又一SiC襯底廠簽單，6.8億！

來源： 化合物半導體市場

8月17日，第三代半導體IDM巨頭II-VI宣布與國內SiC外延片領先企業東莞天域半導體簽訂了1億美元（約合人民幣6.8億元）的合同。按照合同，II-VI將向天域半導體提供用于電力電子領域的6英寸SiC導電型襯底，從本季度開始到明年年底交付。

II-VI指出，隨著交通基礎設施和工業設備的電氣化發展，市場正加速向基于SiC的電力電子應用轉型。業界皆知，SiC自身耐高溫、耐高壓、高功率密度、高效率、低功耗等優勢，可完美匹配電力電子產品高效化、節能化、小型化的需求，有助于整體系統成本的下降。因此，SiC在電動汽車、光伏與儲能、軌道交通及工業應用等領域有著巨大的應用潛力，

根據TrendForce集邦咨詢《2022第三代半導體功率應用市場分析報告》顯示，SiC功率元件的規模預估將在今年達到15.9億美元，并在2026年達到53億美元，年復合增長率為35%左右。由此可見，終端市場對SiC的需求將持續強勁增長，但與之形成對比的是，目前全球SiC供應鏈產能尚不能滿足市場需求，尤其是前端的襯底環節。于是，自SiC開啟元年以來，擴產、鎖定產能等成為第三代半導體行業的關鍵詞。

為了滿足亞洲市場的需求，II-VI 于2021年在中國福州的II-VI"亞洲地區總部 "建立了一條SiC襯底后端加工生產線，潔凈室面積超過50,000平方英尺。

本次天域半導體向II-VI簽單，也是提前鎖定關鍵的襯底產能，為接下來迎接需求的爆發做好充分的準備。II-VI也表示，通過簽訂這一份長期供貨合同，其在美國和中國的6英寸產線將確保天域半導體能夠獲得6英寸襯底的產能，以滿足2023年SiC應用市場的需求。

隨著客戶加速推進SiC產品的開發和應用，II-VI也進一步落實了擴產6英寸和8英寸襯底和外延片的計劃。該公司已于今年3月宣布在美國賓夕法尼亞州伊斯頓（Easton）和瑞典希斯塔（Kista）科學城擴建工廠，加速6英寸、8英寸SiC襯底和外延片的大規模制造。預計到2027年，伊斯頓6英寸SiC襯底的年產能將達100萬片，8英寸SiC襯底的占比也將逐漸增加。希斯塔工廠的SiC外延片產能也將顯著增加。

作為國內最早研發SiC外延片的企業以及國內首家獲得汽車質量認證（IATF 16949）的SiC半導體材料供應鏈企業，天域半導體也正在擴產的道路上加速前進。今年4月，天域半導體SiC外延片項目正式落地，將新增6/8英寸SiC外延片生產線，年產能達100萬片，預計2025年竣工投產。

天域半導體此番與產能規模較大的II-VI簽訂長期供應合同，能夠在保障上游產能供應的條件下，隨著自身產能的釋放，不斷滿足未來下游器件廠商對SiC外延片的需求。