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        ddr5 dram 文章 最新資訊

        中國半導體遭圍堵 晉華并沒有DRAM試產(chǎn)線?

        • 美光此次提起訴訟無非是為了防止其存儲技術遭到泄露,間接給大陸廠商和相關員工施壓,其行為也是國際大廠圍堵中國半導體產(chǎn)業(yè)崛起的縮影之一
        • 關鍵字: 晉華  DRAM  

        集邦咨詢:美光圍堵,無礙中國DRAM研發(fā)進程

        •   近日,有媒體報道美國存儲器大廠在臺灣地區(qū)采取司法手段其防止技術遭遇泄露,目標是前華亞科及前瑞晶關鍵制程和研發(fā)人員,目前已有上百人遭到約談。  市場更是傳出,美光這一行動已經(jīng)波及聯(lián)電與大陸廠商晉華的合作事宜,導致后者出資在聯(lián)電臺灣南科廠設置的試產(chǎn)線停產(chǎn)。  不過,4月5日,聯(lián)電方面對外表示,確實有員工收到了訴訟通知,但只是個人行為,與公司無關。此外,聯(lián)電還表示,目前DRAM仍處制程技術開發(fā)階段,尚無試產(chǎn)線,并無外傳試產(chǎn)線暫停的情況,其DRAM技術的研發(fā)計劃也將持續(xù)不變。  根據(jù)集邦咨詢觀察,近年來,中國
        • 關鍵字: 美光  DRAM  

        DDR5內(nèi)存標準正在制定:比DDR4快兩倍!

        •   內(nèi)存標準制定組織JEDEC周四表示,新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始,計劃明年定稿。   據(jù)悉,用于服務器和臺式PC上的DDR5內(nèi)存速度將是DDR4內(nèi)存的兩倍之多,執(zhí)行效率也更高。   同時,針對智能手機以及筆記本電腦等對續(xù)航有更高要求的設備,還會推出低電壓版的LPDDR5內(nèi)存。   雖然看起來DDR5內(nèi)存非常值得期待,但分析師卻對其前景并不看好,反而認為DDR內(nèi)存時代將在DDR4生命周期結束時謝幕。   分析師認為,DDR5會首先被應用于服務器和高端PC領域,隨后才會逐漸向下普及。但
        • 關鍵字: DDR5  DDR4  

        DDR5內(nèi)存標準正在制定:比DDR4快兩倍!

        •   內(nèi)存標準制定組織JEDEC周四表示,新一代DDR5內(nèi)存的規(guī)格制定工作已經(jīng)開始,計劃明年定稿。   據(jù)悉,用于服務器和臺式PC上的DDR5內(nèi)存速度將是DDR4內(nèi)存的兩倍之多,執(zhí)行效率也更高。   同時,針對智能手機以及筆記本電腦等對續(xù)航有更高要求的設備,還會推出低電壓版的LPDDR5內(nèi)存。   雖然看起來DDR5內(nèi)存非常值得期待,但分析師卻對其前景并不看好,反而認為DDR內(nèi)存時代將在DDR4生命周期結束時謝幕。   分析師認為,DDR5會首先被應用于服務器和高端PC領域,隨后才會逐漸向下普及。但
        • 關鍵字: DDR5  DDR4  

        IC Insights:存儲器市場前景好,DRAM、NAND報價調升兩倍

        •   DRAM、NAND 快閃存儲器價格漲不停,促使半導體研究機構 IC Insights 將今年全球芯片成長預估調升兩倍。   IC Insights 最新預期 2017 年全球芯片產(chǎn)值將成長 11%,兩倍高于原先估計的 5%。IC Insights 解釋原因為 DRAM、NAND 快閃存儲器展望明顯上修。   IC Insights 現(xiàn)在預期今年 DRAM 銷售額有望跳增 39%、NAND 快閃存儲器有望成長 25%,隨著報價走揚,未來兩者都還有進一步上修的可能。   IC Insights 指出
        • 關鍵字: 存儲器  DRAM  

        2015年大陸貢獻全球IC需求29%,供給僅4%

        •   2013年,中國從海外進口了2,330億美元的半導體,進口金額首度超越石油,也促成了中國「半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展綱要」的出現(xiàn),并在2014年9月募集第一波的「大基金」。 2015年,半導體的進口金額維持2,307億美元的高檔,大約貢獻了全球29%的半導體需求量,但中國能自己供應的比重僅有4%。   中國政府希望到2020年為止,能夠維持每年20%的成長。 相較于海外的購并工作不斷的受到干擾,中國顯然更積極于自建工廠的努力。 整體而言,我們可以用「自建工廠」,發(fā)展3D Flash,也同步發(fā)展材料設備業(yè)等幾個字
        • 關鍵字: IC  DRAM  

        車用存儲器市場分析

        • 在“2017慕尼黑上海電子展”前夕的“汽車技術日”上,ISSI技術市場經(jīng)理田步嚴介紹了車用存儲器市場,包括:信息娛樂、ADAS、儀表總成、connectivity telematics四大類。
        • 關鍵字: 汽車  SRAM  DRAM  SDRAM  e.MMC  201704   

        三星美光1xnm DRAM 接連出狀況,市場供貨吃緊仍沒改善

        •   自 2016 年中開始,DRAM 內(nèi)存供貨不足,造成市場價格全面上漲的情況,如今又要多加一個變量。 那就是 DRAM 內(nèi)存的市場龍頭三星,在 2017 年 2 月中旬陸續(xù)召回部分序號的 18 奈米制程的內(nèi)存模塊,并且再重新出貨給客戶之后,仍然發(fā)生有瑕疵的狀況。 而且,此事件已影響了名列前茅的 PC 大廠在 DPPM (每百萬臺的不良率) 有大幅提升的狀況。 再加上,不僅是三星出現(xiàn)這樣的情況,連美光 (Micron) 的 17 奈米制程 PC DRAM 內(nèi)存模塊都有類似的情形發(fā)生,如此也為 2017 年
        • 關鍵字: 三星  DRAM  

        紫光國芯第四代DRAM存儲器成功通過科技成果評價

        •   2017年3月22日,受工業(yè)和信息化部電子科學技術情報研究所委托,北京中企慧聯(lián)科技發(fā)展中心在北京主持召開由紫光國芯股份有限公司/西安紫光國芯半導體有限公司自主研發(fā)的“高性能第四代DRAM存儲器”科技成果評價會。   北京中企慧聯(lián)評價機構嚴格按照《科技成果評價試點暫行辦法》的有關規(guī)定和要求,秉承客觀、公正、獨立的原則,聘請同行專家對該項科技成果進行了評價。評價委員會聽取了項目完成單位的技術總結報告,對評價資料進行了審查,經(jīng)嚴格質詢和充分討論形成了評價意見。    &nb
        • 關鍵字: 紫光國芯  DRAM  

        韓國與大陸技術差距僅剩3~5年?SK海力士提前應對專利紛爭

        •   大陸存儲器正在迅猛發(fā)展,去年紫光主導的長江存儲在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地引起全球關注,韓國業(yè)界對此評估稱,韓國與大陸廠商間的技術差距僅剩3~5年。有消息指出,為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專利大戰(zhàn),SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組,以研究學習大陸商業(yè)法、專利法等相關法律。   據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士內(nèi)部消息稱,SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關成員可自由參與研究學習大陸專利法等相關法律的模式。因大陸半導體技術暫時還
        • 關鍵字: SK海力士  DRAM  

        韓國與大陸技術差距僅剩3~5年?SK海力士提前應對專利紛爭

        •   大陸存儲器正在迅猛發(fā)展,去年紫光主導的長江存儲在武漢投資240億美元建設國家存儲芯片基地引起全球關注,韓國業(yè)界對此評估稱,韓國與大陸廠商間的技術差距僅剩3~5年。有消息指出,為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導體同業(yè)間的專利大戰(zhàn),SK海力士近期特意與專利分析團隊中新成立大陸工作小組,以研究學習大陸商業(yè)法、專利法等相關法律。   據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟引述SK海力士內(nèi)部消息稱,SK海力士的大陸專利分析小組將采取無固定編制、相關成員可自由參與研究學習大陸專利法等相關法律的模式。因大陸半導體技術暫時還
        • 關鍵字: SK海力士  DRAM  

        Micron宣布在臺成立DRAM卓越制造中心

        •   Micron 宣布于本月14日成功標得達鴻先進科技的拍賣資產(chǎn),并將以此建立Micron在臺之后段生產(chǎn)基地。Micron現(xiàn)已取得這新生產(chǎn)基地之所有權。   經(jīng)由此收購案, Micron取得與其臺中廠相鄰的無塵室和設備,并將使Micron 的晶圓制造與后段封測得以集中于同一據(jù)點,并專注于建立集中式的后段封測營運。   全球制造副總裁Wayne Allan指出:“此舉為Micron在臺建立DRAM卓越制造中心的重要一步。將晶圓制造和后段封測結合在同一地點,構建一個完整連貫的高效制造支援組織,
        • 關鍵字: Micron  DRAM  

        DRAM與NAND差別這么大,存儲之爭都爭啥?

        •   什么是DRAM?  DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。 (關機就會丟失數(shù)據(jù))  工作原理  動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列地址引腳復用來組成的。    
        • 關鍵字: DRAM  NAND  

        DRAM邁入3D時代!

        • 平面DRAM最重要也最艱難的挑戰(zhàn),是儲存電容的高深寬比,為了要延長DRAM這種內(nèi)存的壽命,在短時間內(nèi)必須要采用3D DRAM解決方案。
        • 關鍵字: DRAM  NAND  

        內(nèi)存霸主三星擴產(chǎn) 恐讓下半年DRAM漲勢止歇

        •   全球內(nèi)存龍頭三星電子傳出將進行DRAM擴產(chǎn)計劃,業(yè)界認為,由于建廠時間還要兩年,難解今年缺貨窘境,不過受心理層面影響,恐讓下半年DRAM漲勢止歇。   三星決定斥資87億美元,擴充南韓華城廠DRAM產(chǎn)能。 三星表示,新產(chǎn)線約需兩年時間建造,將視研發(fā)進度和制程轉換良率,決定生產(chǎn)18nm或更先進制程的DRAM。   對于今年DRAM供需,稍早包括南亞科總經(jīng)理李培瑛、創(chuàng)見董事長束崇萬,及威剛董事長長陳立白都表示,今年DRAM因主要供應大廠將產(chǎn)能挪移生產(chǎn)儲存型閃存(NAND Flash),且只做DRAM
        • 關鍵字: 三星  DRAM  
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        ddr5 dram介紹

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