中芯國際背照式成像傳感技術取得突破

　　中芯國際宣布在背照式CMOS成像傳感技術研發領域取得突破性進展，首款背照式CMOS成像傳感測試芯片一次流片即獲得成功，在低照度下同樣獲得高質量的清晰圖像。這標志著中芯國際自主開發的背照式CMOS成像傳感芯片全套晶圓工藝核心技術接近成熟，步入產業化階段，更好地滿足高端智能移動終端的需要。該技術將于2013年與客戶伙伴進行試產。

　　背照式CMOS成像傳感芯片工藝技術開發的成功，有助于中芯國際進一步拓展晶圓代工業務，支持國內外客戶500萬像素以上高分辨率智能手機用圖像傳感芯片、以及高性能視頻影像傳感芯片產品的開發和生產。背照式傳感器比前照式傳感器擁有更強的感光能力，使如今的頂級智能手機在夜晚或室內成像更為明亮、清晰。在該技術步入產業化的同時，中芯國際也將積極開展基于3D集成電路的下一代成像傳感芯片晶圓工藝的前期技術開發。

　　"我們很榮幸成為國內首家取得背照式CMOS成像傳感器技術突破的晶圓代工廠，"中芯國際首席執行官邱慈云博士表示，"CMOS成像傳感器是我們為移動設備和成像市場客戶所提供的關鍵增值技術之一。"

　　"在此基礎上，我們的研發團隊將大力推進背照式傳感器技術的商業化生產，"中芯國際技術研發資深副總裁李序武博士表示，"這一突破進一步鞏固了中芯國際在國內先進技術領域的領導者地位。"

　　自2005年起提供前照式CMOS影像傳感工藝以來，中芯國際即成為CMOS成像傳感芯片的主要晶圓代工廠商，主要應用于手機及消費電子。為了提供全方位的CMOS成像傳感晶圓代工服務，中芯國際和日本凸版印刷株式會社于2004年合資成立了凸版中芯彩晶電子(上海)有限公司，在中芯國際上海廠區專業生產CMOS成像傳感器芯片專用的芯載彩色濾光鏡和微鏡頭。