- 如果用一個詞來描述2016年的固態硬盤市場的話，那么閃存顆粒絕對是會被提及的一個關鍵熱詞。在過去的2016年里，圍繞著閃存顆粒發生了一系列大事，包括閃存顆粒的量產引發固態漲價，閃存顆粒的制程問題引發的廠商競爭，以及“日經貼”般的MLC/TLC顆粒的優劣問題。
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閃存 3DNAND 2DNAND
- 華為P10“閃存門”其實就是一些消費者在購買P10手機后，經過測試發現，華為P10系列手機閃存速度出現了明顯差異的情況。用戶測試結果顯示，有部分手機的閃存速度約為200MB/秒，而根據網上公布的評測參數來看，以華為官方配置的P10實際速度應該可以達到800MB/秒左右。而最終測試的結論就是華為P10的閃存存在UFS和eMMC混用的問題。
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閃存 UFS eMMC
- 多年來，汽車行業的發展和創新一直推動著半導體行業的發展。根據IHS的數據可知，汽車半導體市場的年收入已經超過300億美元，而隨著ADAS的增加、燃油效率的提高以及便利性的提升，這一數字還將不斷上升。目前，每輛豪華車內部半導體元件的總價值約為1000美元，而中檔車內部半導體元件的總價值約為350美元，汽車MCU是其中的重要組成部分。大多數汽車MCU具有片上嵌入式閃存，其中包含復雜而詳盡的指令代碼。盡管基于多晶硅浮柵的嵌入式閃存廣泛部署在汽車、工業和消費類應用領域的一系列產品中，并且是非易失性存儲器技術的
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嵌入式 閃存
- 在對待用戶方面，華為還有很多需要提升的地方——要俯下身子;但是，在硬碰硬的訴訟較量方面，華為又有很多值得其他企業效仿之處——不輕言放棄。
前段時間爆出的P10“內存門”或“閃存門”讓很多華為的忠實粉絲大跌眼鏡。
從法律上看，華為可能并不存在“以次充好”或“偷工減料”的做法，但是，其在澄清說明相關做法時，又顯得脫離用戶。
使得疑問變質疑最終可能
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華為 閃存
- 面對全球信息化加速發展，以電子信息為代表的新一代信息技術產業呈爆發式增長態勢。2016年陜西實現了新一代信息技術產業的持續高速增長，全年電子制造業總產值超過700億元，同比增長50%以上，其中半導體產業產值達到500多億元，位于“一帶一路”核心地位的陜西是如何超前謀劃，使新一代信息技術產業助力陜西在經濟發展上實現“彎道超車”?半導體產業在其中又起了怎樣重要的推動作用?新華社記者帶你一探背后的奧秘。
西安高新區：聚焦新興產業帶動轉型升級
近年來
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集成電路 閃存
- 伴隨全球化帶來的產業轉移，中國半導體產業正向上游延伸。產業發展也進一步增強了兼收并購需求。
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東芝 閃存
- 希望大家平時一定要注意這些消費陷阱，買到真正優秀的好手機。
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閃存 SoC
- 全球領先的嵌入式非易失性存儲器解決方案提供商賽普拉斯半導體公司與中國最先進的純晶圓代工廠之一，上海華力微電子有限公司(華力)今日共同宣布，基于華力 55納米低功耗工藝技術和賽普拉斯SONOS (氧化硅氮氧化硅)嵌入式閃存知識產權相結合，為閃存產品樹立了一個新的里程碑。華力的客戶已經開始使用這項技術進行低功耗嵌入式閃存產品的試生產，針對藍牙低功耗和物聯網應用。賽普拉斯高耐用性、可擴展的SONOS嵌入式閃存工藝針對低功耗需求進行了優化，使其成為微控制器(MCU)和物聯網(IoT)應用的
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賽普拉斯 閃存
- 選SSD就是選閃存顆粒!所以，大家購買前可以先在網上看看評測拆解，了解顆粒是否來自于原廠或者是白片，再慎重選擇。
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SSD 閃存
- 如今各種設備對于NAND閃存的容量要求越來越高，迫使廠商們不得不持續改進技術，尤其是強化3D堆疊設計。SK海力士就計劃在今年量產72層堆疊閃存。
2015年，SK海力士量產了第二代36層堆疊3D MLC NAND(3D-V2)，單晶粒容量128Gb(16GB)。
2016年，SK海力士推出了第三代48層堆疊的3D-V3，閃存類型改成TLC，重點單晶粒容量256Gb(32GB)，而封裝芯片的容量最高可以達到4096Gb(512GB)。
2017年，我們將看到SK海力士的第四代3D-V4
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海力士 閃存
- 從2016年下半年開始，內存、閃存的缺貨漲價勢頭開始上揚，2017年這一局面將繼續擴散蔓延，而且一整年都未必會有改觀。
據臺灣經濟日報報道，內存大廠金士頓近日表態，今年因為主要的DRAM內存大廠都沒有增產計劃，全年DRAM內存都面臨缺貨窘境。此外，群聯公司董事長潘建成也強調，NAND閃存因為進入3D世代，制程良率無法提升，預計將缺貨一整年。
日前，金士頓董事長陳建華出席群聯竹南三廠上梁典禮時，針對DRAM內存市場進行了分析，他表示，目前主要DRAM內存大廠都沒有增產計劃
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DRAM 閃存
- 中國半導體廠商近來加大了海外收購、合作的力度。早前行業內曾經傳言，中國紫光集團可能會收購美國閃存、內存制造巨頭美光科技公司，但是傳言并未有下文。日前，紫光旗下公司證實，正在和美光進行有關技術授權、成立合資公司的談判。
據報道，作出上述表態的是中國長江存儲公司的副董事長丁文武。長江存儲是紫光集團旗下設立在武漢的企業，董事長正是紫光集團掌門人趙偉國。
日前在合肥的一次會議上，丁文物對于記者表示，目前長江存儲公司正在和美光科技公司進行談判，涉及到閃存以及內存技術的授權，但是還沒有達成協議。這位高
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長江存儲 閃存
- 伴隨著中國增加閃存投資，其和三星的閃存市場份額差距正在縮小，而技術上中國在過去10年時間里培養了一批人才，積累了一定技術，在技術上迅速縮小與三星的差距。
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三星 閃存
- SLC、MLC和TLCX3(3-bit-per-cell)架構的TLC芯片技術是MLC和TLC技術的延伸，最早期NAND Flash技術架構是SLC(Single-Level Cell)，原理是在1個存儲器儲存單元(cell)中存放1位元(bit)的資料，直到MLC(Multi-Level Ce
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SLC MLC TLC 閃存
閃存介紹
【閃存的概念】
閃存（Flash Memory）是一種長壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息）的存儲器，數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位，區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器（EEPROM）的變種，EEPROM與閃存不同的是，它能在字節水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫，這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [
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