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一種新型高精度CMOS帶隙基準(zhǔn)源的設(shè)計
- 提出一種標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝結(jié)構(gòu)的低壓、低功耗電壓基準(zhǔn)源，工作電壓為5～10 V。利用飽和態(tài)MOS管的等效電阻特性，對PTAT基準(zhǔn)電流進行動態(tài)電流反饋補償，設(shè)計了一種輸出電壓為1．3 V的帶隙基準(zhǔn)電路。使輸出基準(zhǔn)電壓溫度系數(shù)在-25～+120℃范圍的溫度系數(shù)為7．427pp-m／℃，在27℃時電源電壓抑制比達82 dB。該基準(zhǔn)源的芯片版圖面積為0．022 mm2，適用于低壓差線性穩(wěn)壓囂等領(lǐng)域。
- 關(guān)鍵字： CMOS 高精度 帶隙基準(zhǔn)源
全新APS C格式1600萬像素圖像傳感器進入數(shù)碼單反相機市場
- CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新者ApTIna今日推出其高性能、功能豐富、APS-C格式的1600萬像素的圖像傳感器。特別的設(shè)計令該產(chǎn)品可實現(xiàn)專業(yè)攝影師所要求的高畫質(zhì)，除了以10幀/秒的速度捕捉1600萬像素的靜態(tài)圖像以外，新的MT9H004傳感器亦具備較高的靈敏度、較小的暗電流和較低的讀出噪聲。憑借該公司最新的動態(tài)響應(yīng)(DR)像素技術(shù)創(chuàng)新(稱為Aptina DR-Pix技術(shù))，新的APS-C格式成像解決方案在低亮度條件下可增加5分貝的信噪比(SNR)，而無需犧牲高亮度環(huán)境中的表現(xiàn)。高亮度下的最大信噪比可達
- 關(guān)鍵字： 圖像傳感器 CMOS
CMOS技術(shù)將迎來轉(zhuǎn)折點 開始從15nm工藝向立體晶體管過渡
- 邏輯LSI的基本元件——CMOS晶體管的發(fā)展估計將在2013年前后15nm工藝達到量產(chǎn)水平時迎來重大轉(zhuǎn)折點。將由現(xiàn)行的平面型晶體管向具備三維溝道的立體型晶體管過渡。美國英特爾及臺灣臺積電(TSMC)等知名半導(dǎo)體廠商均已開始表現(xiàn)出這種技術(shù)意向。LSI的制造技術(shù)發(fā)生巨變之后，估計也會對各公司的微細化競爭帶來影響。 元件材料及曝光技術(shù)也會出現(xiàn)轉(zhuǎn)折 “估計一多半的半導(dǎo)體廠商都會在15nm工藝時向FinFET過渡”(英特爾)。“在20nm以
- 關(guān)鍵字： CMOS 15nm 立體晶體管
Aptina推出8MP完備相機解決方案
- CMOS成像技術(shù)的領(lǐng)先創(chuàng)新者Aptina宣布推出其新款功能豐富的8MP CCS8140成像解決方案。CCS8140解決方案利用公司在像素、處理和封裝方面的創(chuàng)新技術(shù)，將高品質(zhì)MT9E013 8MP CMOS影像傳感器與Aptina™ MT9E311成像協(xié)處理器完美結(jié)合，同時其各方面的處理速度保持在與獨立影像處理器類似的水平。經(jīng)全面調(diào)節(jié)的Aptina CCS8140整套相機解決方案可提供一流的影像品質(zhì)，同時僅需極少的調(diào)節(jié)和傳感器調(diào)整即可完成最終產(chǎn)品設(shè)計。該解決方案不僅可以為移動手持設(shè)備OEM和
- 關(guān)鍵字： Aptina CMOS CCS8140
GSA硅片代工價格Q2下降
- 按全球半導(dǎo)體聯(lián)盟GSA經(jīng)過調(diào)查后的報道，全球2010年Q2的硅片代工價格與上個季度相比下降。 為了支持與促進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展，一家非盈利組織GSA的報告，用于CMOS制造的200mm直徑代工硅片的中間價格環(huán)比下降9.5%，而同類的300mm硅片代工價格環(huán)比沒有改變，每片平均仍為3200美元。 據(jù)GSA說，調(diào)查的參與者也報道200mm CMOS工藝的掩模價格下降，在連續(xù)兩個季度價格上升之后，環(huán)比中間價格下降12%。而300mm CMOS工藝的掩模中間價沒有改變，而且已連續(xù)達3個季度。
- 關(guān)鍵字： 硅片 CMOS 200mm
LDO原理結(jié)構(gòu)及應(yīng)用
- LDO的種類 LDO是新一代的集成電路穩(wěn)壓器，它與三端穩(wěn)壓器最大的不同點在于，LDO是一個自耗很低的微型片上系統(tǒng)(SoC)。 LDO按其靜態(tài)耗流來分，分為OmniPowerTM / MicroPowerTM / NanoPowerTM三種產(chǎn)品。 Omn
- 關(guān)鍵字： 應(yīng)用 結(jié)構(gòu) 原理 LDO
基于計數(shù)器的隨機單輸入跳變測試序列生成
- 隨著超大規(guī)模集成電路和系統(tǒng)級芯片(SoC)的發(fā)展，集成電路的測試面臨越來越多的困難，尤其在測試模式下的功...
- 關(guān)鍵字： 集成電路測試 內(nèi)建自測試 CMOS 低功耗測試 矢量跳變
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