奧地利微電子為代工用戶擴展CMOS、高壓、高壓FLASH和RF多項目晶圓服務

　　奧地利微電子的全方位服務晶圓代工廠業(yè)務部推出一份更加全面的 2008 年度時間表，擴展了其具有成本效益的、快速的專用集成電路(ASIC)原型服務，即所謂以多項目晶圓 (MPW) 或往復運行(shuttle run)。該服務將來自不同用戶的若干設計結合在一個晶圓上，有助于眾多不同的參與者分攤晶圓和掩膜成本。

　　RF多項目晶圓服務

　　奧地利微電子的 MPW 服務包括基于 TSMC(臺積電)0.35µm CMOS 工藝的全程0.35µm尺寸工藝。兼容 SiGe BiCMOS 技術的 CMOS 有助于在一個 ASIC 中以高達 10 GHz 的工作頻率及高密度數(shù)字元件實現(xiàn) RF 電路設計。0.35µm 高壓 CMOS 工藝系列包括非常適用于電源管理產(chǎn)品和顯示驅動器的 20V CMOS，以及為汽車和工業(yè)應用優(yōu)化的 50V CMOS 工藝，能夠滿足客戶的高壓應用方案和產(chǎn)品需求。先進的嵌入了 FLASH 功能的高壓 CMOS 工藝豐富了奧地利微電子 MPW 服務內容。通過與 IBM聯(lián)合開發(fā)，奧地利微電子首次在原型服務中提供了先進的 0.18µm 高壓 CMOS 技術 H18 。H18 工藝技術基于 IBM 業(yè)界公認的0.18µm CMOS 工藝 CMOS7RF，非常適用于手機、PDA、便攜式媒體播放器以及其他移動設備中的智能電源管理 IC。

　　2008 年，奧地利微電子通過與CMP-TIMA、Europractice、 Fraunhofer IIS 和 MOSIS等公司的長期持續(xù)性合作，將有150多個MPW啟動日期。2008年度的完整時間表及每個工藝的詳細啟動日期均可登陸以下網(wǎng)站查詢：

　　http://asic.austriamicrosystems.com/cot

　　為了獲得 MPW 服務的優(yōu)勢，奧地利微電子的代工客戶需要在特定日期提交其GDSII數(shù)據(jù)，可在較短的交貨時間內收到未經(jīng)測試的封裝樣品或裸片，CMOS 通常為8周， 0.35µm 高壓 CMOS、 SiGe-BiCMOS 和 嵌入式 FLASH 工藝為 10 周。所有 0.35µm MPW 均采用奧地利微電子位于奧地利的先進 8 英寸晶圓制造設備生產(chǎn)。

　　所有工藝技術均得到了著名的HIT-Kit 的支持。該套件是基于 Cadence、Mentor Graphics 或 Agilent ADS設計環(huán)境的先進工藝設計套件，包含了全面的硅認證標準單元、外圍元件、通用模擬元件，如比較器、運算放大器、低功耗 A/D 和 D/A 轉換器。定制模擬和 RF 器件、Assura 和 Calibre物理驗證規(guī)則集，以及具有卓越特性的電路仿真模型，均有助于復雜的高性能混合信號集成電路設計的快速啟動。除了標準原型服務之外，奧地利微電子還提供模擬 IP 模塊、存儲器(RAM/ROM)生成服務和陶瓷或塑料封裝服務。