- 在公布最新季度財報的同時，臺積電也第一次公開承認，其40nm制造工藝碰到了一些麻煩。
臺積電在去年底基本準時地上馬了40nm生產線，并在今年第一季度貢獻了大約1%的收入，高于預期水準，預計今年第二季度會達到2%左右。
臺積電CEO蔡力行在回答分析師的提問時說：“良品率是有些問題。對制造商而言40nm是一項非常困難的技術。(不過)我們已經找到了問題的根源，并且已經或正在解決。”
結合此前消息，臺積電40nm工藝可能無法很好地控制漏電率，難以制造高性能GPU芯片，
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- 東芝日前展示了基于32納米制造工藝的單芯片32Gb NAND Flash閃存芯片。首批32Gb芯片將主要被應用于記憶卡和USB存儲設備，未來會擴展到嵌入式產品領域。
隨著越來越多的移動設備在聲音和影像方面的逐步數字化，高容量、更小巧的內存產品在市場上的需求也越來越強勁。
新的芯片產品將在東芝位于日本三重縣四日市的工廠內制造。東芝公司將比原計劃提前2個月，從2009年7月起，大批量生產32Gb NAND Flash閃存芯片。16Gb產品則會從2009財年第三季度(2009年10月到12月)開
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- 韓聯社4月27日電稱，Hynix(海力士)半導體成功研發(fā)采用54納米技術的世界最高性能的1Gb移動低電雙倍速率(LPDDR2)動態(tài)隨機存儲器(DRAM)產品。Hynix表示，該產品是世界上第一款可以在平均1.2伏的低電壓下實現1066Mbps超高速數據傳輸速度的移動DRAM，在工藝技術、電壓、速度方面具備世界最高性能。
據介紹，該產品可在平均1.2伏、最低1.14伏的低電壓下工作，接近于現有的1.8伏移動DRAM的50%，并且僅為PC DDR2產品的30%。這意味著，1秒內下載5、6部普通長度的
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- 賽普拉斯-SRAM 領域的業(yè)界領先公司，日前宣布，該公司在業(yè)界率先推出采用 65 納米線寬的 Quad Data Rate™ (QDR™) 和 Double Data Rate (DDR) SRAM 器件樣品。新推出的 72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存儲器采用了賽普拉斯合作伙伴制造商 UMC 開發(fā)的工藝技術。新型 SRAM 實現了目前市場上最快的 550 MHz時鐘速度，在 36 位 I/O 寬度的 QDRII+ 器件中可實現高達 80
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- 思源科技(SpringSoft)與聯華電子(UMC) 4月28日共同宣布，將提供已通過晶圓專業(yè)驗證的LakerTM制程設計套件(PDK)予聯華電子65nm制程技術使用，從而滿足了雙方共同客戶在特殊設計與尖端制程上的需求。
Laker-UMC PDK能支持聯華電子的65nm CMOS(互補金氧半導體制程)標準邏輯制程及混合模式技術與低介電值絕緣層。聯華電子65奈米標準效能制程能讓設計公司為各種不同的應用產品提供動力，包括消費產品與繪圖芯片?？梢詧?zhí)行的技術選項包括混合信號/RFCMOS(射頻互補金氧
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- 東芝昨天宣布，于業(yè)界首家開始出貨32nm工藝NAND閃存顆粒。其中，全球首顆32nm工藝32Gb(4GB)NAND單芯片樣品即日起出貨，主流容量16Gb(2GB)顆粒樣品將于今年7月推出。東芝表示，首批32nm NAND閃存將主要用于存儲卡和USB存儲設備，未來會擴展到嵌入式產品領域。
目前，東芝是全球領先的32GB閃存供應商，使用8顆43nm工藝32Gb顆粒堆疊而成。而32nm工藝的應用將進一步提高生產效率，減小芯片體積，適應更高容量，更小巧的掌上產品需求。
東芝的32nm工藝32Gb
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- Toppan Printing公司在同IBM的合作下，開發(fā)出新的光刻掩膜制造技術，可用于制造32nm和28nm掩膜。
該公司稱，這些掩膜在日本Asaka工廠制成，通過了IBM的認證。
Toppan從45nm節(jié)點就開始和IBM合作，去年雙方簽署了32nm掩膜技術的最后階段的合作協(xié)議，以及22nm掩膜的合作開發(fā)協(xié)議。
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- 全球電子設計創(chuàng)新領先企業(yè)Cadence設計系統(tǒng)公司(Nasdaq: CDNS)與全球最大的專業(yè)積體電路制造服務公司-臺灣積體電路制造股份有限公司(TWSE: 2330 , NYSE: TSM) (以下簡稱臺積公司)今日共同宣布推出業(yè)界第一款的混合信號/射頻參考設計”錦囊”(MS/RF RDK)。這款錦囊采用Cadence? Virtuoso?混合信號技術研發(fā)完成，可提供矽芯片特性行為模型(silicon-characterized behavioral mode
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- 全球硅IP龍頭安謀(ARM)宣布與臺積電40納米泛用型制程合作實體IP。未來將鎖定磁碟機、機上盒、行動運算裝置、網絡應用、高傳真電視和繪圖處理器等芯片市場提供臺積電制程、安謀IP庫的制造服務。
安謀表示，與臺積電40納米泛用型制程合作的技術平臺包括高效能和高密度標準元件庫(Standard Cell libraries)、電源管理工具組和工具組元件庫，可以解決芯片設計所產生的漏電問題，進階電源管理是安謀存儲器架構不可或缺的一部分，有助于大幅降低系統(tǒng)單芯片設計動態(tài)功耗與漏電功耗，在多處理器架構下發(fā)
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- ARM公司近日宣布，開始向臺積電的40納米G制造工藝提供業(yè)界最完善的IP平臺。這一ARM® 最新的、已通過流片驗證的物理IP能夠滿足性能驅動消費產品的高成本效率開發(fā);這些產品要求在不提高功耗的前提下提供先進的功能。這一平臺是為那些期望使用40納米工藝進行設計的開發(fā)者設計的，能夠促進更高水平的技術創(chuàng)新，同時保持性能驅動消費產品的功耗水平。這些消費產品包括：磁盤驅動器、機頂盒、移動計算設備、網絡應用、高清電視以及圖形處理器。
通過多通道的邏輯庫，ARM平臺提供了非常高的靈活性。這些庫包括高性
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- 人類一直試圖讓設備自動從周圍環(huán)境中獲取能量。早在20世紀初，研究人員就通過不同的途徑研究此類設備。如今，美國佐治亞理工學院教授王中林的研究小組開發(fā)出能同時收集太陽能和機械能的復合型納米發(fā)電機，并首次實現了能同時收集多種能源的單一集成器件。這一最新的研究成果發(fā)表在《美國化學會志》網絡版上。
王中林、王旭東博士和博士生許晨等在他們2006年發(fā)明的直流納米發(fā)電機的基礎上，集成了染料敏化太陽能電池的功能。兩個發(fā)電單元都基于氧化鋅納米陣列，共用同一個金屬電極。此外，通過不同的設計及組裝步驟，太陽能電池
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- 本報訊美國密歇根大學科學家開發(fā)出一種由納米級憶阻器構成的芯片，該芯片能存儲1千比特的信息。發(fā)表在《納米通訊》上的此項研究成果將有可能改變半導體產業(yè)，使成功研制出更小、更快、更低廉的芯片或電腦成為可能。
憶阻器是一種電腦元件，可在一簡單封裝中提供內存與邏輯功能。此前，由于可靠性和重復性問題，所展示的都是只有少數憶阻器的電路，而研究人員此次展示的則是基于硅憶阻系統(tǒng)并能與CMOS兼容的超高密度內存陣列。CMOS指互補金屬氧化物半導體，是一種大規(guī)模應用于集成電路芯片制造的原料。
雖然1千比特的信息
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- 據DigiTimes網站報道，大陸本土半導體設備業(yè)者中微半導體盡管在與國際大廠應用材料(Applied Materials)及科林研發(fā)(Lam Research)官司纏訟之中，但開拓市場腳步未停歇，目前45納米蝕刻機臺已經打入臺積電12寸廠，正在進行設備驗證，同時也與韓國存儲器業(yè)者合作當中。中微亞太區(qū)總經理朱新武表示，中微完全是走自主研發(fā)路線，目前不僅65/45納米機臺已打入一線半導體業(yè)者供應商行列，也已著手下1世代32
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- 未來的醫(yī)療世界，是靠人體內納米級的醫(yī)療機械組件實現。納米機械人約有0.5~3微米的長度，并由數個范圍自1-100納米等不同直徑的組件所構成，主要的成份是以納米級的碳原子構成的鉆石成份所組成。這些納米機械人可以爬行、轉圈甚至在人體內擷取影像并診斷出使用傳統(tǒng)掃描技術未能診斷的疾病。更可以傳輸藥品治療腫瘤而不必開刀。其功能包括一、治療皮膚?。欢?、清潔口腔；三、增加免疫系統(tǒng)；四、強化心血管系統(tǒng)；五、植入人體。目前納米科技已成為各
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納米 傳感器 微小化 醫(yī)療儀器
- 美國IBM公司研究中心和斯坦福大學納米探索中心的科學家們共同開發(fā)出一種磁共振成像儀（MRI），其分辨率要比常...
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