- 據中芯國際集成電路制造有限公司資深研發副總季明華撰文披露，2010年，中芯國際將加強65納米的嵌入式工藝平臺和32納米關鍵模塊的研發;同時力爭實 現45納米和40納米技術的小批量試產。
在第四屆(2009年度)中國半導體創新產品和技術評選中，中芯國際有兩項技術獲獎，其一是 “65納米邏輯集成電路制造工藝技術”，其二是“0.11微米CMOS圖像傳感器工藝技術”。
據介紹，目前，中芯國際已經完成了65納米CMOS技術的認證，并于2009年第三季度
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嵌入式 65納米 40納米 CMOS
- 日前，移動電視接收芯片提供商泰景信息科技宣布，該公司研發出的第三代模擬移動電視接收CMOS單芯片TLG1121 是泰景第一款基于65納米工藝的產品，較其上一代產品功耗更低、體積更小。憑借該款產品，泰景信息科技將繼續把創新和領先技術源源不斷地注入移動電視市場。
泰景信息科技總裁兼首席執行官盛偉表示：“在鞏固畫面和移動性能的同時，泰景信息科技的第三代模擬移動電視技術實現了體積及功耗方面的技術突破。TLG1121將賦予下一代移動電視設備更長的播放時間和更多的創新設計，能夠滿足消費者在靜止和
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- 英特爾近日宣布，其大連芯片廠將在2010年10月份如期投產。大連芯片廠將采用65納米工藝生產300毫米芯片組。
2007年3月，英特爾宣布投資25億美元在大連建立一個生產300毫米的晶圓廠。
當時，英特爾總裁兼CEO保羅·歐德寧表示，“英特爾大連廠是英特爾15年來第一次在全新的地點興建晶圓廠。在根植中國的22年中，英特爾在封裝測試和研發等領域在中國的投資已經累計超過13億美元。此次新投資將使我們在中國的投資總額達到了40億美元，從而使英特爾稱為中國投資額最大的跨國
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- 繼臺積電提高2010年資本支出達48億美元，晶圓專工大廠聯電3日亦宣布，提高2010年資本支出達12億~15億美元，其中約有94%將用于擴充12寸先進制程產能。聯電執行長孫世偉表示，聯電65納米成長會非常迅速，45/40納米世代占營收比重將增加，同時良率已很穩健。值得注意的是，臺積電、聯電紛上看2010年晶圓代工產業將成長3成，樂觀預期公司可望同步跟著成長，并加碼資本支出，透露在兩大龍頭廠帶領下，將再度掀起12寸廠投資熱潮。
孫世偉表示，對于2010年展望非常樂觀，預估半導體產業可望成長13~1
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臺積電 晶圓代工 65納米 45納米 40納米
- 市場對65納米、40納米先進制程技術的需求不斷看漲，全球前三大晶圓代工廠臺積電、聯電、特許紛紛在2010年擴大資本支出，并在第一季度同步擴充產能。
三大代工積極擴充產能
臺積電2009年向設備商訂購的機器總額已超過30億美元，預計臺積電2010年資本支出最高將達40億美元，創5年來最高。事實上，臺積電2009年曾三度調高資本支出，從年初的13億美元一路調高到27億美元，調幅超過一倍。臺積電還將擴大新竹12英寸廠第五期、南科12英寸廠第三期產能，擴充后月產
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- 隨著市場對65納米、40納米先進制程技術的需求不斷看漲，全球前三大晶圓代工廠臺積電、聯電、特許紛紛在2010年擴大資本支出，并在第一季度同步擴充產能。
三大代工積極擴充產能
臺積電2009年向設備商訂購的機器總額已超過30億美元，預計臺積電2010年資本支出最高將達40億美元，創5年來最高。事實上，臺積電2009年曾三度調高資本支出，從年初的13億美元一路調高到27億美元，調幅超過一倍。臺積電還將擴大新竹12英寸廠第五期、南科12英寸廠第三期產能，擴充后月產能將達20萬片。
聯電預計
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- 按SEMI近期的研究報告指出，中國力圖收窄IC在消耗及產出之間的鴻溝，預計在未來的十年內中國的半導體設備與材料市場將增加一倍。
由假設的鴻溝數字出發，由于中央與地方政府都相應出臺了鼓勵政策，促進在未來十年中設備及材料的采購會大幅增加。
除此之外，隨著中國的芯片制造與封裝測試設備的大量進口也大大促進了中國研發和工藝技術人材的需求迅速增加。
自1997年中國半導體市場超過美國與日本之后，中國的政策制訂者開始極力強調要縮小供需之間的鴻溝。在2008年中國消費了全球芯片的1/4，但是國內產出
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芯片制造 封裝測試 90納米 65納米 45納米
- TSMC6日宣布，客戶美商巨積公司(LSI Corporation)使用TSMC65納米低功耗工藝的降低功耗(PowerTrim)技術，有效減少下一世代產品的總漏電耗能達百分之二十五以上。
TSMC這項降低功耗的技術與服務獲得Tela Innovations公司獨家專利授權，是將設計技術與先進半導體工藝巧妙整和的創新技術，能有效降低每個產品的漏電耗能。
降低功耗軟件(PowerTrim Software)分析巨積公司的設計，并些微增加對時序較不敏感的路徑上的閘極長度，以代替本來的元件。而閘
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- 臺積電繼宣布明年調薪15%，強化人才誘因， 23日又宣布與北京清華大學合作，共同邀請在半導體領域表現杰出的清大校友，在2010年舉辦一系列半導體創新人才演講及座談會，并提供清大先進65納米與90納米制程晶圓共乘服務，協助系統單芯片等技術的創新開發。
臺積電表示，將與清大共同邀請在半導體領域占有一席之地的重要領導人物，每季 2位返校分享全球及中國半導體業發展趨勢、前瞻技術概況、當前市場競爭樣貌及個人創業歷程，為學界和產業界搭起雙向溝通橋梁，以承先啟后，同時對學校研究項目提出產業界建議。
這項
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- 龍芯3在新思科技(EDA集團美國新思科技公司)的幫助下，已經將設計移植到65納米制程。龍芯科技有限公司是中國中科院投資組建，該公司的龍芯3多核心處理器是與新思科技合作設計，首次采用65納米技術。
新思科技提供了重要的設計工具幫助，但是并沒有涉及到流片的相關信息，龍芯3可能會選擇四核心或八核心65納米工藝進行流片實施。
龍芯3的單核心運行頻率計劃為 1G到1.2G左右，四核心龍芯3的功耗計劃控制在10W以下。
龍芯采用 MIPS指令，已經于2009年取得MIPS授權，可以將采用MIPS
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- 張汝京微佝僂著背走進中芯花園的服務中心，大大的腦袋扛在肩膀上，和5年前我們第一次采訪他時相比，歲月的痕跡毫不留情地出現在他身上，按照他自己的話來說，“這幾年折舊很快”——這當然不止是指中芯國際晶圓廠的設備折舊。
過去17個季度中，中芯國際就有16個季度出現虧損，這很大程度上是因為每年高達8億美元的折舊，折舊占到他們銷售額的50%左右，早年一度還超過60%。
也正是因為這樣長達4年的虧損，張汝京常常被股東質疑。11月4日中芯國際敗訴停盤，11月
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- 一對老冤家——臺積電與中芯國際，再次在法庭上打了起來。臺積電先勝一輪。
臺積電的委托律師杰弗里•查寧表示，美國加州法院周二裁定中芯違反了2005年和解協議條款，因盜竊、使用商業秘密將面臨處罰。并強調，處罰額度或超10億美元。
這一數字超過了中芯年度總營收，顯然難以承受，它不太可能妥協行事。昨天，中芯上海總部官方對CBN強調，中芯對美國加州法院的判決表示“遺憾”，但訴訟尚未最終結束，中芯仍會繼續捍衛公司和股東的權益，并考慮繼續上訴等行
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- 英飛凌科技股份公司與臺灣積體電路制造股份有限公司今日共同宣布，雙方將在研發和生產領域擴大合作，攜手開發面向下一代汽車、芯片卡和安全應用的65納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)制造工藝。根據該項協議，英飛凌與臺積電將攜手開發65納米工藝技術，用于生產符合汽車行業嚴格的質量要求及芯片卡和安全行業苛刻的安全要求的嵌入式閃存微控制器(MCU)。
與TSMC擴大合作符合英飛凌制造外包及通過合作大力開發65納米以下工藝的戰略。對于汽車應用而言，65納米嵌入式閃存工藝可確保最高的功能集成度，實現即將出臺的
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- 電子設計企業Cadence設計系統公司今天宣布推出一款全面的低功耗設計流程，面向基于中芯國際65納米工藝的設計工程師。該流程以Cadence低功耗解決方案為基礎，通過使用一個單一、全面的設計平臺，可以更加快速地實現尖端、低功耗半導體產品的設計。
“目前，功耗已成為一個關鍵的設計制約因素，從技術和成本的角度來說，它同時序和面積一樣重要”，SMIC設計服務中心副總裁劉明剛表示，“SMIC-Cadence Reference Flow 4.0具有先進的自動化低功耗設
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- SRAM行業的領先者賽普拉斯半導體公司日前推出了業界首款單片具有144-Mbit密度的SRAM，該產品成為其65納米SRAM產品系列中的最新成員。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存儲器采用65納米工藝技術，由臺灣聯華電子(UMC)的芯片工廠代工生產。該產品擁有市場上最快的時鐘，速率可達550MHz，在36-bit I/O寬度的QDRII+器件中，整體數據率達到80 Gbps，并且其功耗只有采用90納米工藝的SRAM器件的一半。這些產品是諸如互聯網核心與邊
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Cypress 65納米 SRAM
65納米介紹
從1965年Intel公司的Moore提出著名的摩爾定律到今年4月,正好是40年。40年來,半導體器件的發展歷程一直遵循著這一定律。進入2005年,IBM、德國英飛凌、韓國三星和新加坡特許半導體公司聯合的團隊以及美國德州儀器公司等廠商,都推出了65納米工藝制作的半導體集成電路樣品。我國臺灣省的臺積電也將在2005年年底批量生產65納米器件。
與上一代的90納米工藝相比,65納米工藝可以使 [
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