- 面對臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)勢力節(jié)節(jié)敗退，存儲器模塊龍頭廠金士頓(Kingston)創(chuàng)辦人孫大衛(wèi)表示，如果政府什么事都不做，臺灣DRAM產(chǎn)業(yè)沒有未來，且所有三星電子(Samsung Electronics)有涉獵的產(chǎn)業(yè)都會面臨威脅，包括面板、晶圓代工等，因為以臺灣中小企業(yè)特性遇上三星，就象是單兵對上大軍團(tuán)，未來每個指標(biāo)性產(chǎn)業(yè)恐被各個擊破。
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三星 DRAM
- 印度市場調(diào)研公司RNCOSE-Services近日發(fā)布調(diào)查報告稱，全球半導(dǎo)體市場在2011-2013年的復(fù)合年均增長率將達(dá)9%，電腦和手機(jī)將是半導(dǎo)體銷量增長的主要驅(qū)動力。
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芯片 DRAM
- 日經(jīng)新聞日前報導(dǎo)，日本DRAM龍頭廠爾必達(dá)(Elpida)上年度(2010年度;2010年4月-2011年3月)財報顯示本業(yè)獲利狀況的合并營益可望較前一年度(2009年度)勁揚(yáng)30%至350億日圓，主因為智能型手機(jī)、平板產(chǎn)品需求急增帶動Mobile DRAM出貨呈現(xiàn)增長，加上制程細(xì)微化令成本有效獲得刪減。報導(dǎo)指出，爾必達(dá)上年度合并營收預(yù)估將年增9%至5,100億日圓，顯示最終獲利狀況的合并純益也可望維持于2009年度的30億日圓水平。
報導(dǎo)指出，2011年1-3月期間因PC用DRAM價格低迷導(dǎo)致
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爾必達(dá) 智能手機(jī) DRAM
- 受惠于平板計算機(jī)等產(chǎn)品用Mobile DRAM出貨暢旺，且制程推進(jìn)有助于撙節(jié)成本，爾必達(dá)(Elpida)2010會計年度(2010年4月~2011年3月)營業(yè)利益可望成長30%，達(dá)350億日圓(約4.2億美元);而該季營收約可達(dá)5,100億日圓，年增率為9%。
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爾必達(dá) DRAM
- 在硅晶圓缺貨陰霾未能完全消退下，個人計算機(jī)(PC)大廠補(bǔ)貨需求提前啟動，4月DRAM合約價漲聲響起，讓DRAM業(yè)者吃下定心丸，估計4月上旬平均漲幅約6%，而南亞科依據(jù)不同客戶區(qū)分，單月漲幅落在5~10%區(qū)間，目前2GB容量DDR3模塊價格調(diào)漲至18美元，換算2Gb芯片報價回升至2美元，預(yù)計2GB模塊報價回升至20美元指日可待，如果硅晶圓吃緊問題持續(xù)，預(yù)計5、6月可順利回升至此價位。
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硅晶圓 DRAM
- 海力士(Hynix)30日召開定期股東大會，社長權(quán)五哲表示，DRAM價格已觸底，市況可望進(jìn)入恢復(fù)期，而權(quán)五哲對NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價格攀升，下半年記憶體晶片市場將可望出現(xiàn)反彈。
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海力士 DRAM
- 市場研究機(jī)構(gòu)IHS公司iSuppli公司上調(diào)了對今年全球半導(dǎo)體銷售額的預(yù)測，較原本預(yù)期調(diào)高50億美元。主要原因是日本地震引發(fā)全球半導(dǎo)體供應(yīng)短缺，刺激存儲芯片價格上漲。
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半導(dǎo)體 DRAM
- 市場研究機(jī)構(gòu)IHS公司iSuppli公司上調(diào)了對今年全球半導(dǎo)體銷售額的預(yù)測，較原本預(yù)期調(diào)高50億美元。主要原因是日本地震引發(fā)全球半導(dǎo)體供應(yīng)短缺，刺激存儲芯片價格上漲。
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半導(dǎo)體 DRAM NAND
- 研究機(jī)構(gòu)IHSiSuppli表示，由于日本地震導(dǎo)致該國存儲芯片供應(yīng)減少之后推動價格走高，預(yù)計2011年全球半導(dǎo)體銷售收入將增長7%至3,250億美元。
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存儲芯片 DRAM
- 4月6日消息，據(jù)國外媒體報道，有分析機(jī)構(gòu)預(yù)測，日本地震可能提升全球半導(dǎo)體市場收入。
受到3月11日日本地震和海嘯的影響，芯片產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈遭到一定破壞，這導(dǎo)致了芯片價格的上漲，根據(jù)分析機(jī)構(gòu)IHSiSuppli的預(yù)測，并將可能影響全球半導(dǎo)體市場收入，可能使之環(huán)比去年上漲7%，而之前預(yù)測的數(shù)值是5.8%。
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芯片制造 DRAM
- 據(jù)市場研究公司IHS iSuppli稱，由于智能手機(jī)和平板電腦目前配置的內(nèi)存芯片很快將證明不能充分地處理應(yīng)用程序，新型移動DRAM內(nèi)存芯片占整個移動內(nèi)存芯片市場的份額將增加。iSuppli稱，LPDDR2（低功率雙數(shù)據(jù)速率2）內(nèi)存現(xiàn)在正在成為移動DRAM內(nèi)存領(lǐng)域中占統(tǒng)治地位的技術(shù)。到第二季度末，LPDDR2移動內(nèi)存占移動內(nèi)存的市場份額將從第一季度的31%提高到40%。
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內(nèi)存芯片 DRAM
- 雖然日本強(qiáng)震導(dǎo)致半導(dǎo)體生產(chǎn)鏈供貨不順，但是因各家計算機(jī)大廠手中仍有1-2個月庫存，所以4月及5月份計算機(jī)出貨仍沒有太大問題，由于英特爾修正版6系列芯片組已恢復(fù)正常供貨量，OEM廠已開始放大英特爾Sandy Bridge平臺出貨。
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半導(dǎo)體 DRAM
- 韓國存儲器大廠海力士(Hynix)對DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市，發(fā)表脫離谷底的看法，對于臺系DRAM廠而言，可望注入強(qiáng)心針。在硅晶圓部分，海力士與臺廠目前都有1~2個月不等庫存，短期仍可支應(yīng)生產(chǎn)，但中長線來看，日本地震造成硅晶圓短缺問題仍待厘清，目前市場買盤多是邊走邊看，沒有一窩蜂搶貨，但也會擔(dān)心日后供給吃緊造成漲價問題。
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Hynix DRAM NAND Flash
- 海力士(Hynix)30日召開定期股東大會，社長權(quán)五哲表示，DRAM價格已觸底，市況可望進(jìn)入恢復(fù)期，而權(quán)五哲對NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價格攀升，下半年記憶體晶片市場將可望出現(xiàn)反彈。
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海力士 DRAM
- 根據(jù)IHS的研究報告，平板電腦DRAM上的平均容量將大幅增加147%，達(dá)到676MB。
IHS公司分析師邁克霍華德表示，由于平板電腦的應(yīng)用程序越來越復(fù)雜，今年其內(nèi)存的平均增長量將會是去年的2.5倍。這股趨勢會繼續(xù)下去，明年的平均容量預(yù)計將達(dá)到1.3GB ，而到2015年預(yù)計會達(dá)到3.7GB，與筆記本電腦所使用的DRAM的容量相當(dāng)。
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平板電腦 DRAM
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