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        cowos-l 文章 最新資訊

        臺積電CoWoS擴產 可望落腳云林

        • 晶圓代工龍頭臺積電將在7月18日舉行法說會,2日業界先傳出臺積電可能會在云林覓地設先進封裝廠,臺積電表示,一切以公司對外公告為主;法人認為臺積電受惠AI強勁需求,仍看好長線,擠進千元俱樂部沒問題。 臺積電在嘉義的CoWoS先進封裝P1廠,在整地時發現遺址,因此停工,改興建P2廠,日前傳出臺積電在屏東或者云林覓地,希望能找到P1的替代場址,2日供應鏈傳出臺積電可能已在云林的虎尾園區覓地。針對云林設廠的傳言,臺積電表示,設廠地點選擇有諸多考慮因素,公司以臺灣作為主要基地,不排除任何可能性;將持續與管理局合作評
        • 關鍵字: 臺積電  CoWoS  先進封裝  

        英偉達鞏固王位:預定臺積電大量CoWoS并促其漲價

        • 芯片業巨擘英偉達(Nvidia)股票分割后股價續揚,一度擠下微軟登全球市值最大企業,在AI領域掀起浪潮。財經專家黃世聰指出,英偉達為鞏固自己領先的壟斷地位,已經開始搶芯片、搶業務、搶人才,這舉動將會讓英偉達市值繼續攀升,因為后面沒人能夠追上來。   黃世聰昨在《Catch大錢潮》節目表示,英偉達、黃仁勛近期搶業務、搶人才、搶芯片的用意,是要把護城河筑的越來越高,讓其他人無法跨越;人才方面,英偉達從三星挖腳515人、從SK海力士挖了38人,有一部分是因為HBM的關系,把DRAM廠的人挖過來或許能在
        • 關鍵字: 英偉達  臺積電  CoWoS  

        臺積電先進制程/CoWoS先進封裝漲價?

        • 近日,臺積電在嘉義科學園區新建的第一座CoWoS廠突然暫停施工,原因是6月初工地發現疑似文物遺跡。臺積電方表示,P1廠暫時停工,同時啟動P2廠工程先行建設。另外,近期行業消息顯示,臺積電擬調漲先進制程和先進封裝報價。1臺積電嘉義先進封裝廠暫停施工6月17日消息,臺積電此前在嘉義科學園區規劃建設的兩座CoWoS先進封裝廠,第一座CoWoS廠已于5月動工,進行地質勘探工作。但目前現場已暫停施工,原因是6月初工地發現疑似文物遺跡。嘉義縣南科管理局表示,臺積電在嘉義科學園區興建的第一座CoWoS廠,6月初挖掘到疑
        • 關鍵字: 臺積電  先進制程  CoWoS  先進封裝  

        臺積電產能供不應求,將針對先進制程和先進封裝漲價

        • 6月17日,據臺媒《工商時報》報道,在產能供不應求的情況下,臺積電將針對3nm/5nm先進制程和先進封裝執行價格調漲。其中,3nm代工報價漲幅或在5%以上,而2025年度先進封裝報價也將上漲10~20%。
        • 關鍵字: 臺積電  制程  封裝  3nm  5nm  英偉達  CoWoS  

        臺積電進駐嘉義開始買設備,或沖刺CoWoS 先進封裝

        • 業界傳出,臺積電南科嘉義園區CoWoS新廠正進入環差審查階段,即開始采購設備,希望能加快先進封裝產能建置腳步,以滿足客戶需求。同時,南科嘉義園區原定要蓋兩座CoWoS新廠還不夠用,臺積電也傳出派員南下勘察三廠土地。針對上述消息,臺積電昨(11)日表示,不評論市場傳聞。此前中國臺灣嘉義縣政府之前公布,臺積電先進封裝廠將進駐南科嘉義園區,占地約20公頃,其中,第一座先進封裝廠規畫面積約12公頃,預計2026年底完工,并創造3000個就業機會。據悉,臺積電初期規劃要在當地建兩座先進封裝廠。依據臺積電官方資訊,后
        • 關鍵字: 臺積電  CoWoS  先進封裝  

        臺積電先進封裝產能被訂光,一路包到明年

        • 英偉達、AMD 等沖刺高性能計算,大舉下單。
        • 關鍵字: CoWoS  SoIC  

        臺積電升級 CoWoS 封裝技術,計劃 2027 推出 12 個 HBM4E 堆棧的 120x120mm 芯片

        • 4 月 28 日消息,臺積電近日在北美技術研討會上宣布,正在研發 CoWoS 封裝技術的下個版本,可以讓系統級封裝(SiP)尺寸增大兩倍以上,實現 120x120mm 的超大封裝,功耗可以達到千瓦級別。根據臺積電官方描述,CoWoS 封裝技術繼任者所創建的硅中介層,其尺寸是光掩模(Photomask,也稱 Reticle,大約為 858 平方毫米)是 3.3 倍。CoWoS 封裝技術繼任者可以封裝邏輯電路、8 個 HBM3 / HBM3E 內存堆棧、I / O 和其他芯粒(Chiplets),最高可以達到
        • 關鍵字: CoWoS  

        臺積電CoWoS供不應求,三星搶下英偉達2.5D先進封裝訂單

        • 4月8日消息,據韓國媒體TheElec報導,三星電子已經成功拿下了GPU大廠英偉達(NVIDIA)的2.5D封裝訂單。據市場人士的說法,三星的先進封裝(AVP)團隊將為英偉達提供Interposer(中間層)和I-Cube先進封裝產能。I-Cube為三星自主研發的2.5D封裝技術,但是當中的高帶寬內存(HBM)和GPU晶圓的生產將由其他公司負責。現階段通過2.5D封裝技術可以將多個芯片,例如CPU、GPU、I / O界面、HBM等,平均放置在中間層上完整封裝在單一系統芯片當中。臺積電將這種封裝技術
        • 關鍵字: 臺積電  CoWoS  三星  英偉達  2.5D先進封裝  

        全球半導體復蘇勢頭不減!

        • 受益于AI浪潮驅動,以及消費電子市場需求逐步回溫,半導體市場正不斷釋放利好信號。近期,韓國產業通商資源部公布的數據顯示,韓國今年3月份芯片出口117億美元,同比增長35.7%,連續5個月增長,單月增幅為2022年6月以來最高。業界認為,智能手機、數據中心與AI等帶動下,韓國芯片出口額上升。與此同時 ,美國半導體行業協會(SIA)對外表示,今年1月全球半導體行業銷售總額為476億美元,同比增長15.2%,2月全球半導體銷量同比增長14.3%。此前,SIA透露,2023年全球半導體行業銷售總額同比下降8.
        • 關鍵字: 半導體  CoWoS  

        消息稱英偉達 Blackwell“B100”GPU 將配 192GB HBM3e 顯存

        • 3 月 18 日消息,英偉達將在明日舉行GTC 2024 主題演講,黃仁勛預計將宣布名為 Blackwell 的下一代 GPU 架構。據 XpeaGPU 爆料稱,明天推出的 B100 GPU 將采用兩個基于臺積電 CoWoS-L 封裝技術的芯片。CoWoS(晶圓基片芯片)是一項先進的 2.5D 封裝技術,涉及將芯片堆疊在一起,提高處理能力,同時節省空間并降低功耗。XpeaGPU 透露,B100 GPU 的兩個計算芯片將連接到 8 個 8-Hi HBM3e 顯存堆棧,總容量為 192GB。值得注意的是,
        • 關鍵字: 英偉達  Blackwell B100  GPU  顯存  CoWoS  

        需求爆發,英偉達等大廠積極爭奪CoWoS產能

        • 人工智能(AI)芯片熱潮之下,CoWoS先進封裝需求水漲船高。最新消息顯示,英偉達、AMD、蘋果等廠商正積極爭奪CoWoS產能。CoWoS需求爆發,英偉達、AMD等積極追單近期,媒體報道,GPU大廠英偉達10月已經擴大CoWoS訂單,除此之外,包括蘋果、AMD、博通、美滿電子等在內的四家大廠近期同樣積極追單。據悉,英偉達一直是臺積電CoWoS封裝大客戶,單英偉達一家公司就占據了臺積電CoWo六成產能,主要應用于H100、A100等高性能芯片。未來,英偉達將陸續推出H200與B100架構,先進封裝需求將持續
        • 關鍵字: 英偉達  CoWoS  TrendForce  

        臺積電:希望OSAT擴大其先進封裝能力

        • 自 20 世紀 80 年代末代工業務模式誕生以來,臺積電就開始生產硅片。相比之下,外包半導體封裝和測試 (OSAT) 服務提供商會將其封裝到陶瓷或有機外殼中。近年來,隨著先進封裝方法的出現,情況發生了變化,這些方法需要類似于硅生產所使用的復雜工具和潔凈室,因為臺積電處于創新封裝方法的最前沿,該公司將其聚合在 3DFabric 技術中,并且因為它建立了適當的產能。許多公司,例如英偉達,希望向代工廠發送藍圖并讓他們的產品準備好發貨,這就是為什么他們選擇使用臺積電的服務來封裝他們先進的系統級芯片,例如 H100
        • 關鍵字: 臺積電  CoWoS  

        熬出頭的CoWoS

        • 據中國臺灣媒體報道,臺積電正在擴大 CoWoS 先進封裝產能,以滿足客戶,尤其是 AI 芯片領域的需求。英偉達等大客戶增加了對 CoWoS 封裝的訂單量,AMD、亞馬遜等其他大廠也出現了緊急訂單。為了滿足這些需求,臺積電已要求設備供應商增加 CoWoS 機臺的生產數量,并計劃在明年上半年完成交付和安裝。9 月底,傳出消息臺積電再次追加 30% 半導體設備訂單,帶動聯電、日月光投控等 CoWoS 先進封裝中介層供應商接單量,并傳出后者要漲價的消息。CoWoS 也曾「煎熬」CoWoS 是臺積電獨門技術,201
        • 關鍵字: CoWoS  先進封裝  臺積電  

        什么是CoWoS? 用最簡單的方式帶你了解半導體封裝!

        • 過去數十年來,為了擴增芯片的晶體管數量以推升運算效能,半導體制造技術已從1971年10,000nm制程進步至2022年3nm制程,逐漸逼近目前已知的物理極限,但隨著人工智能、AIGC等相關應用高速發展,設備端對于核心芯片的效能需求將越來越高; 在制程技術提升可能遭遇瓶頸,但是運算資源需求持續走高的情況下,透過先進封裝技術提升芯片之晶體管數量就顯得格外重要。01半導體先進封裝技術這兩年“先進封裝”被聊得很多,“封裝”大概可以類比為對電子芯片的保護殼,保護電路芯片免受外界環境的不良影響。當然芯片封裝還涉及
        • 關鍵字: CoWoS  半導體封裝!  

        異質整合突破 應用材料火力支持IC封裝

        • 目前臺積電先進封裝CoWoS的制程瓶頸在于硅穿孔(TSV)技術,TSV硅穿孔芯片堆棧并非打線接合,而是在各邏輯芯片鉆出小洞,從底部填充入金屬,使其能通過每一層芯片。再以導電材料如銅、多晶硅、鎢等物質填滿,形成連接的功能,最后將晶圓或晶粒薄化加以堆棧、結合(Bonding),作為芯片間傳輸電訊號用之立體堆棧技術。隨著IC設計業者繼續將更多的邏輯、內存和特殊功能芯片整合到先進的2.5D和3D封裝中,每個封裝中的TSV互連導線數量擴展到數千個。為整合更多的互連導線并容納更高的芯片堆棧,需將硅穿孔變得更窄、更高,
        • 關鍵字: 異質整合  應用材料  IC封裝  CoWoS  
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