- 三星16 TB硬盤打開了新世界的大門
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閃存 三星
- 美國閃存峰會上的演講提出假設性觀點。
3D XPoint內存晶圓近照。
本屆閃存記憶體峰會上的一次主題演講對英特爾/美光聯合打造的3D XPoint內存技術作出了相關猜測——包括這項技術的具體定義以及英特爾會在未來如何加以運用。我們就其中的部分內容向知識淵博的從業專家進行了咨詢,并以此為基礎提出自己的觀點——同樣圍繞這兩點,該技術究竟算是什么、未來又將如何發展。
本月13號星期四在301-C會話環節中作出的這
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閃存 3D XPoint
- 用在對的地方,才是好東西。
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閃存 RAM
- 看新聞的時候您正在使用閃存,玩游戲的時候您正在使用閃存,打電話的時候您正在用閃存,拍照的時候你也正在用閃存。我們生活中完全離不開閃存,但是你注意過生活中這些小而重要的東西嗎?
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SanDisk 閃存
- 日本半導體制造商株式會社東芝(Toshiba)旗下東芝半導體&存儲產品公司宣布,東芝攜其強勢產品和尖端技術參加了于2015年3月17日至19日在上海新國際博覽中心舉辦的2015慕尼黑電子展。并于3月18日在展會同期舉辦新聞發布會,推出促進人類智慧生活的四大應用最新解決方案:Energy & Life、Automotive、Memory & Storage、Mobile & Connectivity。延續“智社會 人為本”的企業理念,致力于打造放心、安全、舒適的社會。
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東芝 慕尼黑上海電子展 閃存 MLC MMC SLC BENAND
- 全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange的數據表明,東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運表現最亮眼,位出貨量季成長25%以上,營收較上季度成長23.7%。
東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露,2014年東芝在中國的閃存生意非常好,在高交會電子展上展示的存儲技術和產品也是很有分量的,從MLC、MMC到SLC,都可以看到最新的產品,并且東芝的技術動向,也在引領未來閃存的發展趨勢。
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東芝 NAND 閃存 3D 201501
- 全球市場研究機構TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange的數據表明,東芝2014年會計年度第二季(7月~9月)的NAND Flash營運表現最亮眼,位出貨量季成長25%以上,營收較上季度成長23.7%。 東芝電子(中國)有限公司董事長兼總經理田中基仁在日前的2014年高交會電子展上也透露,2014年東芝在中國的閃存生意非常好。東芝在高交會電子展上展示的存儲技術和產品也是很有分量的,從MLC、MMC到SLC,都可以看到最新的產品,并且東芝的技術動向,也在引領未來閃存的發展趨勢。
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東芝 閃存 MLC MMC SLC BENAND
- NAND會不會徹底占據數據中心?答案是不會。截至2018年的磁盤與SSD出貨容量預測顯示,磁盤的發展速度將一路高于閃存方案。SSD整體出貨容量與磁盤間的差距正逐步拉大。原因可能是先天的。NAND幾何尺寸的每一次縮減都會給制造流程帶來巨大的成本壓力、并要求供應商利用更多配套解決方案保持現有使用壽命——具體而言,在每天寫滿一次的條件下正常工作五年才是最基本的可接受水平。
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NAND SSD 數據中心 閃存
- 閃存技術在中國這幾年已經獲得突飛猛進的發展,正在迅速走向成熟,之前阻礙閃存普及的價格門檻,正在逐步降低,未來閃存的可靠性會和價格一齊下降,但我們能夠通過系統軟件來更好地實現閃存的利用價值。 Gartner 大中華區數據中心架構與管理首席分析師張瑾 2013年的中國閃存市場 Gartner 大中華區數據中心架構與管理首席分析師張瑾首先用數字說明2013年對于閃存來說絕對是一個不平凡的一年,首先閃存顆粒,Gartner的研究表明,每GB的價格成本下降41%,這是一個非常大的下降的
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閃存
- 隨著互聯網、云計算、移動終端和物聯網的迅猛發展,全球數據量每兩年翻倍的速度增長,人們選用的存儲介質也發生了較大的變化,到2020年全球數據總量將達到44ZB。如此高速增長的數據,采取什么樣的存儲更為愉快?閃存能否成為未來存儲的棟梁? 俗話說:以史為鑒,可以知興替。回顧過往,存儲行業從很久以前的磁帶存儲方式過渡到磁盤存儲方式,磁帶存儲沒有消亡,但磁盤占了主流。當前從磁盤存儲方式逐漸過渡到閃存方式,未來磁盤存儲不會消亡,但閃存勢必會占據
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閃存
- 當前,基于閃存的創新已經成為數據中心領域最大的熱點,市場上已經涌現出五花八門的閃存產品。大家公認閃存對于數據中心應用的加速效果十分明顯,無論是服務器內部的固態硬盤、PCI-E閃存卡還是混合陣列、全閃存陣列都已經在數據中心領域得到驗證,尤其是隨著閃存成本價格穩步下降,閃存在數據中心領域的應用趨勢必然加快。同時,隨著云計算、大數據、社交網絡、移動化四大趨勢的來臨,超大型數據中心用戶對于加速的需求更進一步,傳統的閃存產品已經不能較好滿足超大型數據中心用戶某些關鍵性應用需求,超高性能的閃存產品成為這些超大型數據中
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Sandisk 閃存
- 近日,日本TDK首次展示了新型存儲技術MRAM的原型,有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內存,已經存在一段時間了,但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數據存儲介質,而它的名字來自自旋傳輸矩,也即是寫入數據的時候利用電子角動量來改變磁場。 MRAM技術的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM,當同時又是非易失性的,也就是可以斷電保存數據,等于綜合了RAM、Flash的優點。 TDK多年來一直在研究STT-MRAM,但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片和一個NOR&n
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TDK 閃存
- 10月17日,美國閃存供應商SanDisk今天發布了2014財年第三季度財報。財報顯示,由于重組和收購導致成本增長9%,SanDisk第三季度凈利潤同比下滑5%。由于業績未達分析師預期,SanDisk股價在盤后交易中下跌3%。
在截至9月28日的今年第三季度,SanDisk凈利潤為2.627億美元,合每股收益1.09美元,上年同期凈利潤為2.769億美元,合每股收益 1.18美?元;不計入一次性支出,SanDisk第三季度每股收益1.45美元。同時,第三季度SanDisk營收為17.5億
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SanDisk 閃存
- 近日,日本TDK首次展示了新型存儲技術MRAM的原型,有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內存,已經存在一段時間了,但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數據存儲介質,而它的名字來自自旋傳輸矩,也即是寫入數據的時候利用電子角動量來改變磁場。
MRAM技術的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM,當同時又是非易失性的,也就是可以斷電保存數據,等于綜合了RAM、Flash的優點。
TDK多年來一直在研究STT-MRAM,但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片
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閃存 MRAM
- MRAM以磁荷為數據存儲介質,而它的名字來自自旋傳輸矩,也即是寫入數據的時候利用電子角動量來改變磁場。MRAM是以取代Flash為使命的。目前TDK已經推出這種存儲技術的原型。
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閃存 MRAM
閃存介紹
【閃存的概念】
閃存(Flash Memory)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數據信息)的存儲器,數據刪除不是以單個的字節為單位而是以固定的區塊為單位,區塊大小一般為256KB到20MB。閃存是電子可擦除只讀存儲器(EEPROM)的變種,EEPROM與閃存不同的是,它能在字節水平上進行刪除和重寫而不是整個芯片擦寫,這樣閃存就比EEPROM的更新速度快。由于其斷 [
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