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Cell on Peripheral Circuit(以下簡稱Cell on Peri)構造由美光(Micron)與英特爾(Intel)陣營開發(fā)，采用將3D NAND Flash晶胞(Cell)陣列堆疊在周邊電路CMOS邏輯IC上的方式，以縮減采3D NAND Flash解決方案的晶片面積。DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)已提出類似此一構造的COP(Cell Over Peri)方案，將有利整合元件廠(Integrated Device Ma
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3D NAND 美光
DIGITIMES Research觀察，2016年上半三星電子(Samsung Electronics)為全球供應3D NAND Flash的主要業(yè)者，然2016年下半隨東芝(Toshiba)、美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)等存儲器業(yè)者陸續(xù)量產3D NAND Flash，三星獨家供應3D NAND Flash的狀況將改變，不過，三星已及早規(guī)劃增產3D NAND Flash及朝64層堆疊架構邁進，短期內仍將掌握產能與技術優(yōu)勢。
三星已自2013年下半起陸續(xù)量產24層、32層
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三星 3D NAND
三星公司已經開始量產其48層(即單NAND內48層單元，屬于第三代升級技術)3D V-NAND芯片，預計其將被用于SSD T3(mSATA接口加850 EVO V2)、NVMe SSD(PM971-NVMe)以及企業(yè)級SSD(PM1633a)等SSD產品。在各設備當中，將包含大量48層3D V-NAND存儲芯片且通過引線鍵合技術實現彼此堆疊。三星公司在48層3D V-NAND芯片中集成了512 GB存儲單元，意味著每個NAND晶片為32 GB容量(256 Gb)。三星的32層(第二代方案)3D V-N
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三星 V-NAND
韓媒NEWSIS報導，韓國半導體業(yè)者將3D NAND視為克服不景氣的對策。3D NAND是三星電子(Samsung Electronics)最早宣布進入量產的技術，在這之前業(yè)界采用的是水平結構，3D垂直堆疊技術成為克服制程瓶頸的解決方案。
3D NAND比20納米級產品的容量密度高，讀寫速度快，耗電量節(jié)省一半;采用3D NAND Flash存儲器的固態(tài)硬碟(SSD)其電路板面積也較小。基于上述優(yōu)點，對于業(yè)界積極發(fā)展以人工智能平臺的相關服務，3D NAND成為具有潛力，有利于邁入第四次工業(yè)革命的技
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3D NAND 半導體
第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚。
TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯，TLC-Wafer與現貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚，而近一個月漲幅開始增加。
DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，NAND Flash原廠持續(xù)降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
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NAND Flash
全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數以上都是在中國。
根據SEMI的統(tǒng)計，全球在2016年與2017年將開始興建的晶圓廠至少有19座，其中有半數以上都是在中國;而2016年全球半導體廠商晶片制造設備支出估計將可達到360億美元，較2015年增加1.5%，2017年則可望再成長13%、達到407億美元。
包括全新、二手與專屬(in-house)晶圓廠設備支出，在2015年衰退了2%;而SEMI預期，3D NAND快閃記憶體、10奈
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晶圓 NAND
據韓國時報報導，三星電子于15日宣稱“2017年底前斥資25兆韓元擴充3D NAND型快閃存儲器產能”的投資內容尚未敲定，但有分析師似乎認為韓媒的報導內容相當可信。
barron`s.com16日報導，JP摩根發(fā)表研究報告指出，三星應該會在今年底將3D NAND的月產能拉高至接近16萬片晶圓 (西安廠12萬片、Line 16廠接近4萬片)。三星的西安廠目前已接近產能全開，且該公司還計劃把Line 16廠的部分2D NAND產能轉換為3D。
另外，三星也將善用Line
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三星 NAND
中國砸銀彈扶植半導體進度、成效驚人，國際半導體設備材料產業(yè)協(xié)會(Semiconductor Equipment and Materials International，SEMI)上周五發(fā)布最新報告指出，今明兩年全球新增的半導體產能，預估有超過一半都將來自中國。
據SEMI表示，全球2016-2017年共將興建17座半導體廠，當中有10座設在中國，其中兩座生產存儲器、晶圓代工四座、剩余四座規(guī)模較小，主要生產類比式芯片、微機電系統(tǒng)(Micro Electro Mechanical Systems)與
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半導體 NAND
蘋果iPhone 7已展開備貨，記憶體容量倍增，銷售也看好，業(yè)界預期第3季NAND快閃記憶體的需求將好轉，大廠的產能將轉向NAND快閃記憶體，這將帶動DRAM市況也趨健康，記憶體模組廠創(chuàng)見、威剛、宇瞻等，預估下半年營運會比上半年好。
創(chuàng)見預期今年記憶體市況將比去年好轉，主要因上游大廠資本支出較保守，產能增加有限，致使價格趨緩跌;受惠智能手機等產品儲存容量不斷上升，加上SSD取代硬盤態(tài)勢成形，SSD需求強勁，儲存型快閃記憶體(NAND Flash)下半年市況比DRAM佳。
威剛董事長陳立白日
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NAND DRAM
為什么燒錄Nand Flash經常失敗?為什么燒錄成功了，一部分Nand芯片貼板之后系統(tǒng)卻運行不起來?…，等等，問了那么多為什么，那我反問一個問題：你了解Nand Flash的特性及其燒錄關鍵點嗎?
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一、Nand flash的特性
1、位翻轉
在 NAND 閃存是通過對存儲單元(Cell)進行充電來完成數據存儲的，存儲單元的閾值電壓就對應著數據值。當讀取的時候，通過將它的閾值電壓與參考點對比來獲得其數據值。對SLC 而言，就只有兩種狀態(tài)和一個
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Nand 燒錄
存儲器是一個嚴格按照摩爾定律前進、追求低成本的規(guī)模經濟產業(yè)，想做起來太難，在過去的年月里，能夠聽到的只有不斷退出的失敗悲歌，中國這次能否在存儲器市場占有一定規(guī)模呢？
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存儲器 NAND
TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在平均銷售單價下滑幅度明顯高于位元出貨量成長的情況下，第一季NAND Flash品牌商營收較去年第四季下滑2.9%，已連續(xù)兩個季衰退。
2016年第一季全球NAND Flash市況持續(xù)受供過于求影響，通路顆粒合約價下滑約10%;智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦出貨大幅衰退也讓eMMC、用戶級固態(tài)硬碟(SSD)跌價幅度擴大至13~18%。
TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示
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NAND 英特爾
全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應商慧榮科技總經理茍嘉章昨(21)日表示，固態(tài)硬碟(SSD)價格已到甜蜜點，今年出貨將大爆發(fā)，成為成長最強勁的記憶體產品;法人預估臺廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等，可望掀比價效應。
慧榮是以臺灣為研發(fā)重心，立足全球的國際公司，上周五(20日)股價以每股42.19美元創(chuàng)2005年6月在美國那斯達克掛牌以來新高，市值達1.48億美元(約新臺幣48.5億元)，同創(chuàng)歷史新高。
茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會后，針對今年NAND Fl
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NAND Flash
紅色供應鏈來勢洶洶，外界原本認為，陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過有分析師預測，陸廠研發(fā)腳步迅速，可能2018年就能量產3D NAND。
巴 倫(Barronˋs)6日報導，美系外資晶片設備分析師Atif Malik稱，中國透過Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術授權。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發(fā)和交叉授權協(xié)定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate
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新芯 NAND
全球大部分半導體產業(yè)都可能籠罩陰霾，但韓國三星電子憑借強大的技術優(yōu)勢可以擴大部分關鍵產品的市場份額，甚至可能提高營收。這將使三星在逆境中表現優(yōu)于多數同業(yè)。
全球個人電腦(PC)銷量下降，以及智能手機增長放緩，讓半導體產業(yè)遭受沉重打擊。英特爾本月宣布將最多裁員1.2萬。
高通曾表示，第三財季芯片(晶片)出貨量可能下降達22%。SK海力士周二公布季度營業(yè)利潤下降65%，這是其三年來的最差業(yè)績。
將于周四公布第一季財報的三星，也難免遇挫。市場廣泛預計三星芯片獲利將會下降，一些分析師預測1-
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DRAM NAND
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