隨著晶體管向10nm、7nm甚至更小尺寸的發展，半導體行業面臨著真正的材料選擇困擾?；?、溝道、柵和接觸材料都迫切需要評估。
“在14nm,10nm工藝時代，器件架構是確定的。”Intermolecular有限公司半導體部門高級副總裁兼總經理RajJammy表示，“大多數情況下采用FinFET架構，當然也有其它選項，如完全耗盡型絕緣硅(SOI)。”
對于10nm和7nm來說，Jammy認為高K值金屬柵將占主導地位，但真正的挑戰將是溝道
關鍵字：
半導體材料 10nm
三星電子(SamsungElectronics)半導體事業暨裝置解決方案(DS)事業部旗下半導體總括兼系統LSI事業部長金奇南，將以10奈米級記憶體晶片量產一決勝負。DS事業部的技術研發和投資焦點，也從設計技術轉移到制程技術。
自1993年起，三星在記憶體市場上維持超過20年的霸主地位，秘訣就在于提升制程技術，拉大與競爭對手的差距。
據南韓經濟日報報導，金奇南在2014年2月接任記憶體事業部長職務后曾指示，將全力投注在平面記憶體晶片電路精細化。截至2013年，三星記憶體事業部仍致力于研發系
關鍵字：
三星 10nm
按照摩爾定律，芯片可容納的晶體管數量每兩年提高一倍。然而，摩爾定律不只是在同一顆芯片上將晶體管數量增加一倍的技術問題。摩爾定律暗示，隨著芯片集成密度翻倍，功耗和性能都將會實現大幅度改進。在過去50年里，半導體工業一直按照摩爾定律發展，因為芯片的三個要素——價格、功耗和性能始終是在聯動。
在可預見的未來，半導體工業雖然能夠繼續證明摩爾定律的正確性，但是，當發展到當今最先進的28納米技術節點以下時，卻遭遇逆風阻擋前進步伐，因為在28納米以后，技術復雜程度和制造成本都將大幅
關鍵字：
芯片制造 10nm
當半導體工藝發展到10nm水平時，傳統的光刻工藝將面臨前所未有的挑戰，所有經典物理的規律在量子水平下都有可能失效，必須在硅材料之外尋找一種新的、實用的思路來進一步延續集成電路的發展。
關鍵字：
EUV 10nm
艾司摩爾(ASML)與比利時微電子研究中心(IMEC)合作案再添一樁。雙方將共同設立先進曝光中心(Advanced Patterning Center, APC)，助力半導體產業突破10奈米(nm)以下先進奈米曝光制程技術關卡，讓微影(Lithography)技術及其設備更臻成熟，加速制程微縮技術的商用化。
ASML總裁暨執行長Martin van den Brink表示，長期以來，該公司與IMEC的合作，已促成半導體制程發展不斷突破;而此次的合作案，預期將進一步加快先進奈米制程技術及其相關設備
關鍵字：
10nm ASML
比利時微電子研究中心(IMEC)正全速開發下世代10奈米制程技術。為協助半導體產業跨越10奈米鰭式電晶體(FinFET)制程技術門檻，IMEC已啟動新一代電晶體通道材料和電路互連(Interconnect)研究計劃，將以矽鍺/三五族材料替代矽方案，并透過奈米線(Nanowire)或石墨烯技術實現更細致的電路成型與布局，加速10奈米以下制程問世。
IMEC制程科技副總裁An Steegen提到，除了10奈米以下制程技術外，IMEC亦全力推動18寸晶圓的發展，目前已有相關設備進入驗證階段。
I
關鍵字：
IMEC 10nm
晶圓代工廠格羅方德(Globalfoundries)技術長蘇比(SubiKengeri)日前來臺，喊出兩年內將拿下晶圓代工技術龍頭，繼14納米XM明年量產，10納米2015年推出，此進度比臺積電領先兩年，也比英特爾2016年投入研發還領先一年。
格羅方德2009年由美商超微獨立而出，2010年并購前特許半導體，蘇比表示，2009年剛獨立時，公司僅是全球第四大晶圓代工廠，但憑著超微在處理器技術的設計能力，加上先前新加坡特許半導體在晶圓代工服務客戶經驗，ICInsights統計，2012年公司躍進晶
關鍵字：
Globalfoundries 10nm
應用材料公司(Applied Materials)為其SEMVision系列推出一套最新缺陷檢測及分類技術，加速達成10奈米及以下的先進晶片生產良率。Applied SEMVision G6 缺陷分析系統結合前所未有高解析度、多維影像分析功能，及革命性創新的 Purity 自動化缺陷分類(Automatic Defect Classification;ADC)系統高智慧的機器學習演算法，樹立全新的效能標竿，同時為半導體產業引進首創缺陷檢測掃瞄電子顯微鏡(DR SEM)技術。
應用材料公司企業副總
關鍵字：
應用材料 10nm
在半導體行業，聯電(UMC)算不上往往與最先進的技術搭不上邊，不過這一次，臺灣代工廠準備走在世界前列了。IBM、聯電今天共同宣布，聯電將加入IBM技術開發聯盟，共同參與10nm CMOS工藝的開發。IBM技術開發聯盟是一個由IBM領導的半導體行業組織，成立已有數十年，成員包括GlobalFoundries(原AMD)、特許半導體(已被GF收購)、英飛凌、三星電子、意法半導體等赫赫有名的巨頭，共同致力于先進半導體制造工藝的開發。相比于Intel、臺積電、三星電子的單打獨斗，這些廠商都是共享資源、聯合開發
關鍵字：
聯電 10nm
半導體材料即將改朝換代。晶圓磊晶層(EpitaxyLayer)普遍采用的矽材料，在邁入10nm技術節點后，將面臨物理極限，使制程微縮效益降低，因此半導體大廠已相繼投入研發更穩定、高效率的替代材料。其中，鍺(Ge)和三五族(III-V)元素可有效改善電晶體通道的電子遷移率，提升晶片效能與省電效益，已被視為產業明日之星。
應用材料半導體事業群EpitaxyKPU全球產品經理SaurabhChopra提到，除了制程演進以外，材料技術更迭也是影響半導體科技持續突破的關鍵。
應用材料(Applied
關鍵字：
半導體材料 10nm
Western Digital 旗下 HGST 1 日宣布，已通過將融合 self-assembling molecules ( 分子自組裝 ) 和 nanoimprinting ( 納米印刷 ) 技術，成功創造出大面積高密度存儲介質，其 magnetic islands 磁島寬度只有 10nm ，是目前硬盤技術的兩倍，可望于未來數年內大幅提高機械硬盤的存儲密度，讓單碟容量可望提升。
據 HGST 表示，新技術能夠讓 magnetic islands 磁島寬度只相當于大約 50 個原子寬，或者人
關鍵字：
10nm 硬盤
我們說過很多次，先進的制造工藝始終都是Intel面對任何競爭最強有力的武器，Intel也在矢志不渝地維護和擴大這種領先優勢，比如在以色列南 部城市水牛城(Kiryat Gat)的晶圓廠Fab 28，目前就正在生產22nm Ivy Bridge，而在未來數年，這里將跳過14nm，直奔更高級的10nm。
Fab 28的擴建和22nm的投產不但讓Intel受益無窮，同樣刺激了以色列的經濟發展，帶動其出口額從2011年的22億美元猛增至2012年的46億美 元，其中Intel一家就占了高科技出口額的20
關鍵字：
Intel 10nm
SoC(systemonachip)是智能手機及平板電腦等移動產品的心臟。推動其低成本化和高性能化的微細化技術又有了新選擇。那就是最近意法半導體(ST)已開始面向28nm工藝SoC量產的完全耗盡型SOI(fullydepletedsilicononinsulator：FDSOI)技術。
如果采用FDSOI技術，無需使晶體管立體化便可繼續推進SoC微細化至10nm工藝左右。由于可以沿用原有半導體制造技術和設計技術，因此無需很多成本即可繼續推進微細化(圖1)。對于希望今后仍長期享受SoC微細化恩惠的
關鍵字：
意法 10nm 晶體管
在一場近日于美國舊金山舉行的FD-SOI (fully depleted silicon on insulator)技術研討會上，產業組織SOI Consortium所展示的文件顯示， FD-SOI 制程技術藍圖現在直接跳過了20nm節點，直接往14nm、接著是10nm發展。
根據SOI Consortium執行總監Horacio Mendez在該場會議上展示的投影片與評論指出，14nm FD-SOI技術問世的時間點約與英特爾 (Intel)的14nmFinFET相當，而兩者的性能表現差不多，F
關鍵字：
ST FD-SOI 10nm
在可預見的未來，CMOS技術仍將持續微縮腳步，然而，當我們邁入10nm節點后，控制制程復雜性和變異，將成為能否驅動技術向前發展的關鍵，IMEC資深制程技術副總裁An Steegen在稍早前于比利時舉行的IMEC Technology Forum上表示。
明天的智慧系統將會需要更多的運算能力和儲存容量，這些都遠遠超過今天的處理器和記憶體所能提供的極限。而這也推動了我們對晶片微縮技術的需求。
在演講中，Steegen了解釋IMEC 如何在超越10nm以后繼續推動晶片微縮。在10nm之后，或許還
關鍵字：
IMEC CMOS 10nm
10nm 介紹
您好，目前還沒有人創建詞條10nm !
歡迎您創建該詞條，闡述對10nm 的理解，并與今后在此搜索10nm 的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473