- 日本爾必達存儲器(Elpida Memory)宣布，將從2011年5月開始全面量產(chǎn)采用30nm工藝的DRAM。生產(chǎn)基地是該公司的廣島工廠和臺灣瑞晶電子(Rexchip Electronics)的工廠。廣島工廠已經(jīng)開始生產(chǎn)30nmDRAM，2011年4～6月將把比例擴大至20%、2011年7～9月擴大至30%。而瑞晶工廠則計劃在2011年7～9月導入30nmDRAM技術，2011年7～9月將比例提高至50%、2011年10～12月迅速提高至100%。
爾必達從2010年9月開始開發(fā)30nmDRAM
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爾必達 30nm DRAM
- 面對臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)勢力節(jié)節(jié)敗退，存儲器模塊龍頭廠金士頓(Kingston)創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)表示，如果政府什么事都不做，臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)沒有未來，且所有三星電子(Samsung Electronics)有涉獵的產(chǎn)業(yè)都會面臨威脅，包括面板、晶圓代工等，因為以臺灣中小企業(yè)特性遇上三星，就象是單兵對上大軍團，未來每個指標性產(chǎn)業(yè)恐被各個擊破。
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三星 DRAM
- 印度市場調(diào)研公司RNCOSE-Services近日發(fā)布調(diào)查報告稱，全球半導體市場在2011-2013年的復合年均增長率將達9%，電腦和手機將是半導體銷量增長的主要驅(qū)動力。
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芯片 DRAM
- 日經(jīng)新聞日前報導，日本DRAM龍頭廠爾必達(Elpida)上年度(2010年度;2010年4月-2011年3月)財報顯示本業(yè)獲利狀況的合并營益可望較前一年度(2009年度)勁揚30%至350億日圓，主因為智能型手機、平板產(chǎn)品需求急增帶動Mobile DRAM出貨呈現(xiàn)增長，加上制程細微化令成本有效獲得刪減。報導指出，爾必達上年度合并營收預估將年增9%至5,100億日圓，顯示最終獲利狀況的合并純益也可望維持于2009年度的30億日圓水平。
報導指出，2011年1-3月期間因PC用DRAM價格低迷導致
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爾必達 智能手機 DRAM
- 受惠于平板計算機等產(chǎn)品用Mobile DRAM出貨暢旺，且制程推進有助于撙節(jié)成本，爾必達(Elpida)2010會計年度(2010年4月~2011年3月)營業(yè)利益可望成長30%，達350億日圓(約4.2億美元);而該季營收約可達5,100億日圓，年增率為9%。
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爾必達 DRAM
- 在硅晶圓缺貨陰霾未能完全消退下，個人計算機(PC)大廠補貨需求提前啟動，4月DRAM合約價漲聲響起，讓DRAM業(yè)者吃下定心丸，估計4月上旬平均漲幅約6%，而南亞科依據(jù)不同客戶區(qū)分，單月漲幅落在5~10%區(qū)間，目前2GB容量DDR3模塊價格調(diào)漲至18美元，換算2Gb芯片報價回升至2美元，預計2GB模塊報價回升至20美元指日可待，如果硅晶圓吃緊問題持續(xù)，預計5、6月可順利回升至此價位。
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硅晶圓 DRAM
- 海力士(Hynix)30日召開定期股東大會，社長權五哲表示，DRAM價格已觸底，市況可望進入恢復期，而權五哲對NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價格攀升，下半年記憶體晶片市場將可望出現(xiàn)反彈。
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海力士 DRAM
- 市場研究機構IHS公司iSuppli公司上調(diào)了對今年全球半導體銷售額的預測，較原本預期調(diào)高50億美元。主要原因是日本地震引發(fā)全球半導體供應短缺，刺激存儲芯片價格上漲。
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半導體 DRAM
- 市場研究機構IHS公司iSuppli公司上調(diào)了對今年全球半導體銷售額的預測，較原本預期調(diào)高50億美元。主要原因是日本地震引發(fā)全球半導體供應短缺，刺激存儲芯片價格上漲。
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半導體 DRAM NAND
- 研究機構IHSiSuppli表示，由于日本地震導致該國存儲芯片供應減少之后推動價格走高，預計2011年全球半導體銷售收入將增長7%至3,250億美元。
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存儲芯片 DRAM
- 4月6日消息，據(jù)國外媒體報道，有分析機構預測，日本地震可能提升全球半導體市場收入。
受到3月11日日本地震和海嘯的影響，芯片產(chǎn)業(yè)供應鏈遭到一定破壞，這導致了芯片價格的上漲，根據(jù)分析機構IHSiSuppli的預測，并將可能影響全球半導體市場收入，可能使之環(huán)比去年上漲7%，而之前預測的數(shù)值是5.8%。
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芯片制造 DRAM
- 據(jù)市場研究公司IHS iSuppli稱，由于智能手機和平板電腦目前配置的內(nèi)存芯片很快將證明不能充分地處理應用程序，新型移動DRAM內(nèi)存芯片占整個移動內(nèi)存芯片市場的份額將增加。iSuppli稱，LPDDR2（低功率雙數(shù)據(jù)速率2）內(nèi)存現(xiàn)在正在成為移動DRAM內(nèi)存領域中占統(tǒng)治地位的技術。到第二季度末，LPDDR2移動內(nèi)存占移動內(nèi)存的市場份額將從第一季度的31%提高到40%。
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內(nèi)存芯片 DRAM
- 雖然日本強震導致半導體生產(chǎn)鏈供貨不順，但是因各家計算機大廠手中仍有1-2個月庫存，所以4月及5月份計算機出貨仍沒有太大問題，由于英特爾修正版6系列芯片組已恢復正常供貨量，OEM廠已開始放大英特爾Sandy Bridge平臺出貨。
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半導體 DRAM
- 韓國存儲器大廠海力士(Hynix)對DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市，發(fā)表脫離谷底的看法，對于臺系DRAM廠而言，可望注入強心針。在硅晶圓部分，海力士與臺廠目前都有1~2個月不等庫存，短期仍可支應生產(chǎn)，但中長線來看，日本地震造成硅晶圓短缺問題仍待厘清，目前市場買盤多是邊走邊看，沒有一窩蜂搶貨，但也會擔心日后供給吃緊造成漲價問題。
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Hynix DRAM NAND Flash
- 海力士(Hynix)30日召開定期股東大會，社長權五哲表示，DRAM價格已觸底，市況可望進入恢復期，而權五哲對NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價格攀升，下半年記憶體晶片市場將可望出現(xiàn)反彈。
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海力士 DRAM
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