- IT之家 9 月 27 日消息，存儲制造商在經歷了有史以來最長的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場復蘇的希望。根據集邦咨詢報道，伴隨著主要存儲制造商的持續減產，已經市場去庫存效果顯現，預估 NAND Flash 價格回暖之后，DRAM 價格也會上漲。NAND 閃存供應商為減少虧損，2023 年以來已經進行了多次減產，目前相關效果已經顯現，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價格出現反彈，9 月繼續上漲。行業巨頭三星繼續減產，主要集中在 128 層以下產品中，在 9 月產量下降了
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存儲 DRAM NAND Flash
- 消費類DRAM廣泛普及，而且往往物美價廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費類DRAM 在工業應用中的真正危險和缺陷。在本文中，我們將探討消費類DRAM和工業DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風險。固定BOM的重要性消費類 DRAM 模塊沒有固定的 BOM（物料清單）；這意味著模塊中使用的材料可能會發生變化，而且經常會在用戶未知的情況下發生變化，另外用戶可能會在一月份訂購兩個 DIMM 用于測試，在三月份再訂購五百個用于生產，但無法保證一月份訂購的模塊與三月份訂購的模塊包含相同的材料。即使是物料
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innodisk DRAM
- 內存大廠美光即將于27日盤后公布最新財報，鑒于美光對DRAM的訂價能力提升，市場高度期待美光獲利進一步改善，預期產業最壞情況已過。由于內存大廠近期積極減產，部分市場需求轉強，AI服務器需求尤為強勁，致使DRAM報價逐漸改善。美光財務長Mark Murphy先前透露，若供應鏈持續保持自制力、預測價格有望于2023年下半轉強。美光營運有望改善，帶動股價逐漸走強，該公司年初迄今股價已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商，紛紛上調美光投資評等及目標價。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評等，目標價從75美元調高到
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美光 DDR5 DRAM
- 受高通貨膨脹、消費電子需求疲軟等因素影響，存儲市場發展“遇冷”，鎧俠、美光等原廠陸續于去年第四季度啟動減產，2023年三星宣布加入減產行列。不過，由于市場需求持續衰弱，2023年存儲市況仍未復蘇，價格不斷下跌，廠商業績承壓。這一背景下，部分存儲廠商期望通過繼續減產維穩價格，推動市場供需平衡。近日，臺灣地區《工商時報》等媒體報道，DRAM廠商南亞科將跟進大廠減產策略，調整產能、降低稼動率、彈性調整產品組合和資本支出，根據客戶需求和市場變化動態調整，以應對市場疲軟，預計產能將動態調降20％以內。此前，全球市場
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存儲廠商 DRAM TrendForce
- 3D DRAM 的使用在未來或許是可能的。
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DRAM
- 一路暴跌的半導體行業在 8 月終于傳來了好消息。TrendForce 集邦咨詢研究發布最新數據，第二季 DRAM 產業營收約 114.3 億美元，環比增長 20.4%，終結連續三個季度的跌勢。存儲作為行業的風向標，止跌是大家喜聞樂見的。這樣的好消息背后，不知道還有多少變數，又何時傳遞給整個半導體行業呢？經歷低谷根據 TrendForce 發布報告，2022 年第三季度 DRAM 行業營收為 181.9 億美元，環比下降 28.9%。2022 年第三季度，DRAM 供應商庫存快速堆積，為搶占第四季度的出貨市
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DRAM
- IT之家 9 月 4 日消息，據臺灣 《中央通訊社》 報道，臺灣美光董事長盧東暉表示，美光有多達 65% 的 DRAM 產品在臺灣生產，其中臺日團隊一起研發新一代的 1-gamma 制程將于 2025 年上半年先在臺中廠量產，這是美光第 1 代采用極紫外光（EUV）的制程技術。據悉，美光現在只有在臺中有 EUV 的制造工廠，1-gamma 制程勢必會先在臺中廠量產，日本廠未來也會導入 EUV 設備。盧東暉強調，臺灣和日本是美光非常重要的制造中心，美光有多達 65% 的動態隨機存取記憶體（DRAM
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美光 DRAM
- 2023年9月1日，三星宣布采用12納米(nm)級工藝技術，開發出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5
DRAM：五代雙倍數據率同步動態隨機存儲器）。這是繼2023年5月三星開始量產12納米級16Gb DDR5
DRAM之后取得的又一成就，這鞏固了三星在開發下一代DRAM內存技術領域中的地位，并開啟了大容量內存時代的新篇章。 三星12納米級32Gb DDR5 DRAM（1）"在三星最新推出的12納米級32Gb內存的基礎上，我們可以研發出實現1TB內存模組的解決方案
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三星 12納米 DDR5 DRAM
- 動態隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內存的數字電子設備，如現代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅動了DRAM的微縮，隨著技術在節點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發展，以提高單位面積的存儲單元數量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個行業的發展，因為它能推動存儲器技術的突破，而且每平方微米存儲單元數量的增加意味著生產成本的降低。l DRAM技
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3D DRAM 泛林
- 高啟全是全球 DRAM 領域最資深的人士之一。
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DRAM
- IT之家 7 月 5 日消息，據多個韓國媒體報道，三星電子昨日突然在非常規人事季更換了代工（DS）部門和 DRAM 部門負責人，被解讀為“彌補今年上半年存儲半導體表現低迷、強化代工業務的手段”。首先，三星代工事業部技術開發部門副社長鄭基泰（Jegae Jeong）被任命為事業部最高技術負責人（CTO），而他的繼任者則是 Jahun Koo。與此同時，負責存儲半導體中 DRAM 開發的部門負責人也被更換，由原本擔任戰略營銷部門副社長的黃相俊（Hwang Sang-jun）接管，被業界解讀為對 HB
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三星 DRAM
- 6月5日，DRAM大廠南亞科公布2023年5月自結合并營收為新臺幣23.09億元，月增加2.17%、年減少62.74%，仍創下今年新高水準。累計前5月合并營收為新臺幣109.94億元，年減少66.42%。據中國臺灣媒體《中時新聞網》引述南亞科總經理提到，DRAM市況預期第三季產品價格可望回穩。南亞科總經理認為，以今年整體狀況而言，DRAM需求成長率可能低于長期平均值，但DRAM是電子產品智能化的關鍵元件，未來各種消費型智能電子產品的推陳出新，加上5G、AI、智慧城市、智能工廠、智能汽車、智能家庭、智能穿戴
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DRAM TrendForce
- 5月26日，韓國媒體The Elec引用知情人士消息稱，三星電子近日在其半導體研究中心內組建了一個開發團隊，以量產4F2結構DRAM。4F2結構DRAM能夠大大提高DRAM的存儲密度，方便研究團隊克服DRAM線寬縮減的極限，增加DRAM制造的效率。報道稱，如果三星4F2 DRAM存儲單元結構研究成功，在不改變節點的情況下，與現有的6F2 DRAM存儲單元結構相比，芯片DIE面積可以減少30%左右。4F2結構是大約10年前DRAM產業未能商業化的單元結構技術，據說工藝難點頗多。不過三星認為，與SK海力士和美
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三星 4F2結構 DRAM
- IT之家 5 月 26 日消息，根據韓媒 The Elec 報道，三星組建了一支專業的團隊，負責開發 4F2 DRAM 存儲單元結構。相比較現有的 6F2 級別，在不改變工藝節點的情況下，芯片面積最高可減少 30%。4F Square 是一種單元結構技術，DRAM 行業早在 10 年前就嘗試商業化，但最后以失敗告終。三星組建了專業的團隊，研發 4F2 結構。IT之家從韓媒報道中獲悉，晶體管根據電流流入和流出的方向，形成源極（S）、柵極（G）和漏極（D）整套系統。在漏極（D）上方安裝一個
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三星 DRAM
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