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巧焊場效應(yīng)管和CMOS集成電路
- 焊接絕緣柵（或雙柵）場效應(yīng)管以及CMOS集成塊時，因其輸入阻抗很高、極間電容小，少量的靜電荷即會感應(yīng)靜電高壓，導(dǎo)致器件擊穿損壞。筆者通過長期實踐摸索出下述焊接方法，取得令人滿意的效果。1.焊絕緣柵場效應(yīng)管。
- 關(guān)鍵字： CMOS 焊 場效應(yīng)管 集成電路
威盛發(fā)布首款USB3.0集群控制器
- 威盛電子在1月4日推出VIA VL810 SuperSpeed集群控制器，這是USB3.0技術(shù)時代業(yè)內(nèi)首款支持更高傳輸速度的整合單芯片解決方案。 USB3.0(即超速USB)的最大數(shù)據(jù)傳輸速度可達(dá)5Gbps，是現(xiàn)有USB2.0設(shè)備傳輸速度的10倍;此外，該技術(shù)還能提高外部設(shè)備與主機(jī)控制器之間的互動功能，包括能耗管理上的重要改進(jìn)。 VIA VL810由威盛集團(tuán)全資子公司VIA Labs研發(fā)，它實現(xiàn)在一個USB接口上連接多個設(shè)備從而擴(kuò)展了計算機(jī)的USB性能。一個輸出接口及四個輸入接口不僅支持高
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IBM展示基于極薄SOI襯底的22nm技術(shù)
- IBM研究人員開發(fā)出了基于極薄SOI(ETSOI)的全耗盡CMOS技術(shù)，面向22nm及以下節(jié)點。 在IEDM會議上，IBM Albany研發(fā)中心的Kangguo Cheng稱該FD-ETSOI工藝已獲得了25nm柵長，非常適合于低功耗應(yīng)用。除了場效應(yīng)管，IBM的工程師還在極薄SOI襯底上制成了電感、電容等用于制造SOC的器件。 該ETSOI技術(shù)包含了幾項工藝創(chuàng)新，包括源漏摻雜外延淀積(無需離子注入)，以及提高的源漏架構(gòu)。 該技術(shù)部分依賴于近期SOI晶圓供應(yīng)商推出了硅膜厚度為6nm的S
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10~37 GHz CMOS四分頻器的設(shè)計
- 1 引言
隨著通信技術(shù)的迅猛發(fā)展，人們對通信系統(tǒng)中單元電路的研究也越來越多。而分頻器廣泛應(yīng)用于光纖通信和射頻通信系統(tǒng)中，因此，高速分頻器的研究也日益受到關(guān)注。分頻器按實現(xiàn)方式可分為模擬和數(shù)字兩種。模 - 關(guān)鍵字： 設(shè)計 四分 CMOS GHz 光纖通信系統(tǒng) CMOS工藝 動態(tài)負(fù)載鎖存器 分頻器
奧地利微電子推出全新三通道線性穩(wěn)壓器
- 奧地利微電子公司推出AS1355三路LDO，可在穩(wěn)壓輸出狀態(tài)下提供高達(dá)300mA電流，擴(kuò)展了旗下的低壓差穩(wěn)壓器產(chǎn)品線。 奧地利微電子消費及通信部門市場總監(jiān)Bruce Ulrich表示：“奧地利微電子的AS1355 LDO為多路、可調(diào)電壓應(yīng)用提供了一個超小型解決方案。在許多由未經(jīng)穩(wěn)壓的DC-DC電源和電池供電的應(yīng)用中，多種非標(biāo)負(fù)載點(POL)電壓越來越普遍。AS1355 LDO憑借奧地利微電子最終測試微調(diào)(FTT)能力，使客戶可在兩周內(nèi)實現(xiàn)樣品或量產(chǎn)數(shù)量的非標(biāo)準(zhǔn)輸出電壓產(chǎn)品。AS135
- 關(guān)鍵字： 奧地利微電子 穩(wěn)壓器 AS1355 LDO
東芝20nm級體硅CMOS工藝獲突破
- 東芝公司今天在美國馬里蘭州巴爾的摩市舉行的IEDM半導(dǎo)體技術(shù)會議上宣布，其20nm級CMOS工藝技術(shù)獲得了重大突破，開啟了使用體硅CMOS工藝制造下一代超大規(guī)模集成電路設(shè)備的大門，成為業(yè)界首個能夠投入實際生產(chǎn)的20nm級CMOS工藝。東芝表示，他們通過對晶體管溝道的摻雜材料進(jìn)行改善，實現(xiàn)了這次突破。 在傳統(tǒng)工藝中，由于電子活動性降低，通常認(rèn)為體硅(Bulk)CMOS在20nm級制程下已經(jīng)很難實現(xiàn)。但東芝在溝道構(gòu)造中使用了三層材料，解決了這一問題，成功實現(xiàn)了20nm級的體硅CMOS。這三層材料
- 關(guān)鍵字： 東芝 CMOS 20nm
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