星今日宣布，其位于韓國平澤的第二條生產線已開始量產業界首款采用極紫外光（EUV）技術的16Gb LPDDR5移動DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm級(1z)工藝打造，擁有當下最高的移動產品內置內存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5將行業提升到了一個新的門檻，克服了先進節點下DRAM擴展的主要發展障礙。"三星電子DRAM產品與技術執行副總裁Jung-bae Lee表示。三星平澤2號線占地超過128900平方米，相當于約16個足球場，是迄今為止全
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三星 LPDDR5 DRAM
日本計劃在東京奧運會上展示無人駕駛技術，展現了近年來汽車智能化的成果。隨著5G技術與人工智能（ AI）的發展，車載通訊技術已慢慢從早期的娛樂影音播放以及導航系統，發展到現在的深度學習與車聯網（ V2X），并朝著無人駕駛的目標前進。而實現此目標的關鍵因素正是半導體。目前，先進駕駛輔助系統（ADAS）是車載通訊中最普遍的應用之一，它包含不同的子功能主動式巡航控制、自動緊急煞車、盲點偵測以及駕駛人監控系統等。車輛制造商一直試著添加更多主動式安全保護，以達到無人駕駛的最終目標。因此，越來越多的半導體產商與車輛制造
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ADAS NOR DRAM AI V2X EM
近日?KLA公司?宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統。該系統具有獨特的檢測能力，能夠檢測出常規光學或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷，從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間（包括那些依賴于極端紫外線（EUV）光刻技術的芯片）。eSL10的研發是始于最基本的構架，針對研發生產存在多年的問題而開發出了多項突破性技術，可提供高分辨率，高速檢測功能，這是市場上任何其他電子束系統都難以比擬的。KLA電子束部門總經理Amir Azordegan 表示：“利用單一的高能量電子
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DRAM NAND
7月2日，SK海力士宣布開始量產超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.7GB），是目前業界速度最快的DRAM解決方案。不僅如此，公司的HBM2E借助TSV（Through Silicon Via）技術將8個16Gb DRAM垂直連接，其容量達到了16GB，是前一代HBM2容量的兩倍以上。H
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SK海力士 DRAM
SK海力士宣布開始量產超高速DRAM‘HBM2E’。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發僅十個月之后的成果。 圖1. SK海力士宣布開始量產超高速DRAM, HBM2E SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1,024個I/Os（Inputs/Outputs, 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸124部全高清（FHD）電影（每部3.
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SK海力士 超高速 DRAM HBM2E
6月6日，長三角一體化發展重大合作事項簽約儀式在湖州舉行，合肥長鑫與蘇州瑞紅電子化學品有限公司、寧波江豐電子材料股份有限公司、上海新昇半導體科技有限公司共同簽約，一致同意支持長鑫12英寸存儲器晶圓制造基地項目建設。2019年國內存儲芯片取得了兩個突破——長江存儲的3D閃存、合肥長鑫的DRAM內存雙雙量產，其中內存國產化的意義更重要一些，畢竟這個市場主要就是美日兩大陣營主導，門檻太高。合肥長鑫的12英寸內存項目總計投資高達1500億，去年底量產了1Xnm級別（具體大概是19nm）的內存芯片，可以供應DDR4
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國產 DRAM 內存 合肥長鑫
存儲器大廠南亞科28日召開年度股東常會，會中董事長吳嘉昭對于近期的產業狀況發表看法，指出2020年上半年DRAM市場的需求較2019年同期有小幅度的成長，其主要原因是受惠于異地工作、遠端教育、視頻會議等各項需求所致。至于，2020年下半年市況，吳嘉昭則是表示，因為各項不確定因素仍多，因此目前仍必須要持續的觀察。吳嘉昭表示，2019年因中美貿易戰導致的關稅問題，使得供應鏈面臨調整，加上全球經濟放緩、英特爾處理器缺貨等因素，導致DRAM需求減少，使得平均銷貨較2018年減少超過45%，也使得南亞科在2019年
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存儲器 10nm 南亞科 DRAM
三星電子一季度在全球DRAM市場的份額超過了40%，但銷售額在這一季度有下滑。外媒的數據顯示，一季度三星電子在全球DRAM市場的份額為44.1%，是第一大廠商，較第二大廠商SK海力士高出了近15個百分點，后者的市場份額為29.3%。雖然三星的市場份額超過了40%，但一季度三星DRAM的營收其實有下滑，較上一季度下滑3%。DRAM市場份額僅次于三星的SK海力士，一季度的銷售額也下滑了4%，下滑幅度還高于三星。三星電子和SK海力士之后的第三大DRAM廠商是美光科技，其一季度的市場份額為20.8%，銷售額下滑1
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三星 DRAM
從20nm技術節點開始，漏電流一直都是動態隨機存取存儲器(DRAM)設計中引起器件故障的主要原因。即使底層器件未出現明顯的結構異常，DRAM設計中漏電流造成的問題也會導致可靠性下降。漏電流已成為DRAM器件設計中至關重要的一個考慮因素。圖1. (a) DRAM存儲單元；(b)單元晶體管中的柵誘導漏極泄漏電流 (GIDL)；(c)位線接觸 (BLC) 與存儲節點接觸 (SNC) 之間的電介質泄漏；(d) DRAM電容處的電介質泄漏。DRAM存儲單元（圖1 (a)）在電
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DRAM GIDL
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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