閃存文章最新資訊

K Hynix出樣96層堆棧QLC閃存 16TB硬盤不是夢(mèng)

NAND閃存價(jià)格從2018年初到現(xiàn)在已經(jīng)連跌6個(gè)季度了，廠商一方面在削減產(chǎn)能以控制供需情況，另一方面也在加強(qiáng)低成本的NAND閃存開發(fā)，今年就會(huì)開始從TLC閃存向QLC閃存轉(zhuǎn)變。SK Hynix去年底宣布了96層堆棧的QLC閃存，號(hào)稱是首個(gè)4D NAND閃存，今天該公司宣布正式出樣96層QLC閃存，核心容量1Tbit。
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產(chǎn)業(yè)高點(diǎn)已過(guò)，2019年閃存價(jià)格恐跌40%

　　CINNOResearch對(duì)閃存供應(yīng)商及其上下游供應(yīng)鏈調(diào)查顯示，在64層的3D-NAND良率更為成熟，需求端受到中美貿(mào)易戰(zhàn)壓縮的情況下，NANDFlash行業(yè)供過(guò)于求的情況持續(xù)加劇，各家廠商以更為積極的降價(jià)來(lái)刺激出貨成長(zhǎng)，也因此第三季度閃存平均銷售單價(jià)普遍較第二季度下滑15-20%，而位元出貨量則是在第二季度基期較低的關(guān)系，第三季成長(zhǎng)幅度來(lái)到20-25%，整體第三季閃存產(chǎn)值達(dá)到172億美元，季成長(zhǎng)約為5%，值得注意的是，也是近三年來(lái)在第三季度旺季期間表現(xiàn)最差的一次(2016年第三季與2017年第三季的
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提高3D NAND性能、可靠性和良率的考慮因素

　　前言　　多年來(lái)，全球的非易失存儲(chǔ)功能都仰仗于 NAND 閃存技術(shù)。其用途已經(jīng)從單純的閃存驅(qū)動(dòng)器擴(kuò)展到筆記本電腦、智能手機(jī)和平板電腦，如今又?jǐn)U展至云端存儲(chǔ)操作所需固態(tài)存儲(chǔ)記憶體。隨著時(shí)間的推移，結(jié)構(gòu)上的逐漸演進(jìn)已滿足對(duì)存儲(chǔ)容量增加、尺寸縮小和可靠度提升上的不斷需求，而且此技術(shù)已經(jīng)驗(yàn)證，可提供高性能，低功耗，并和以前的固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)相比，每存儲(chǔ)單位比特成本更低，其價(jià)值不言而喻。　　最初，NAND 閃存制造商使用多重圖案化技術(shù)來(lái)縮小尺寸，從而增加存儲(chǔ)密度，降低相對(duì)應(yīng)成本。遺憾的是，2D 或平面 NAND 閃存
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貿(mào)澤9月新添300余新品

致力于快速引入新產(chǎn)品與新技術(shù)的業(yè)界知名分銷商貿(mào)澤電子 (MouserElectronics)，首要任務(wù)是提供來(lái)自全球700多家廠商的新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶設(shè)計(jì)出先進(jìn)產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度。貿(mào)澤2018年9月發(fā)布了超過(guò)302種新品，這些產(chǎn)品均可以當(dāng)天發(fā)貨。貿(mào)澤上月引入的部分產(chǎn)品包括：Micron串行NOR閃存 Micron串行NOR閃存具有先進(jìn)的接口和低引腳數(shù)，簡(jiǎn)單易用，是適用于代碼映射應(yīng)用的簡(jiǎn)單解決方案。先進(jìn)的安全技
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大容量時(shí)代：閃存市場(chǎng)競(jìng)逐5G機(jī)遇

　　5G時(shí)代的漸行漸近。對(duì)消費(fèi)群體而言，5G帶來(lái)的是高帶寬低延遲的使用效果;對(duì)于企業(yè)端尤其是閃存大廠來(lái)說(shuō)，則是新的機(jī)遇。在近日舉行的“中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(CFMS20　　5G時(shí)代的漸行漸近。　　對(duì)消費(fèi)群體而言，5G帶來(lái)的是高帶寬低延遲的使用效果;對(duì)于企業(yè)端尤其是閃存大廠來(lái)說(shuō)，則是新的機(jī)遇。　　在近日舉行的“中國(guó)閃存市場(chǎng)峰會(huì)(CFMS2018)”上，中國(guó)閃存市場(chǎng)總經(jīng)理邰煒表示，2018年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)1500億美元，其中NANDFlash(閃存存儲(chǔ)器)將超過(guò)570億美元，而中國(guó)消耗了全球產(chǎn)能的32%，
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NAND閃存大科普

　　在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計(jì)的真實(shí)可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語(yǔ)和誤解。因此，弄清事實(shí)很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯(cuò)誤觀念。　　在使用期的性能恒定。　　固態(tài)硬盤(SSD)寫入數(shù)據(jù)愈多，特別是隨機(jī)數(shù)據(jù)，而控制器背后需處理的工作就越多。智慧量和您實(shí)際的讀取或?qū)懭胩幚砜梢詾閼?yīng)用于交叉存取后臺(tái)管理工作的控制器開創(chuàng)新局。對(duì)于在內(nèi)部存儲(chǔ)器或硬件加速器方面資源較少的廉價(jià)控制器，可能會(huì)表現(xiàn)差勁，不是導(dǎo)致系統(tǒng)的使用壽命縮短就是性能大幅下降。　　隨著PCIe銷售額的增加，SATA逐漸消失不見(jiàn)
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詳解Flash存儲(chǔ)器閃存工作原理及具體步驟

什么是閃存?了解閃存最好的方式就是從它的ldquo;出生rdquo;它的ldquo;組成rdquo;均研究的透徹底底的。閃存的存儲(chǔ)單元為三端器件，與場(chǎng)效應(yīng)管有相同
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閃存降價(jià)利好可持續(xù)至2019下半年,大容量高性能SSD普及進(jìn)行時(shí)

　　幾年前突然“大火”的存儲(chǔ)行情，給業(yè)界帶來(lái)的極大的沖擊。在 PC 市場(chǎng)衰退后本就不多的 DIY 用戶，要么咬牙買高價(jià)內(nèi)存(DRAM)和固態(tài)硬盤(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機(jī)升級(jí)的計(jì)劃。當(dāng)然，市場(chǎng)也不是沒(méi)有好消息。據(jù)集邦咨詢(DRAMeXchange)所述，近期閃存降價(jià)的趨勢(shì)，有望持續(xù)到 2019 上半年。　　DRAMeXchange 報(bào)告稱，2018 年 3~4 季度，NAND 閃存的平均銷售價(jià)格，預(yù)計(jì)將下降 10% 。集邦認(rèn)為，市場(chǎng)需求較低的情況下所增長(zhǎng)的產(chǎn)能，是推動(dòng)這一趨勢(shì)的主要原因。
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中國(guó)三大存儲(chǔ)公司將量產(chǎn)內(nèi)存、閃存：2019年開始

外界普遍認(rèn)為，中國(guó)存儲(chǔ)芯片公司逐步擴(kuò)大產(chǎn)能，全球內(nèi)存閃存芯片市場(chǎng)的價(jià)格有望出現(xiàn)下降。
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中國(guó)三大存儲(chǔ)公司將量產(chǎn)內(nèi)存、閃存：2019年開始

　　對(duì)于關(guān)注國(guó)產(chǎn)內(nèi)存、閃存的用戶來(lái)說(shuō)，從明年開始將會(huì)有實(shí)質(zhì)性的成果，因?yàn)殚L(zhǎng)江存儲(chǔ)、晉華集成電路以及合肥Innotro存儲(chǔ)都將量產(chǎn)。據(jù)臺(tái)灣電子時(shí)報(bào)報(bào)道稱，2019年，中國(guó)大陸地區(qū)將有三家存儲(chǔ)芯片廠竣工并投入量產(chǎn)。目前，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在準(zhǔn)備的第一個(gè)訂單是，生產(chǎn)8GB容量的SD存儲(chǔ)卡，訂單規(guī)模為一萬(wàn)套32層3D NAND閃存芯片。　　在新產(chǎn)品方面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在研發(fā)64層的3D NAND閃存，計(jì)劃在2018年年底前推出樣品。　　跟長(zhǎng)江存儲(chǔ)不同的是，晉華公司和Innotron主要負(fù)責(zé)DRAM內(nèi)存芯片的制造。據(jù)說(shuō)前者已經(jīng)
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被稱為中國(guó)“西部硅谷”的西安，在半導(dǎo)體科技領(lǐng)域有哪些實(shí)力？

對(duì)接資本市場(chǎng)，對(duì)接國(guó)家戰(zhàn)略，充分發(fā)揮西安的產(chǎn)業(yè)與科研、人才優(yōu)勢(shì)，西安完全有可能創(chuàng)造出一個(gè)千億級(jí)的產(chǎn)業(yè)。
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下半年閃存芯片行情疲軟：SSD價(jià)格或持續(xù)下滑

　　TrendForce旗下專注存儲(chǔ)業(yè)追蹤和調(diào)研的DRAMeXchange(集邦科技)于27日發(fā)布的最新閃存市場(chǎng)分析報(bào)告，稱2018下半年，NAND Flash閃存市場(chǎng)的增長(zhǎng)潛力疲軟。由于64層/72層3D閃存的產(chǎn)能良率(四季度超80%)爬升，市場(chǎng)會(huì)處在一種供需平衡的局面，從而自然延續(xù)NAND Flash合同價(jià)的下降趨勢(shì)。　　報(bào)告稱，由于處于傳統(tǒng)的淡季和產(chǎn)能拉升期，所以在上半年，閃存市場(chǎng)已經(jīng)觀察到了連續(xù)兩個(gè)季度的價(jià)格走弱。在這樣的態(tài)勢(shì)下，一些供應(yīng)商甚至?xí)壕徚嗣嫦蚋呙芏却鎯?chǔ)芯片的擴(kuò)張，以避免價(jià)格走到崩盤的
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賽普拉斯推出全球領(lǐng)先的閃存解決方案，助力汽車及工業(yè)領(lǐng)域的關(guān)鍵安全應(yīng)用

全球領(lǐng)先的嵌入式系統(tǒng)解決方案提供商賽普拉斯半導(dǎo)體公司（納斯達(dá)克代碼：CY）日前宣布，正式推出Semper? NOR 閃存產(chǎn)品系列。該產(chǎn)品系列面向汽車和工業(yè)領(lǐng)域，為用戶提供業(yè)內(nèi)最好的安全性和可靠性保證。Semper 閃存產(chǎn)品系列的架構(gòu)和設(shè)計(jì)旨在打造無(wú)故障嵌入式汽車安全系統(tǒng)，是首款符合ISO 26262 功能性安全標(biāo)準(zhǔn)的存儲(chǔ)產(chǎn)品。該產(chǎn)品系列符合汽車行業(yè)的要求和ASIL-B 的功能性安全標(biāo)準(zhǔn)，在汽車和工業(yè)的極端溫度應(yīng)用環(huán)境中，仍可以提供卓越的耐用性和數(shù)據(jù)留存能力。
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閃存陣營(yíng)戰(zhàn)火起，2018誰(shuí)爭(zhēng)鋒！

　　分析師從中整理出一些有趣的現(xiàn)象。　　華為公司在2017年第四季度的全閃存陣列銷售競(jìng)爭(zhēng)當(dāng)中可謂橫空出世，較上年同期飆升十倍。與此同時(shí)，NetApp的A系列產(chǎn)品銷售額亦增長(zhǎng)超過(guò)四倍。　　當(dāng)然，這兩輪飛躍主要源自相對(duì)較小的原有銷售份額——分別為730萬(wàn)美元與4680萬(wàn)美元。不過(guò)增長(zhǎng)是實(shí)實(shí)在在的，如今華為公司銷售額已經(jīng)達(dá)到8410萬(wàn)美元，這意味著買家完全能夠給今天新興廠商一些機(jī)會(huì)。　　相關(guān)數(shù)據(jù)來(lái)自NetApp公司的分析師日活動(dòng)，并由富國(guó)銀行分析師Aaron Rakers整理
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三星閃存工廠突發(fā)停電30分鐘：6000片晶圓報(bào)廢

　　閃存產(chǎn)品正走在發(fā)展的快車道上，智能手機(jī)、自動(dòng)駕駛汽車、數(shù)據(jù)中心等需求廣闊，極大推進(jìn)了發(fā)展。不過(guò)，Digitimes 3月14日發(fā)回報(bào)道，3月9日，三星位于Pyeongtaek(平澤市)的閃存工廠出現(xiàn)停電事故，TechNews預(yù)計(jì)損失相當(dāng)于3月份的全球供應(yīng)的3.5%。　　雖然停電僅持續(xù)了半小時(shí)，但依然損壞了5000~6000片晶圓，是三星3月產(chǎn)量的11%。　　三星方面則表示，備用電源(設(shè)計(jì)為20分鐘)的有效啟動(dòng)應(yīng)對(duì)了突發(fā)狀況，所以不會(huì)對(duì)閃存運(yùn)營(yíng)造成顯著影響。　　據(jù)DRAMeXchange(集
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閃存介紹

【閃存的概念】閃存（Flash Memory）是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲(chǔ)器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節(jié)水平上進(jìn)行刪除和重寫而不是整個(gè)芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [ 查看詳細(xì) ]