東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布通過“MOSFET”擴充移動設備鋰離子電池和電源管理開關專用保護電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實現了低導通電阻，可減少設備的傳導損失。
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東芝 MOSFET 鋰離子電池
東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布為其用于基站和服務器的通用直流-直流轉換器功率MOSFET陣容增加60V電壓產品。這些產品使用最新的第八代低電壓溝槽結構，并實現了頂尖[1]低導通電阻和高速開關性能。即日開始批量生產。
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東芝 MOSFET
東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布為專用于基站和服務器的通用DC-DC轉換器推出30V電壓功率MOSFET系列。這些產品采用了最新的第八代低壓溝槽結構，實現了最高級別的低導通電阻和高速轉換。該系列產品計劃于6月底投入量產。
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東芝 MOSFET 電阻
摘要：由于銅絲鍵合可以替代金鍵合，價格又便宜，正在被越來越多地應用到微電子元器件當中。目前的情況表明銅是可行的替代品，但是證明其可靠性還需要采用針對銅絲鍵合工藝的新型失效分析(FA)技術。
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銅絲鍵合 MOSFET 金鍵合 失效分析 金屬層 201308
電機控制系統設計人員需要能夠在嚴苛的應用條件下，提高效率同時確保最高可靠性的解決方案。為此，飛兆半導體開發了SPM? 5 智能功率模塊系列三相 MOSFET 逆變器解決方案，為設計人員提供交流感應電機 (ACIM) 和無刷直流電機逆變器解決方案，適用于功率最高為 200 W 的電機，包括風扇電機、洗碗機和各種小型工業電機。
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飛兆 MOSFET SPM
用肖特基二極管實現多電源系統有多種方式。例如，μTCA 網絡及存儲服務器等高可用性電子系統都在其冗余電源系統中采用了肖特基二極管“或”電路。二極管“或”電路還用于采用備用電源的系統，例如 AC 交流適配器和備份電池饋送。
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凌力爾特 肖特基二極管 MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用PowerPAK? 1212-8封裝的-40V---SiS443DN和PowerPAK? 1212-8S封裝的-30V---SiSS27DN器件，擴充其TrenchFET? Gen III P溝道功率MOSFET。
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Vishay MOSFET
雖然所有領先指標都顯示2013年下半年將恢復季節性增長，但包括半導體在內的電子元件產業目前訂單情況遜于當前市場復蘇階段的預期水平。據IHS公司的元件價格走勢追蹤服務，這種需求缺口可能限制今年電子元件市場的增長幅度。
2013年商品類芯片的總體前景仍然堅挺，預計半導體營業收入增長4.8%，盡管該市場的各個領域不會同樣強勁。
在假日季節之前的這個時期，MOSFET、電容與邏輯器件的訂單活動沒有呈現出通常的水平。這個階段通常出現交貨期延長和價格上漲現象，而目前尚未看到這些情況。同時，消費電子、汽
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電子元件 MOSFET
歡迎來到電源設計小貼士！隨著現在對更高效、更低成本電源解決方案需求的強調，我們創建了該專欄，就各種電源管理...
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工作頻率 MOSFET Pcon
飛兆半導體公司是高性能功率半導體和移動半導體解決方案的全球領先供應商，通過引入 100 V BoostPak 設備系列優化 MOSFET 和二極管選擇過程，將 MOSFET 和二極管集成在一個封裝內，代替 LED 電視 / 顯示器背光、LED 照明和 DC-DC 轉換器應用中目前使用的分立式解決方案。
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飛兆 MOSFET LED
安森美半導體 (ON Semiconductor) 推出兩款新的MOSFET器件，用于智能手機及平板電腦應用，作為鋰離子電池充電/放電保護電路開關的關鍵組成部分。EFC6601R和EFC6602R幫助設計人員減小方案尺寸、提升能效及將電池使用時間延至最長。
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安森美 MOSFET 鋰離子電池
日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，其E系列器件新增650V功率MOSFET。這些22款新器件采用8種不同封裝，將10V下的導通電阻擴展到30mΩ～600mΩ，將最高電流等級擴大為6A～105A。
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Vishay E系列 MOSFET
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