為了進一步提高NAND Flash生產效益，2016年Flash原廠將切入1znm(12nm-15nm)投產，但隨著逼近2D NAND工藝可量產的極限，加快向3D技術導入已迫在眉睫，2016年將真正迎來NAND Flash技術拐點。
1、積極導入48層3D技術量產，提高成本競爭力
與2D工藝相比，3D技術的NAND Flash具有更高的性能和更大的存儲容量。3D技術若采用32層堆疊NAND Flash Die容量達128Gb，與主流2D 1y/1znm 128Gb相比缺乏成本競爭力。
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3D NAND 2D
大陸半導體產業代表性企業清華紫光集團，投資人民幣600億元興建DRAM工廠，將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業。該投資規模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規模相當。DRAM廠規模也不亞于三星全球最大半導體園區平澤園區。
由南韓與美國企業瓜分的DRAM市場將迅速轉變。大陸憑藉價格競爭力加入市場后，不僅將刺激產業地殼變動，也將使主導DRAM市場的南韓地位出現變化。
大陸其實早已預告將進軍半導體、DRAM市場，進入市場只
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半導體 DRAM
中國紫光欲與美韓合作DRAM(動態隨機存取內存)碰壁后，日本DRAM大廠爾必達前社長坂本幸雄所主導成立的兆基科技(Sino King)，近日確定與中國合肥市政府合作，將結合日本研發技術與中國的資金力量，兩年后在合肥量產DRAM。據了解，相關合作細節預計本周于日本舉行記者會說明。
臺灣DRAM業界指出，爾必達于2012年倒閉并由美光并購后，坂本幸雄與爾必達研發團隊一些成員，另起爐灶新成立兆基科技，除了網羅臺灣的力晶科技等DRAM部分人馬加入，也傳出看好中國內存市場，加上中國企圖建立自主技術，地方政
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紫光 DRAM
大陸半導體產業代表性企業清華紫光集團，投資人民幣600億元興建DRAM工廠，將成為首間擁有DRAM工廠的大陸企業。該投資規模與全球DRAM龍頭廠三星電子(SamsungElectronics)及SK海力士(SKHynix)年度投資規模相當。DRAM廠規模也不亞于三星全球最大半導體園區平澤園區。
由南韓與美國企業瓜分的DRAM市場將迅速轉變。大陸憑藉價格競爭力加入市場后，不僅將刺激產業地殼變動，也將使主導DRAM市場的南韓地位出現變化。
大陸其實早已預告將進軍半導體、DRAM市場，進入市場只
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半導體 DRAM
三星電子(Samsung Electronics)原本預定2016年要在大陸西安半導體工廠進行第二階段的投資，日前傳出這項計劃目前處于保留狀態。業界預估，2016年將會進入記憶體7年來最糟的供需不平衡情況，加上東芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)與英特爾(Intel)等紛紛增設NAND Flash工廠，也使三星開始擔心供貨量劇增的惡性競爭情況。
目前三星電子西安工廠只使用整體腹地(約34萬坪)的5分之1，而且以目前的設備來說，已經到達最大產能，所以南韓業界原本認為，三星將在2016年內
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三星 DRAM
DRAMeXchange公布去年第4季DRAM統計報告，受到DRAM平均銷售單價持續下降及市況持續供過于求影響，第4季全球DRAM總產值為102.7億美元，季減9.1%。
DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示，去年第4季雖有蘋果iPhone 6s出貨加持，筆電出貨亦比預期更佳，但由于各DRAM廠制程轉進，如SK海力士21奈米正式投片、美光大幅轉進20奈米制程，都讓產出持續增加，使得當季DRAM價格持續下修。
三星依然是DRAM產業的龍頭，雖然DRAM營收下跌9.7%至47.6億美元，
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DRAM 三星
存儲芯片在新一代信息技術產業中扮演著重要角色，但前5家公司高度壟斷全球市場，我國發展存儲芯片產業關乎國家安全，意義重大。
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美光 DRAM
全球DRAM市場先抑后揚。2015年DRAM收入預計下降2.4%，2016年將下降10.6%，有望在2017年與2018年迎來復蘇。但是，預測隨著中國公司攜本地產品進入DRAM市場，DRAM價格將在2019年再次下降;占2014年內存用量需求20.9%的傳統產品(桌面PC與傳統筆記本電腦)產量預計在2015年下降11.6%，并在2016年進一步下降6.7%。
DRAM市場2016年供過于求
近期，我們對于DRAM市場的預測不會發生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場總體營收下滑，而在
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3D NAND
大陸紫光集團已確定在大陸華南地區籌建12寸DRAM廠，并循當年臺塑集團與美光合資華亞科的商業模式，由紫光出資建廠，再邀請美光等國際大廠入股，解決技術授權問題。
據了解，此計畫由前華亞科董事長、現為紫光集團執行副總裁的高啟全親自操刀，業界盛傳，日本前爾必達總裁坂本幸雄亦有意加入。
大陸官方自前年成立國家積體電路產業投資基金(簡稱大基金)后，就有意投入自建記憶體供應鏈，但不論是DRAM或NAND Flash，主要制程專利及矽智財都掌握前國際大廠手中，因此，率先表態要自建記憶體產能的紫光集團，由
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紫光 DRAM
經濟部統計處資料顯示，臺灣集成電路業產值雖持續成長，但去年增率卻是近三年來首見個位數成長，也結束自2011年以來的上升走勢，臺灣經濟部指出，去年臺灣DRAM產值成長由正轉負，加上晶圓代工成長下滑，整體集成電路業產值年增率僅6.2%。
臺灣集成電路產值在2014年產值突破兆元大關，去年上半年延續榮景，較前年同期成長23.9%，但下半年因全球經濟復蘇力道疲弱，尤其新興市場需求明顯下降，抑制終端消費性電子產品銷售成長動能，下半年衰退7.9%。
去年集成電路業產值增率6.2%，是自2011年低點反
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DRAM 晶圓
3D 打印和增材制造解決方案的全球領導者 Stratasys Ltd.(納斯達克代碼：SSYS)上海分公司與便攜式 3D 測量解決方案和工程服務領域的全球領航者Creaform形創中國，今天聯合宣布將兩公司的戰略合作拓展至中國大陸與香港地區。 Stratasys與形創的此次合作，將為市場提供更加整合的3D解決方案，讓用戶得以同時利用前沿的3D掃描技術與3D打印技術，完成從輸入端的產品掃描到輸出端的產品成型，確保工作流程一氣呵成。此次合作將以教
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Stratasys 3D 打印
清華紫光集團所屬的清華控股董事長徐井宏，昨天在瑞士達沃斯的世界經濟論壇現場，接受彭博訪問時坦承，由于美國主管機關豎立的障礙，美光投資案過關的機會渺茫，但紫光集團仍持續推動與美光或其他公司的合作，希望藉此在記憶晶片與IC領域取得突破。
他表示，紫光集團可能尋求其他與美光的合作方式，例如成立中美合資企業。
徐井宏也透露，清華紫光集團旗下的3大平臺之中，主攻DRAM的同方國芯，今年將投下約2000億人民幣，再買下兩家海外IC業者，但沒有透露可能購并對象。
徐井宏也提到，2016紫光集團的海
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紫光 DRAM
三星電子2016年1月19日宣布，已開始量產HBM2標準(HBM：High Bandwidth Memory，高帶寬內存)的4GB DRAM芯片。JEDEC固態技術協會12日剛剛宣布HBM2成為JEDEC標準“JESD235A”。
HBM2標準的DRAM芯片的結構。
按照HBM2標準，DRAM芯片內可縱向層疊最大8Gbit的存儲器裸片，裸片之間通過TSV(硅通孔)連接。三星于2014年8月發布了配備36顆2GB DRAM的64GB服務器用
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三星 DRAM
日前美光(Micron)公布最新1季結果表現不佳，截至2016年2月止第2季展望也不佳，消息傳出后造成股價下跌5%，也讓眾多分析師跌破眼鏡。
評論認為，由于傳統第1季是DRAM價格淡季，而且PC與移動裝置帶動DRAM成長有限，因此DRAM廠商表現黯淡早已可期，但也凸顯美光必須考慮加強布局3D XPoint技術必要性。
據SemiWiki網站報導，DRAM已成為半導體產業最終普遍性產品，因此，相當容易受到供需平衡變化而導致價格改變。加上目前正處于需求弱但供應強階段，因此，DRAM廠商欲求好表
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美光 DRAM
慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)宣布推出全球首款支持多家供應商主流3D NAND產品的交鑰匙式企業版SATA SSD控制器解決方案。這款性能增強的控制器解決方案將有助加快推進最具競爭力的高性能SSD產品在市場上的應用。此次2016年拉斯維加斯消費電子展期間(2016 Consumer Electronics Show)，慧榮科技也將展出其使用了升級版SM2246EN
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慧榮科技 3D NAND
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