65納米文章最新資訊

中芯國際和Virage Logic拓展伙伴關(guān)系至65納米低漏電工藝

　　備受半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)信賴的 IP 供應(yīng)商 Virage Logic 公司和中國最先進的半導(dǎo)體制造商中芯國際集成電路有限公司(中芯國際)日前宣布其長期合作伙伴關(guān)系擴展到包括65納米(nanometer)的低漏電(low-leakage)工藝技術(shù)。根據(jù)協(xié)議條款，系統(tǒng)級芯片(SoC)設(shè)計人員將能夠使用 Virage Logic 開發(fā)的，基于中芯國際65納米低漏電工藝的 SiWare(TM) 存儲器編譯器，SiWare(TM) 邏輯庫，SiPro(TM) MIPI 硅知識產(chǎn)權(quán) (IP) 和 Intelli(TM)
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中芯國際攜手Synopsys拓展65納米低漏電工藝技術(shù)

　　Synopsys 5月19日宣布開始提供用于中芯國際65納米低漏電工藝技術(shù)的新思科技經(jīng)硅驗證的和獲得USB標(biāo)志認(rèn)證的DesignWare® USB 2.0 nanoPHY知識產(chǎn)權(quán)(IP)。在65nm技術(shù)日漸成為先進IC產(chǎn)品市場主導(dǎo)的今天，中芯的這一舉措有助于其進一步拓展65nm產(chǎn)品線，快速量產(chǎn)65納米低漏電工藝，加快客戶的產(chǎn)品上市時間。　　DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP專為各種高市場容量移動和消費電子應(yīng)用而設(shè)計的，這些應(yīng)用的關(guān)鍵要求包括要實現(xiàn)面積最小、低動態(tài)和泄
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新思科技與中芯國際推出DesignWare USB 2.0 nanoPHY

　　全球半導(dǎo)體設(shè)計制造軟件和知識產(chǎn)權(quán)領(lǐng)先企業(yè)新思科技有限公司和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商中芯國際集成電路有限公司今天宣布開始提供用于中芯國際65納米(nanometer)低漏電(Low Leakage)工藝技術(shù)的新思科技經(jīng)硅驗證的和獲得USB標(biāo)志認(rèn)證的DesignWare® USB 2.0 nanoPHY知識產(chǎn)權(quán)(IP)。作為一家提供包括控制器、PHY和驗證IP等USB2.0接口完整IP解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，新思科技繼續(xù)致力于通過提供高品質(zhì)IP助力設(shè)計人員降低集成風(fēng)險，這些IP具備了驗證過的互操作性，
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新思科技與中芯國際合作推出 DesignWareUSB 2.0 nanoPHY

　　全球半導(dǎo)體設(shè)計制造軟件和知識產(chǎn)權(quán)領(lǐng)先企業(yè)新思科技有限公司和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商中芯國際集成電路有限公司今天宣布開始提供用于中芯國際65納米 (nanoMEter) 低漏電 (Low-Leakage)工藝技術(shù)的新思科技經(jīng)硅驗證的和獲得 USB 標(biāo)志認(rèn)證的DesignWare(R) USB 2.0 nanoPHY知識產(chǎn)權(quán) (IP)。作為一家提供包括控制器、PHY 和驗證 IP 等 USB2.0接口完整 IP 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，新思科技繼續(xù)致力于通過提供高品質(zhì)IP助力設(shè)計人員降低集成風(fēng)險，這些 IP
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聯(lián)電65奈米以下比重大躍進　2Q將達(dá)25%

　　聯(lián)電在先進制程有所進展!聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，該公司在40奈米良率持續(xù)提升，28奈米后閘極(HK/MG)技術(shù)也將于2010年底達(dá)到 IP試制能力，20奈米也于2010年初與客戶合作進行規(guī)畫。孫世偉看好65奈米以下先進制程技術(shù)發(fā)展，估計第2季65奈米以下制程比重將往25%靠近，年底前可望進一步躍升到30~40%。　　聯(lián)電第1季65奈米以下制程技術(shù)比重約18%，較2009年第4季上升1個百分點。預(yù)期第2季可望顯著攀高，將逼近25%。聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉預(yù)期，下半年65奈米以下制程技術(shù)比重可望進一步達(dá)30~
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聯(lián)電為提高先進制程購買設(shè)備

　　編者點評：Globalfoundries的崛起打亂了全球代工被雙雄獨霸的局面。實際上Globalfoundries兼并特許之后, 按Gartner4月的最新數(shù)據(jù),09年全球代工排名中, 臺積電90億美元, 聯(lián)電居第二為27億, 特許的15億及Globalfoundries的11億美元, 所以新Globalfoundries總營收(把特許的計在內(nèi))己達(dá)26億美元 , 十分逼近聯(lián)電的27億美元。因此首先反映強烈的肯定是聯(lián)電, 所以其加強投資及擴大先進制程的市場份額是必為。然而分析Globalfoundri
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臺灣聯(lián)電第一季凈利潤1.1億美元實現(xiàn)同比扭虧

　　據(jù)國外媒體報道，臺聯(lián)電(UMC)日前發(fā)布了2010年第一季度業(yè)績報告。　　在今年第一季度中，臺聯(lián)電實現(xiàn)凈利潤34.8億元新臺幣，約合1.1億美元。去年同期聯(lián)電虧損81.6億新臺幣，而在09年第四季度，公司凈利潤為44億新臺幣。　　湯森路透調(diào)查的分析師此前普遍認(rèn)為，臺聯(lián)電第一季度有望實現(xiàn)凈利潤35.8億元新臺幣。　　公司第一季運營利潤率為12.7%。這一水平低于競爭對手臺積電同期的37%。臺積電大力推行其更為先進的40與65納米工藝技術(shù)，這部分產(chǎn)品帶來的銷售收入約占公司總收入的41%。　
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臺積電65納米晶圓變相漲價

　　臺積電近期與客戶洽談下半年代工價格，占營收最大宗的65納米，因產(chǎn)能持續(xù)短缺，原本下季應(yīng)該降價5%，但現(xiàn)在取消，形同變相漲價。分析師認(rèn)為，65納米變相漲價，將導(dǎo)致臺積電營收隨之攀升。　　臺積電昨日表示，下半年代工價格，都是與客戶長期議定的價格，不會因為短期景氣、隨市場變化而改變。昨天收盤價62.6元，下跌0.4元，在大盤重挫下，相對抗跌。　　晶圓代工廠第二季以來，陸續(xù)與IC設(shè)計客戶追認(rèn)下半年訂單，掌握營運能見度。據(jù)了解，臺積電、聯(lián)電通常會提前兩季，與長期合作、量大客戶敲定兩季以上的價格。　　
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臺積電65納米晶圓變相漲價

　　4月20日早間消息，臺積電近期與客戶洽談下半年代工價格，占營收最大宗的65納米，因產(chǎn)能持續(xù)短缺，原本下季應(yīng)該降價5%，但現(xiàn)在取消，形同變相漲價。分析師認(rèn)為，65納米變相漲價，將導(dǎo)致臺積電營收隨之攀升。　　臺積電昨日表示，下半年代工價格，都是與客戶長期議定的價格，不會因為短期景氣、隨市場變化而改變。昨天收盤價62.6元，下跌0.4元，在大盤重挫下，相對抗跌。　　晶圓代工廠第二季以來，陸續(xù)與IC設(shè)計客戶追認(rèn)下半年訂單，掌握營運能見度。據(jù)了解，臺積電、聯(lián)電通常會提前兩季，與長期合作、量大客戶敲定兩季
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TSMC推出先進工藝之互通式電子設(shè)計自動化格式

　　TSMC7日宣布針對65納米、40納米及28納米工藝推出已統(tǒng)合且可交互操作的多項電子設(shè)計自動化(Electronic Design Automation; EDA) 技術(shù)檔案。這些與設(shè)計相關(guān)的技術(shù)檔案套裝包括可互通的工藝設(shè)計套件(iPDK)、工藝設(shè)計規(guī)則檢查(iDRC)、集成電路布局與電路圖對比 (iLVS)，及工藝電容電阻抽取模組 (iRCX)。　　iPDK、iDRC、iLVS，及iRCX技術(shù)系由TSMC與EDA合作伙伴一同在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的互通項目下通過驗證，也是TSMC「開放創(chuàng)新平臺」之一部份。
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TSMC推出65納米、40納米與28納米之互通式電子設(shè)計自動化格式

　　TSMC 7日宣布針對65納米、40納米及28納米工藝推出已統(tǒng)合且可交互操作的多項電子設(shè)計自動化(Electronic Design Automation; EDA) 技術(shù)檔案。這些與設(shè)計相關(guān)的技術(shù)檔案套裝包括可互通的工藝設(shè)計套件(iPDK)、工藝設(shè)計規(guī)則檢查(iDRC)、集成電路布局與電路圖對比 (iLVS)，及工藝電容電阻抽取模組 (iRCX)。　　iPDK、iDRC、iLVS，及iRCX技術(shù)系由TSMC與EDA合作伙伴一同在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的互通項目下通過驗證，也是TSMC「開放創(chuàng)新平臺」之一部份
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英特爾大連芯片廠今年10月正式投產(chǎn)

　　昨日上午，英特爾大連芯片廠總經(jīng)理柯必杰在接受CNET科技資訊采訪時指出，“英特爾大連芯片廠將于今年10月份正式投產(chǎn)，目前各方面已基本就緒。” 　　柯必杰告訴CNET科技資訊網(wǎng)，“我們現(xiàn)在最大挑戰(zhàn)是確保10月份正式投產(chǎn)。目前我們各方面正在向這個目標(biāo)努力。” 　　2007年3月26日，英特爾宣布投資25億美元在中國大連設(shè)立芯片廠。2007年9月8日，英特爾大連芯片廠奠基并開土動工。　　2009年3月份，英特爾大連芯片廠遷入主體功能大樓
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中芯國際寧先捷：65納米技術(shù)國際領(lǐng)先

　　寧先捷創(chuàng)業(yè)感言：在半導(dǎo)體芯片行業(yè)，國內(nèi)企業(yè)與國際廠商最大的差距還是人才儲備，比培養(yǎng)人才更難的是留住人才。北京市以及開發(fā)區(qū)對人才的重視解除了高科技企業(yè)的后顧之憂，對于歸國的海外學(xué)人來說，最重要的就是感到受重視。　　虎年春節(jié)，寧先捷終于和家人一起過了年。身為中芯國際集成電路制造(北京)有限公司技術(shù)開發(fā)中心負(fù)責(zé)人，他此前三個春節(jié)幾乎都是在車間里度過的。是什么讓中芯國際從海外請來的這位技術(shù)大腕以廠為家，即使過年也要堅守崗位? 　　寧先捷和他的研發(fā)團隊歷經(jīng)三個寒暑，終于使中芯國際的65納米半導(dǎo)體產(chǎn)品達(dá)到國
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英特爾大連12寸晶圓廠10月投產(chǎn)

　　據(jù)中國臺灣媒體報道，英特爾中國區(qū)董事總經(jīng)理戈峻近日稱，英特爾大連12寸晶圓廠將于10月投產(chǎn)，采用65納米制程切入，生產(chǎn)芯片組產(chǎn)品。　　臺積電、日月光、硅統(tǒng)等臺系廠商將面臨挑戰(zhàn)，友尚等英特爾產(chǎn)品重要伙伴，則可望與英特爾合作擴大搶進大陸內(nèi)需商機，成為受惠一族。大陸半導(dǎo)體年度盛會 “SEMICONChina”正在上海舉行，戈峻代表英特爾中國區(qū)出席會場。戈峻宣布大連廠10月開始投產(chǎn)，是英特爾在全球第八個、亞洲第一個12寸晶圓廠。　　分析人士稱，大陸半導(dǎo)體內(nèi)需市場需求強勁，但內(nèi)地
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代工-半導(dǎo)體市場晴雨表

　　隨著半導(dǎo)體分工的細(xì)化，F(xiàn)oundry領(lǐng)域已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中不可缺少的一環(huán)，對于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的健全帶來正面的影響，其重要性將會與日俱增，我們就以Foundry的領(lǐng)導(dǎo)者臺積電(TSMC)的觀點作為本次展望的總結(jié)。　　臺積電(中國)有限公司總經(jīng)理陳家湘認(rèn)為，F(xiàn)oundry領(lǐng)域未來的挑戰(zhàn)包括如何繼續(xù)成長以及如何保持獲利，需要積極把握進入新的集成電路應(yīng)用市場的機會，此外，要能提供更多樣的制程技術(shù)，進入其它尚未使用專業(yè)集成電路制造服務(wù)的半導(dǎo)體市場，也就是說，除了互補式金氧半導(dǎo)體邏輯制程之外，F(xiàn)oun
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65納米介紹

　　從1965年Intel公司的Moore提出著名的摩爾定律到今年4月,正好是40年。40年來,半導(dǎo)體器件的發(fā)展歷程一直遵循著這一定律。進入2005年,IBM、德國英飛凌、韓國三星和新加坡特許半導(dǎo)體公司聯(lián)合的團隊以及美國德州儀器公司等廠商,都推出了65納米工藝制作的半導(dǎo)體集成電路樣品。我國臺灣省的臺積電也將在2005年年底批量生產(chǎn)65納米器件。　　與上一代的90納米工藝相比,65納米工藝可以使 [ 查看詳細(xì) ]

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