- 美國研究人員在最新一期美國《國家科學院學報》上發表報告說,他們利用脂膜納米導線開發出一種融入生物成分的納米電子裝置,這種生物納米電子裝置不但可以 改善診斷工具的性能,而且可以提高神經修復技術的水平.現代通訊設備依靠電場及電流傳遞信息,而生物系統則利用膜受體控制信號傳遞,其速度可以遠遠超過世 界上最強大的計算機.例如,將聲波轉換成神經脈沖是一個非常復雜的過程,但人耳卻可以毫不費力地完成這一過程.如果將生物系統與電子裝置相結合,無疑將有 助于提高計算機等電子設備的性能.
據此,研究人員將目光轉向脂膜
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生物 納米 導線
- 美國北卡羅來納大學與賴斯大學的科學家最近發明了一種新的半導體制作工藝,研究人員稱這種發明能讓Intel這樣的芯片公司“突破摩爾定律的禁錮”,并造出更小更強的處理器。該項發明研究了一種新的硅半導體雜質摻雜方法,科學家們稱之為“單分子層嫁接”。過去,半導體是通過向硅晶體內部摻雜雜質而制成的,但隨著半導體工藝的發展,晶體管的尺寸也越來越小,這樣就很容易出現不同器件之間摻雜度存在差異的情況,造成器件間的性能差異。
為了解決這個問題,這項新發明改變了向半
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Intel 處理器 納米 半導體
- SEMI日前公布了2009年6月份北美半導體設備制造商訂單出貨比報告。按三個月移動平均額統計,6月份北美半導體設備制造商訂單額為3.234億美元,訂單出貨比為0.77。訂單出貨比為0.77意味著該月每出貨價值100美元的產品可獲得價值77美元的訂單。
報告顯示,6月份3.234億美元的訂單額較5月份2.878億美元最終額增長12%,較2008年6月份的9.342億美元最終額減少69%。
與此同時,2009年6月份北美半導體設備制造商出貨額為4.196億美元,較5月份3.92
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半導體設備 平板顯示 納米 MEMS
- Micron Technology近日宣布采用34nm工藝技術的NAND閃存芯片實現量產。Micron還稱其子公司Lexar Media將推出34nm閃存卡和USB閃盤。
Micron和其伙伴Intel近期宣布通過合資公司IM Flash推出34nm芯片。Micron目前正在為2x nm技術做準備,計劃于第四季度推出樣品。
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Micron 納米 NAND USB閃盤
- 為家庭娛樂、通信、網絡和便攜式多媒體市場提供業界標準處理器架構與內核的領導廠商 MIPS Technologies, Inc 今天宣布,恩智浦半導體公司 (NXP Semiconductor) 已采用 MIPS32™ 24KEf 內核進行全球首款 45 納米數字電視處理器開發。這款型號為 PNX85500 的處理器是 NXP TV550 全球單芯片數字電視平臺背后的重要推動力量,可協助制造商提供許多先進的 HDTV 功能,并以無與倫比的圖像質量獲取互聯網內容。
市場研究公司 In-S
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NXP MIPS32 45 納米 PNX85500 HDTV
- 芯片設計解決方案供應商微捷碼(Magma®)設計自動化有限公司日前宣布,NVIDIA公司已部署微捷碼的Talus® 1.1 IC實現系統到其全面生產環境中。Talus 1.1版本提供了布線、優化和運行時間方面的顯著改善以及增強的可用性特征。NVIDIA是在參加這一最新Talus版本的beta測試后,基于肯定的測試結果以及改善的流程性能才決定開始使用Talus 1.1進行其生產設計項目。
“基于核心算法、流程融合和整體可用性方面的顯著改善,我們近期已在我們的生產環境升級
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Magma IC設計 納米 Talus IC實現系統
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出雙通道 DC/DC 轉換器 LT3582、LT3582-5 和 LT3582-12,這些器件提供了很多偏置應用所需的正和負輸出,例如有源矩陣 OLED (有機發光二極管) 顯示器以及 CCD (電荷耦合器件) 應用。LT3582/-5/-12 提供一個 I2C 接口,該接口可按照應用要求,對輸出電壓、電源排序和輸出電壓斜坡動態編程。這些參數也可以在制造過程中設置,并通過內置非易失性 OTP (一次可編程) 存儲器成為永久
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Linear DC/DC 轉換器 LT3582 LT3582-5 LT3582-12
- 22納米制程微顯影曝光設備業者Mapper傳出設備進度遞延,Mapper目前是與臺積電在新世代半導體曝光設備合作最密切的業者之一,Mapper的進度遞延已經讓原本預期進駐臺積電的22納米多重電子束(Multiple E-beam)設備向后延期。臺積電目前積極在深紫外光(EUV)與多重電子束方面尋求更具成本競爭的曝光技術,Mapper技術出現瓶頸,將為臺積電技術進程埋下未知數。
據了解,受到景氣沖擊,投資者資本支出保守,新興設備業者Mapper在22納米制程之后的曝光技術投資也受到影響,因而對于先
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- 羅切斯特大學與柯達公司的研究人員近日宣稱他們研發出了一種新的納米發光晶體材料,這種材料能在吸收能量后持續保持發光狀態,而不是像以前那樣將能量通過發熱方式耗散掉。該材料有望應用于高亮度LED照明,廉價激光器制造等應用場合,還可以被用來開發更薄的電視,顯示器產品。
羅切斯特大學教授Todd Krauss說:“納米晶體從光子吸收能量后,將通過發光或發熱兩種方式來耗散能量。”通過第一種方式耗散能量的晶體類型被稱為非閃爍型納米晶體(non-blinking nanocrystal)
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- 摘要:從原理上分析了納米氣相二氧化硅膠體鉛酸蓄電池的特性,介紹了一種研究成果,應用于鉛蓄電池的硅膠體的制造原理和方法。主要是利用表面化學的基本原理和電化學動力學催化的基本方法,應用納米氣相Si02溶膠的半
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- 在公布最新季度財報的同時,臺積電也第一次公開承認,其40nm制造工藝碰到了一些麻煩。
臺積電在去年底基本準時地上馬了40nm生產線,并在今年第一季度貢獻了大約1%的收入,高于預期水準,預計今年第二季度會達到2%左右。
臺積電CEO蔡力行在回答分析師的提問時說:“良品率是有些問題。對制造商而言40nm是一項非常困難的技術。(不過)我們已經找到了問題的根源,并且已經或正在解決。”
結合此前消息,臺積電40nm工藝可能無法很好地控制漏電率,難以制造高性能GPU芯片,
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- 東芝日前展示了基于32納米制造工藝的單芯片32Gb NAND Flash閃存芯片。首批32Gb芯片將主要被應用于記憶卡和USB存儲設備,未來會擴展到嵌入式產品領域。
隨著越來越多的移動設備在聲音和影像方面的逐步數字化,高容量、更小巧的內存產品在市場上的需求也越來越強勁。
新的芯片產品將在東芝位于日本三重縣四日市的工廠內制造。東芝公司將比原計劃提前2個月,從2009年7月起,大批量生產32Gb NAND Flash閃存芯片。16Gb產品則會從2009財年第三季度(2009年10月到12月)開
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東芝 納米 閃存芯片
- 韓聯社4月27日電稱,Hynix(海力士)半導體成功研發采用54納米技術的世界最高性能的1Gb移動低電雙倍速率(LPDDR2)動態隨機存儲器(DRAM)產品。Hynix表示,該產品是世界上第一款可以在平均1.2伏的低電壓下實現1066Mbps超高速數據傳輸速度的移動DRAM,在工藝技術、電壓、速度方面具備世界最高性能。
據介紹,該產品可在平均1.2伏、最低1.14伏的低電壓下工作,接近于現有的1.8伏移動DRAM的50%,并且僅為PC DDR2產品的30%。這意味著,1秒內下載5、6部普通長度的
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- 賽普拉斯-SRAM 領域的業界領先公司,日前宣布,該公司在業界率先推出采用 65 納米線寬的 Quad Data Rate™ (QDR™) 和 Double Data Rate (DDR) SRAM 器件樣品。新推出的 72-Mbit QDRII、QDRII+、DDRII 和 DDRII+ 存儲器采用了賽普拉斯合作伙伴制造商 UMC 開發的工藝技術。新型 SRAM 實現了目前市場上最快的 550 MHz時鐘速度,在 36 位 I/O 寬度的 QDRII+ 器件中可實現高達 80
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賽普拉斯 納米 SRAM
- 思源科技(SpringSoft)與聯華電子(UMC) 4月28日共同宣布,將提供已通過晶圓專業驗證的LakerTM制程設計套件(PDK)予聯華電子65nm制程技術使用,從而滿足了雙方共同客戶在特殊設計與尖端制程上的需求。
Laker-UMC PDK能支持聯華電子的65nm CMOS(互補金氧半導體制程)標準邏輯制程及混合模式技術與低介電值絕緣層。聯華電子65奈米標準效能制程能讓設計公司為各種不同的應用產品提供動力,包括消費產品與繪圖芯片。可以執行的技術選項包括混合信號/RFCMOS(射頻互補金氧
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