- 一位消息人士告訴《日經新聞》（Nikkei），決定生產“應該從稍小的方形開始，而不是在早期試驗中從更雄心勃勃的大方形開始。用化學品均勻地涂覆整個基材尤其具有挑戰性。首次生產將于 2017 年在桃園市試行。據報道，日月光科技最初表示正在建造一條使用 600 x 600 毫米基板的 PLP 生產線，但在聽說臺積電的決定后，決定在高雄建造另一條使用 310x310 毫米基板的試點生產線。PLP 技術由 Fraunhofer 于 2016 年推出，當時它與 17 個合作伙伴成立了面板級封裝聯盟 （PLC）。
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TSMC 襯底 PLP
- 據日經中文網報道，日本中央硝子（Central Glass）開發出了用于功率半導體材料“碳化硅（SiC）”襯底的新制造技術。據介紹，中央硝子開發出了利用含有硅和碳的溶液（液相法）來制造SiC襯底的技術。與使用高溫下升華的SiC使單晶生長（升華法）的傳統技術相比，液相法在增大襯底尺寸以及提高品質方面更具優勢。該技術可使襯底的制造成本降低10%以上，良率也會大幅度提升。由于利用液相法制備SiC襯底較為復雜，此前該技術一直未應用在實際生產中。中央硝子運用基于計算機的計算化學，通過推算溶液的動態等，成功量產出了6
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碳化硅 襯底
- 碳化硅（SiC）具有高擊穿場強、高熱導率、高飽和電子漂移速率等特點，可很好地滿足新能源汽車與充電樁、光伏新能源、智能電網、軌道交通等應用需求，對我國“新基建”產業發展具有重要意義，是未來五年“中國芯”最好的突破口之一，當下我國應該集中優勢資源重點發展。
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- 中國汽車工業協會最新數據顯示，2022年1月至11月，新能源汽車產銷分別完成625.3萬輛和606.7萬輛，同比均增長1倍，市場占有率達到25%。由此可見新能源汽車的發展已經進入了快車道。在這里我們注意到，由于里程焦慮和快速充電的要求，800V 電池母線系統獲得了不少的OEM或者Tier1的青睞。談到800V母線系統，讓我們聚焦到其中的核心功率器件碳化硅功率模塊，由于碳化硅得天獨厚的優勢，使得它非常適合用來制造高耐壓、高結溫、高速的MOSFET，這三高恰好契合了800V母線系統對于核心的功率器件的要求。安
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- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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- 隨著亞微米、深亞微米技術和系統芯片（SOC）技術的日益成熟，功耗已經成為模擬電路設計中首要考慮的問題，低電壓低功耗集成電路設計漸漸成為主流。因為MOS晶體管的襯底或者與源極相連，或者連接到VDD或VSS，所以經常
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襯底 驅動技術 模擬電路設計
- 混合動力電動汽車(HEV)能把污染物排放量降低1/3至1/2，最新車型甚至可能把排放量降得更多。但是，HEV需要大功率的成本效益型電源開關，到目前為止，大功率開關產品因為成本高，可靠性達不到汽車應用的期望，而無法適
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- 1:藍寶石詳細介紹藍寶石的組成為氧化鋁(Al2O3)，是由三個氧原子和兩個鋁原子以共價鍵型...
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- 對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應該采用哪種合適的襯底，需要根據設備和led器件的要求...
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- 介紹了一種基于襯底驅動技術的低電壓低功耗運算放大器。輸入級采用襯底驅動MOSFET，有效避開閾值電壓限制；輸出采用改進前饋式AB類輸出級，確保了輸出級晶體管的電流能夠得到精確控制，使輸出擺幅達到軌至軌。整個電路采用PTM標準0.18 μm CMOS工藝參數進行設計，用Hspice進行仿真。模擬結果顯示，測得直流開環增益為62.1 dB，單位增益帶寬為2.13 MHz，相位裕度52°，電路在0.8 V低電壓下正常運行，電路平均功耗只有65.9 μW。
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低壓 低功耗 襯底 驅動
- 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍寶石由于硬度高、導電性和導熱性差等原因，對后期器件加工和應用帶來很多不便，SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處，而價格相對便宜的Si襯底由于有著優良的導熱導電性能和成熟的器件加工工藝等優勢，因此Si襯底GaN基LED制造技術受到業界的普遍關注。
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GaN LED 襯底 功率型
- 2009中國LED顯示產業高峰論壇5月24日在“深圳光電顯示周”期間舉行。與此同時，為表彰和鼓勵優秀企業和技術創新，首屆中國LED行業年度評選頒獎典禮同時舉行。
LED(發光二極管)產業是朝陽產業、綠色產業。LED顯示成為5月23日-26日“深圳光電顯示周”期間的最大亮點。在國際金融危機的背景下，眾多展會和論壇“冷場”或“縮水”，而24日的“2009中國LED顯示產業高峰論壇”
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CREE LED 襯底
- 使用國產6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型，利用ADS軟件仿真優化了雙級GaNMMIC，研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片，連續波測試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時連續波輸出功率大于10W，帶內增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個采用國產SiC襯底的GaN MMIC。
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