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3D NAND還是卷到了300層
- 近日,三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存,據(jù)爆料,這款閃存將采用雙層堆棧架構,并超過 300 層。同樣在 8 月,SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存,并計劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份,據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道,西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知,固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價和容量還
- 關鍵字: V-NAND 閃存 3D NAND
3D DRAM時代即將到來,泛林集團這樣構想3D DRAM的未來架構
- 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設備,如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮,隨著技術在節(jié)點間迭代,芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐,向三維發(fā)展,以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。(NAND指“NOT AND”,意為進行與非邏輯運算的電路單元。)l 這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展,因為它能推動存儲器技術的突破,而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
- 關鍵字: 3D DRAM 泛林
Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

- 中國上海,2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國(上海)機器視覺展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案,Teledyne DALSA、e2v 和 FL
- 關鍵字: Teledyne Vision China 3D AI成像
3D NAND 堆疊可超 300 層,鎧俠解讀新技術
- 5 月 5 日消息, 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術儲備,雙方正在努力實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。此外,鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件,這是一個具有實驗性的 3D NAND IC,通過金屬誘導側向
- 關鍵字: 3D NAND
平面→立體,3D DRAM重定存儲器游戲規(guī)則?
- 近日,外媒《BusinessKorea》報道稱,三星的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化,并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法,據(jù)稱這將改變存儲器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么?它將如何顛覆DRAM原有結構?壹摩爾定律放緩,DRAM工藝將重構1966年的秋天,跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM),而在不久的將來,這份偉大的成就為半導體行業(yè)締造了一個影響巨大且市場規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
- 關鍵字: 3D DRAM 存儲器
外媒:存儲大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化
- 據(jù)外媒《BusinessKorea》報道,三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化,并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長兼工藝開發(fā)室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區(qū)三成洞韓國貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示,3D DRAM被認為是半導體產(chǎn)業(yè)的未來增長動力。考慮到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況,業(yè)界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然,而不是一種方向。與現(xiàn)有
- 關鍵字: 存儲 3D DRAM
芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”

- 國內(nèi)EDA行業(yè)領導者芯和半導體,由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設計分析方面的杰出表現(xiàn),近日在半導體行業(yè)國際在線平臺3D InCites的評選中,獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱號。? “Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設計,這一事件引起了我們極大的關注。“3D InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示,” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D InCi
- 關鍵字: 芯和半導體榮 3D InCites Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎
芯和半導體榮獲3D InCites “Herb Reiter年度最佳設計工具供應商獎”

- 國內(nèi)EDA行業(yè)領導者芯和半導體,由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設計分析方面的杰出表現(xiàn),近日在半導體行業(yè)國際在線平臺3D InCites的評選中,獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設計工具供應商獎”稱號。?“Xpeedic芯和半導體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設計,這一事件引起了我們極大的關注。“3D?InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示,” 我們非常興奮芯和半導體今年首次參加3D
- 關鍵字: 芯和半導體 3D InCites Herb Reiter年度最佳設計工具供應商獎
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