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	10nm 
        

        
	
        
    	
        
    	  	
        
              	
        
                	
        10nm  文章
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        Kinam Kim 博士：硅技術將向10nm發展
        
                                                            
          
                    	
        • 　　韓國三星先進技術研究所總裁兼CEO Kinam Kim 博士在2012年中國國際半導體技術大會(CSTIC2012)帶來主題為“探索硅技術的前景(Exploring Si Technology’s Horizon)”的精彩演講。
　　Kim博士表示，閃存技術是否會主導未來的存儲市場，2012到2015年集成光電路等技術將取得進展，硅技術將向10nm發展，并同時推動DRAM、NAND閃存等產業的發展。
　　Kim在演講中指出，在DRAM和NAND閃存等方面， Ki
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        • 關鍵字：
                        三星  10nm                          
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        SanDisk聯手東芝進軍10nm級別閃存工藝
        
                                                            
          
                    	
        • 　　2010年閃存芯片的制造工藝普遍都是30nm級別，2011年則將成為20nm級別普及的開端，同時10nm級別工藝的投資和研發也即將陸續開始。
　　SanDisk近日就表示：“2011年我們的首要營業費用投資就是研發，包括Fab 5晶圓廠上線投產，以及(10nm級別)和更先進NAND閃存制造工藝的技術投資。”
　　
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        • 關鍵字：
                        SanDisk  10nm  閃存                          
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        硅CMOS技術可擴展到10nm以下
        
                                                            
          
                    	
        • 　　“硅CMOS技術完全可以擴展至10nm以下。如果能夠充分導入三維NAND閃存技術、可變電阻式存儲器(ReRAM)以及EUV曝光技術等新構造、新材料和新工藝，硅CMOS技術將繼續保持其主導地位”。
　　
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        • 關鍵字：
                        CMOS  10nm                          
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