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- DSP內嵌PLL中的CMOS壓控環形振蕩器設計,本文設計了一種應用于DSP內嵌鎖相環的低功耗、高線性CM0S壓控環形振蕩器。電路采用四級延遲單元能方便的獲得正交輸出時鐘，每級采用RS觸發結構來產生差分輸出信號，在有效降低靜態功耗的同時．具有較好的抗噪聲能力。在延遲單元的設計時。綜合考慮了電壓控制的頻率范圍以及調節線性度，選擇了合適的翻轉點。 仿真結果表明．電路叮實現2MHz至90MHz的頻率調節范圍，在中心頻率附近具有很高的調節線性度，可完全滿足DSP芯片時鐘系統的要求。
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振蕩器 設計 環形 CMOS 內嵌 PLL DSP
- 摘要：基于CSMCO．5μm CMOS工藝設計一種帶滯回功能的高穩定性電壓控制電路，利用遲滯比較器對旁路電壓和基準電壓進行比較并控制電容的充放電，提高了電壓的穩定性。Cadence Spectre仿真結果表明，該電路產生的電壓穩
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CMOS 音頻功率放大器 旁路 電壓控制
- Altera公司和Apical有限公司今天宣布，為視頻監控攝像機提供世界上第一個高清晰寬動態范圍(WDR) CMOS圖像傳感器處理解決方案。在內華達洲拉斯維加斯3月24號到26號舉行的國際安防大會(ISC)西部博覽會上，Altera展示了這一解決方案。Altera和Apical全面的解決方案保證了各種照明條件下優異的視頻圖像質量，而這是前幾代監控攝像機面臨的主要瓶頸問題。結合Altera的 Cyclone® III和Cyclone IV FPGA以及Apical的知識產權(IP)，這一解決方案
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Altera FPGA 視頻監控 CMOS
- 應用于綠色電子產品的首要高性能、高能效硅方案供應商安森美半導體擴充產品陣容，推出5款新的互補金屬氧化物半導體(CMOS)線性穩壓器系列。優化的NCP69x系列用于低功耗的便攜電池供電及“持續開機”(always-on)應用，如線纜調制解調器、衛星接收機、數字機頂盒及電表。
NCP690、NCP691和NCP692是極低壓降(VLDO) 1 A穩壓器件，提供5.0 V到低至1.25 V的可調節輸出電壓，或固定輸出電壓版本。這些器件提供62 dB的電源抑制比(PSSR)、典型
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安森美 CMOS 穩壓器
- 日前，水清木華發布了2009-2010年全球CMOS相機模組行業研究報告。從報告中我們不難看出，CMOS相機模組行業仍是日本企業的天下。排名第一的FUJINON是富士膠卷旗下一員，在300萬像素以上手機鏡頭領域市場占有率超過50%。
手機相機模組的產業鏈異常復雜。手機相機模組產業鏈上三個核心點，一是CMOS圖像傳感器，二是光學鏡頭，三是模組組裝廠家。隨著手機相機像素的上升，封裝廠家也顯得日益重要，而模組組裝廠家日益落寞。CMOS圖像傳感器廠家可以結合光學元件，并經過特殊封裝后直接出貨給手機制造廠
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傳感器 CMOS 圖像傳感器 封裝 晶圓 相機模組
- GlobalFoundries位于德國Dresden的Fab 1正在啟動22nm CMOS工藝的開發，并計劃將該工藝投入量產。目前還不知道該工藝和32nm及28nm工藝所采用的gate-first高k金屬柵CMOS工藝有何差別。
此前，Fab 1被認為將作為45/40nm和32/28nm的主要生產工廠，而正在美國紐約州興建的Fab 8才作為22nm及以下工藝的生產地。
“22nm制程已在Fab 1開動，Fab 1將試產22nm，并投入部分量產。”Fab 1總經理Ud
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GlobalFoundries 22nm CMOS
- 金屬氧化物半導體元件(Complementary Metal-Oxide Semiconductor，CMOS)圖像傳感器和電荷耦合元件(Charge Coupled Device，CCD)攝像器件在20年前幾乎是同時起步的。CCD是應用在攝影攝像方面的高端技術元件，CMOS則應
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原理 設計 傳感器 圖像 CMOS 新型
- 摘要: 設計了一種用于電荷泵鎖相環的CMOS電荷泵電路。電路中采用3對自偏置高擺幅共源共柵電流鏡進行泵電流鏡像，增大了低電壓下電荷泵的輸出電阻，實現了上下兩個電荷泵的匹配。為消除單端電荷泵存在的電荷共享問題
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設計 電荷 CMOS 高性能
- 高端數字成像解決方案的領先開發商 OmniVision Technologies, Inc.(納斯達克代碼： OVTI)，今日宣布其 OV9715 CMOS 圖像傳感器即將上市。該傳感器可用于 360 度視圖以及其他獨立攝像頭或多攝像頭汽車視覺系統中。 這款 100 萬像素的 OV9715 是一款完全達到 AEC-Q100 標準的 CMOS 圖像傳感器，專為高級駕駛輔助系統而優化， 現已向多家頂級汽車供應商供貨。
“OV9715 是引導領先功能的先鋒，它實現了最高端的多攝像頭汽車應用
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OmniVision 圖像傳感器 OV9715 CMOS
- 據中芯國際集成電路制造有限公司資深研發副總季明華撰文披露，2010年，中芯國際將加強65納米的嵌入式工藝平臺和32納米關鍵模塊的研發;同時力爭實 現45納米和40納米技術的小批量試產。
在第四屆(2009年度)中國半導體創新產品和技術評選中，中芯國際有兩項技術獲獎，其一是 “65納米邏輯集成電路制造工藝技術”，其二是“0.11微米CMOS圖像傳感器工藝技術”。
據介紹，目前，中芯國際已經完成了65納米CMOS技術的認證，并于2009年第三季度
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嵌入式 65納米 40納米 CMOS
- Analog Devices, Inc.(http://www.analog.com/zh )，全球領先的高性能信號處理解決方案供應商，今天宣布針對中國市場發布全新的低成本、高速 CMOS 運算放大器 ADA489系列。與其它供應商提供的產品相比，ADA4891系列能夠幫助設計師以更低的成本和更低的功耗實現同樣的高速性能。與此同時，ADI 在高速運算放大器產品領域的行業絕對領導地位以及對于中國市場的長期承諾和投入，也確保了中國客戶能夠得到業界最好的質量保證和技術支持。針對中國市場的需求，ADI 還將彌
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ADI CMOS 運算放大器 ADA489
- 在2010年2月10日召開的國際固態電子電路大會上，IMEC、株式會社瑞薩科技(以下簡稱瑞薩)、M4S聯手推出了利用40nm低功耗CMOS工藝制造而成、帶有RF、基帶和數據轉換器電路的完整收發器。這款完全可重配置的收發器符合各種無線標準和應用要求，并且符合即將推出的移動寬帶3GPP-LTE標準。
可隨時隨地為用戶提供大量服務的無線通信終端發展趨勢，推動了利用深亞微米CMOS工藝制造而成的可重配置無線電的發展。就3GPP-LTE標準自身非常靈活的特性而言，可重配置無線電就成為其最經濟的實現方式。并
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瑞薩 40nm CMOS 無線收發器
- 愛爾蘭丁鐸爾國家研究院的科學家最近宣稱他們成功制出了業內首款非節型晶體管，并稱此項發明對10nm級別制程意義重大，可大大簡化晶體管的制造工藝復雜 程度。這種晶體管采用類似Finfet的結構，將晶體管的柵極制成婚戒型的結構，并在柵極中心制出硅質溝道，溝道的尺寸僅有數十個原子的直徑加起來那么大。
該研發團隊是由Jean-Pierre Colinge教授領導的，這種晶體管的亞閥值斜率接近理想狀態，而且還具備漏電電流小，門限電壓低以及耐溫性好的優點，而且還可以兼容于CMOS工藝。
硅溝道中的電
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晶體管 CMOS
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